三星半導(dǎo)體穩(wěn)居龍頭海力士全力沖刺縮小差距

時(shí)間：2025-05-06作者：深圳市凱高達(dá)科技有限公司瀏覽：494

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  詞條說明

• 臺(tái)積電開始獨(dú)立發(fā)展高階封測(cè)技術(shù) 以鞏固晶圓代工龍頭地位

  面對(duì)三星、英特爾的挑戰(zhàn)，臺(tái)積電已開始著手上下游整合，以維持競(jìng)爭(zhēng)優(yōu)勢(shì)，改變閩臺(tái)半導(dǎo)體業(yè)多年來的垂直分工模式，率先質(zhì)變。一方面快速?zèng)Q定投資設(shè)備廠ASML，重金砸下新臺(tái)幣400億元，良好**跨入18寸晶圓的門票，給競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手壓力，另一方面，為了系統(tǒng)單晶片趨勢(shì)，也開始向下游封測(cè)業(yè)布局，由該公司共同營運(yùn)長蔣尚義*的研發(fā)團(tuán)隊(duì)，現(xiàn)已開始獨(dú)立發(fā)展高階封測(cè)技術(shù)，目標(biāo)就是鎖定3D IC高階封測(cè)市場(chǎng)，以鞏固臺(tái)積電**地

• 日本京都大學(xué)工學(xué)院成功開發(fā)出可耐2萬伏超高壓的半導(dǎo)體器件

  日本京都大學(xué)工學(xué)院須田淳準(zhǔn)教授和木本恒暢教授的研究組近日利用碳化硅（SiC）材料成功開發(fā)出可耐2萬伏**高壓的半導(dǎo)體器件。10月23日該研究組宣布了這一消息。該研究小組于今年6月已開發(fā)出可耐2萬伏**高壓的半導(dǎo)體二極管器件，隨后又成功對(duì)**高壓環(huán)境下構(gòu)成功率變換電路的開關(guān)器件和整流器件實(shí)施了技術(shù)驗(yàn)證。 研究組在高壓環(huán)境下通過采用避免電場(chǎng)集中的結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)和表面保護(hù)技術(shù)，利用碳化硅（SiC）半導(dǎo)體材料實(shí)現(xiàn)了可

• 第二季度所有地區(qū)的廠商營業(yè)收入均出現(xiàn)下降，整體半導(dǎo)體營業(yè)收入低于去年同期

  據(jù)IHS iSuppli公司的競(jìng)爭(zhēng)格局分析工具分析，2012年*二季度**半導(dǎo)體營業(yè)收入降至752億美元，**2011年同期的775億美元。 與屬于淡季的**季度相比，*二季度環(huán)比增幅還不到3%，突顯2012年半導(dǎo)體市場(chǎng)狀況不容樂觀。如果2012年半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)要想強(qiáng)于2011年，那么*二季度增幅至少應(yīng)該達(dá)到4%。 歐元區(qū)危機(jī)持續(xù)、中國制造業(yè)增長放緩而美國失業(yè)率高居不下，**經(jīng)濟(jì)形勢(shì)日益令人擔(dān)憂，導(dǎo)致

• 先進(jìn)制程需求強(qiáng)勁　晶圓代工廠爭(zhēng)相擴(kuò)產(chǎn)

  晶圓代工廠在**制程的競(jìng)爭(zhēng)愈演愈烈。行動(dòng)裝置對(duì)采用**制程的晶片需求日益高漲，讓臺(tái)積電、聯(lián)電、GLOBALFOUNDRIES與三星等晶圓廠，皆不約而同加碼擴(kuò)大**制程產(chǎn)能，特別是現(xiàn)今需求較為殷切的28奈米制程，較是首要布局重點(diǎn)。 **各大晶圓代工廠正加速擴(kuò)大**制程產(chǎn)能規(guī)模。由于智慧型手機(jī)與平板裝置市場(chǎng)不斷增長，讓兼具低成本與高效能的**制程需求快速升溫，因此包括臺(tái)積電、聯(lián)電、格羅方德（GLOBA