北京時(shí)間12月5日晚間消息,高通今日表示,隨著三星、臺(tái)積電等合作伙伴產(chǎn)量的提升,高通的智能手機(jī)芯片短缺問(wèn)題現(xiàn)已基本解決。
高通**運(yùn)營(yíng)官史蒂芬·莫林科夫(Steven Mollenkopf)今日在中國(guó)香港接受采訪時(shí)稱(chēng):“芯片短缺已經(jīng)成為過(guò)去,我們的三大主要合作伙伴,三星、Globalfoundries和臺(tái)積電都在提高產(chǎn)量?!?
高通今年早些時(shí)候曾表示,供應(yīng)商臺(tái)積電產(chǎn)能跟不上快速增長(zhǎng)的智能手機(jī)芯片訂單。隨后,高通加大開(kāi)支,并增加了其他供應(yīng)商來(lái)滿足來(lái)自蘋(píng)果、三星和HTC的智能手機(jī)處理器訂單。
莫林科夫稱(chēng):“我們確實(shí)經(jīng)歷過(guò)制造商合作伙伴無(wú)礙滿足市場(chǎng)需求的情況,但我們相信,該問(wèn)題將于今年年底前徹底解決。”他同時(shí)表示,直至今年10月,28納米智能手機(jī)芯片短缺還是個(gè)問(wèn)題。但如今,該問(wèn)題已基本解決。
三星發(fā)言人克里斯·莊(Chris Chung)表示,三星計(jì)劃于明年年初量產(chǎn)自有品牌的28納米移動(dòng)設(shè)備處理器。
隨著移動(dòng)設(shè)備的普及,高通也受益匪淺。調(diào)研公司IHS ISuppli預(yù)計(jì),今年高通芯片銷(xiāo)售額將增長(zhǎng)27%,使之成為***三大芯片廠商。
莫林科夫拒絕透露IHS ISuppli的預(yù)期是否與高通自身目標(biāo)相一致,但他表示:“對(duì)于我們而言,今年是相當(dāng)不錯(cuò)的一年?!?
除了芯片業(yè)務(wù),高通還在押注低能耗顯示技術(shù),可以讓屏幕永遠(yuǎn)處于顯示狀態(tài)。作為該計(jì)劃的一部分,高通已同意向夏普注資1.21億美元。
夏普周二宣布,已接受來(lái)自高通的99億日元(約合1.21億美元)的資本投資,此舉旨在改善夏普的資產(chǎn)負(fù)債表。
夏普稱(chēng),今年年底前將以每股164日元的價(jià)格向高通發(fā)行**49億日元的新股,與夏普周二174日元的收盤(pán)價(jià)相比折價(jià)6%。該交易完成后,高通將持有夏普2.6%的股份。
莫林科夫稱(chēng):“很明顯,他們處于困難時(shí)期。通過(guò)合作,我們希望他們將來(lái)會(huì)有所改善”。通過(guò)此次合作,夏普和高通將合作開(kāi)發(fā)顯示屏,采用夏普較新的IGZO和高通的MEMS顯示技術(shù)。
莫林科夫稱(chēng):“該技術(shù)能夠滿足的需求當(dāng)前可能還不存在,例如,讓屏幕永遠(yuǎn)顯示,而利用當(dāng)前的傳統(tǒng)顯示技術(shù)可能很難實(shí)現(xiàn)?!?
詞條
詞條說(shuō)明
【品 牌】 KGD 【品 名】= 40A雙向可控硅(TRIACs) 【型 號(hào)】= BTA41-1600B 【電 流】= 40.0(A) 【電 壓】= 1600(V) 【結(jié) 溫】= 125(℃) 【封裝形式】= TOP3 【管腳排列】= T1-T2-G 【主要用途】 ?開(kāi)關(guān)電源、復(fù)合開(kāi)關(guān)、自動(dòng)化電氣設(shè)備、路燈控制電路、直流電源、 ?機(jī)電控制電路以及三象交流輸入的高壓電路變頻電路
2012年半導(dǎo)體芯片市場(chǎng)增長(zhǎng)預(yù)測(cè)或下調(diào)
倫敦消息:根據(jù)市場(chǎng)研究公司Future Horizons Ltd. (Sevenoaks, England)消息,2012年,**半導(dǎo)體市場(chǎng)將增長(zhǎng)4%。 該分析公司CEO Malcolm Penn表示,由于歐洲危機(jī)繼續(xù)等宏觀經(jīng)濟(jì)的影響導(dǎo)致經(jīng)濟(jì)復(fù)蘇周期延長(zhǎng),所以他下調(diào)先前8%的增長(zhǎng)預(yù)測(cè)。但是,Malcolm Penn表示,2013年和2014年,市場(chǎng)將實(shí)現(xiàn)兩位數(shù)的增長(zhǎng),分別至15.6%和16.0%。
“工廠超市”**LED行業(yè)變革,讓LED燈飛入百姓家
據(jù)相關(guān)研究表明,廢舊節(jié)能燈特別是老式熒光管中汞含量平均約0.5毫克,僅夠沾滿一個(gè)圓珠筆尖。但若滲入地下后,足以污染約180噸水及周?chē)寥?。此外,廢棄的節(jié)能燈管破碎后,瞬時(shí)可使周?chē)諝庵械墓瘽舛葒?yán)重**標(biāo)。一旦進(jìn)入人體,可能破壞人的**神經(jīng)。有業(yè)界*認(rèn)為,隨著白熾燈逐步消亡,我國(guó)年消費(fèi)量可達(dá)10多億只。但現(xiàn)階段,LED燈價(jià)格高居不下,相比節(jié)能燈,無(wú)價(jià)格優(yōu)勢(shì),性?xún)r(jià)比優(yōu)勢(shì)不明顯,令一般消費(fèi)者望而卻步。
日本京都大學(xué)工學(xué)院成功開(kāi)發(fā)出可耐2萬(wàn)伏**高壓的半導(dǎo)體器件
日本京都大學(xué)工學(xué)院須田淳準(zhǔn)教授和木本恒暢教授的研究組近日利用碳化硅(SiC)材料成功開(kāi)發(fā)出可耐2萬(wàn)伏**高壓的半導(dǎo)體器件。10月23日該研究組宣布了這一消息。該研究小組于今年6月已開(kāi)發(fā)出可耐2萬(wàn)伏**高壓的半導(dǎo)體二極管器件,隨后又成功對(duì)**高壓環(huán)境下構(gòu)成功率變換電路的開(kāi)關(guān)器件和整流器件實(shí)施了技術(shù)驗(yàn)證。 研究組在高壓環(huán)境下通過(guò)采用避免電場(chǎng)集中的結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)和表面保護(hù)技術(shù),利用碳化硅(SiC)半導(dǎo)體材料實(shí)現(xiàn)了可
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