三星半導體穩(wěn)居**海力士全力沖刺縮小差距

時間：2024-11-15作者：深圳市凱高達科技有限公司瀏覽：430

根據(jù)TrendForce旗下研究部門DRAMeXchange調(diào)查，DRAM廠積極研發(fā)，并提高行動式內(nèi)存產(chǎn)能，不僅可望拉抬整體獲利表現(xiàn)，亦可降低因標準型DRAM生產(chǎn)造成的虧損。**季行動式內(nèi)存平均銷售單價滑落約10~15%，合約價降幅約10%，但由于出貨位元成長約達20%，整體行動式內(nèi)存營收較去年*四季成長約37%。TrendForce表示，除三星電子市占大幅擴大之外，其他廠家均受到降價影響而壓縮整體行動式內(nèi)存營收表現(xiàn)。

　　三星半導體穩(wěn)居**海力士全力沖刺縮小差距

　　在產(chǎn)品組合多樣性、技術(shù)以及生產(chǎn)成本優(yōu)勢下，三星半導體**季在行動式內(nèi)存的銷售一舉拿下七成的市占率，自有品牌Galaxy貢獻良多，約占三星行動式內(nèi)存總產(chǎn)出的3成;韓系廠商在行動式內(nèi)存的市占率于**季突破八成，足見韓系廠商長期在行動式內(nèi)存市場的布局與努力成效**。三星今年開始在市場策略上，將較專注LPDDR2，以及高容量多芯片封裝(MCP)生產(chǎn)，TrendForce認為這是三星在行動式內(nèi)存營收良好對手的主因，下階段三星將以深化客戶對高容量LPDDR2的接受度為發(fā)展重點，做為下一波營收成長動力。同時，三星也積極在客戶端推廣應用于UltraBook的LPDDR3*16，雖然至今仍未通過JEDEC的認證規(guī)范，但若受到PCOEM廠商青睞，預計將較進一步擴大三星在行動式內(nèi)存的市占率。

　　SK海力士方面，本季行動式內(nèi)存產(chǎn)品線營收與上季相當，隨著38nm制程良率逐步提升，不僅生產(chǎn)成本降低，生產(chǎn)比例也逐步提升，且LPDDR24Gb顆粒已受客戶驗證完畢，后續(xù)在高容量LPDDR2的出貨量將穩(wěn)定增加，可望在*二季為獲利表現(xiàn)加溫。

　　爾必達與美光連手抗敵可望發(fā)揮垂直整合之效

　　雖然爾必達不斷向客戶承諾將持續(xù)出貨，然而在財務問題尚未明朗化前，多數(shù)客戶皆在備料計劃上采取避險措施，以免其無預警減產(chǎn)或停產(chǎn)危及產(chǎn)線穩(wěn)定，因此**季爾必達在行動式內(nèi)存市占率以及營收上均受到不小沖擊，不過爾必達在LPDDR2產(chǎn)品的質(zhì)量相當受到客戶肯定，隨著與美光合并后財務危機塵埃落定，后續(xù)表現(xiàn)可望逐步復蘇。

　　美光方面，伴隨中國以及新興市場對中低階智能型手機需求強勁成長，低容量行動內(nèi)存以及多芯片封裝的產(chǎn)品線需求也隨之提升。制程方面，美光積極轉(zhuǎn)進30nm生產(chǎn)并提升良率，目前工程樣品積極送測中。由于美光擁有NANDFlash及NORFlash產(chǎn)品搭配，因此其行動式內(nèi)存產(chǎn)品配置多元且具彈性，尤其是多芯片封裝MCP(4Gb+4GB)，被廣泛應用于中低階智能型手機以及功能型手機，對于營收有相當大的幫助。未來若與爾必達在高容量行動式內(nèi)存有進一步的合作，產(chǎn)品垂直整合優(yōu)勢將會較進一步拓展其在行動式內(nèi)存市占率。

　　臺系廠市占僅2%南科押寶高容量行動式內(nèi)存

　　就南亞科技而言，在美光的技術(shù)支持下，南科在*二季已將30nm生產(chǎn)的行動式內(nèi)存的工程樣品送與多家客戶測試，預估下半年將積極投入量產(chǎn)，以單芯片封裝(Discrete)LPDDR2產(chǎn)品線切入行動式內(nèi)存供貨商的行列。華邦電子將在今年以自行開發(fā)的46nm制程生產(chǎn)LPDDR1256/512Mb行動式內(nèi)存開拓商機，配合PseudoSRAM的產(chǎn)品線，可望擴大在功能型手機市場的市占率，逐步提升華邦電子行動式內(nèi)存營收比重。


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