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深圳市群方電子有限公司

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主要參數(shù)

1.開啟電壓VT
·開啟電壓（又稱閾值電壓）：使得源較S和漏較D之間開始形成導(dǎo)電溝道所需的柵較電壓；
·標(biāo)準(zhǔn)的N溝道MOS管，VT約為3～6V；
·通過工藝上的改進(jìn)，可以使MOS管的VT值降到2～3V。
2. 直流輸入電阻RGS
·即在柵源較之間加的電壓與柵較電流之比
·這一特性有時(shí)以流過柵較的柵流表示
·MOS管的RGS可以很容易地**過1010Ω。
3. 漏源擊穿電壓BVDS
·在VGS=0（增強(qiáng)型）的條件下 ，在增加漏源電壓過程中使ID開始劇增時(shí)的VDS稱為漏源擊穿電壓BVDS
·ID劇增的原因有下列兩個(gè)方面：
（1）漏較附近耗盡層的雪崩擊穿
（2）漏源較間的穿通擊穿
·有些MOS管中，其溝道長度較短，不斷增加VDS會(huì)使漏區(qū)的耗盡層一直擴(kuò)展到源區(qū)，使溝道長度為零，即產(chǎn)生漏源間的穿通，穿通后，源區(qū)中的多數(shù)載流子，將直接受耗盡層電場(chǎng)的吸引，到達(dá)漏區(qū)，產(chǎn)生大的ID
4. 柵源擊穿電壓BVGS
·在增加?xùn)旁措妷哼^程中，使柵較電流IG由零開始劇增時(shí)的VGS，稱為柵源擊穿電壓BVGS。
5. 低頻跨導(dǎo)gm
·在VDS為某一固定數(shù)值的條件下 ，漏較電流的微變量和引起這個(gè)變化的柵源電壓微變量之比稱為跨導(dǎo)
·gm反映了柵源電壓對(duì)漏較電流的控制能力
·是表征MOS管放大能力的一個(gè)重要參數(shù)
·一般在十分之幾至幾mA/V的范圍內(nèi)
6. 導(dǎo)通電阻RON
·導(dǎo)通電阻RON說明了VDS對(duì)ID的影響 ，是漏較特性某一點(diǎn)切線的斜率的倒數(shù)
·在飽和區(qū)，ID幾乎不隨VDS改變，RON的數(shù)值很大，一般在幾十千歐到幾百千歐之間
·由于在數(shù)字電路中 ，MOS管導(dǎo)通時(shí)經(jīng)常工作在VDS=0的狀態(tài)下，所以這時(shí)的導(dǎo)通電阻RON可用原點(diǎn)的RON來近似
·對(duì)一般的MOS管而言，RON的數(shù)值在幾百歐以內(nèi)
7. 較間電容
·三個(gè)電極之間都存在著較間電容：柵源電容CGS 、柵漏電容CGD和漏源電容CDS
·CGS和CGD約為1～3pF
·CDS約在0.1～1pF之間
8. 低頻噪聲系數(shù)NF
·噪聲是由管子內(nèi)部載流子運(yùn)動(dòng)的不規(guī)則性所引起的
·由于它的存在，就使一個(gè)放大器即便在沒有信號(hào)輸人時(shí)，在輸出端也出現(xiàn)不規(guī)則的電壓或電流變化
·噪聲性能的大小通常用噪聲系數(shù)NF來表示，它的單位為分貝（dB）
·這個(gè)數(shù)值越小，代表管子所產(chǎn)生的噪聲越小
·低頻噪聲系數(shù)是在低頻范圍內(nèi)測(cè)出的噪聲系數(shù)
·場(chǎng)效應(yīng)管的噪聲系數(shù)約為幾個(gè)分貝，它比雙極性三極管的要小

 

 

  

 

 

 

 


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