MOS管并聯(lián)均流技術(shù)分析

時(shí)間：2015-07-24作者：長春艾克思科技有限責(zé)任公司瀏覽：106

	MOS管并聯(lián)均流技術(shù)分析


	IGBT管并聯(lián)均流技術(shù)分析


	BJT 管并聯(lián)均流技術(shù)分析


	 


	 


	普通的功率MOSFET因?yàn)閮?nèi)阻低、耐壓高、電流大、驅(qū)動(dòng)簡易等優(yōu)良特性而得到了廣泛應(yīng)用。當(dāng)單個(gè)MOSFET的電流或耗散功率不滿足設(shè)計(jì)的需求時(shí)就遇到了并聯(lián)mos管的問題。并聯(lián)mos管的兩大問題，其一就是mos管的選型，其二就是mos管參數(shù)的篩選。


	首先我們測試從某網(wǎng)店購買的IRF4905型PMOS管。從圖中可見此PMOS管的字符與常見的IR公司器件有較大差異，遂使用DF-80A型二極管正向壓降測試儀對(duì)此mos管進(jìn)行實(shí)際的ID-VDS曲線測試。先從官網(wǎng)下載IRF4905的ID-VDS曲線，可見當(dāng)Vgs為-6.5V時(shí)，Id約在90A時(shí)恒流。


	 


	    電路連接方式如下圖。調(diào)節(jié)電位器，使Vgs=-6.5V。


	 


	 


	實(shí)際測試：ID掃描范圍：0-100A，測試脈寬300微秒?？梢娫撈骷膶?shí)際測試圖


	 


	該測試曲線為一奇怪的測試曲線，在85A附近類似恒流趨勢，但是隨后曲線發(fā)生轉(zhuǎn)折，變成了近似恒壓曲線。敲開該mos管發(fā)現(xiàn)，內(nèi)部晶片僅芝麻粒大小。


	 


	    從手冊上可得該P(yáng)MOS管的電流可達(dá)74A，顯然此批料為假貨。如果購料后沒經(jīng)過測試即上機(jī)，幾乎必然出現(xiàn)炸管事故。


	我們再從本地電子市場購買一管IRF4905。如圖所示：


	 


	 


	再次用DF-80A型二極管正向特性測試儀測量ID-VDS曲線。參數(shù)同上：ID掃描范圍：0-100A，300us脈沖寬度。測量結(jié)果如下：該曲線與數(shù)據(jù)手冊的描述相符。


	 


	進(jìn)一步解剖結(jié)果顯示，該P(yáng)MOS管晶片面積大，且金屬部分呈紫銅色，與假芯片MOS管形成了鮮明對(duì)比。而且使用DF-80A型二極管正向壓降測試儀測試時(shí)，ID電流均是脈沖形式，平均功率很低，所以待測MOS管均不明顯發(fā)熱，保護(hù)器件不受損。


	 


	 


	選定了MOS管的供應(yīng)商后將挑選參數(shù)盡量一致的MOS管。圖為一塊具有16只IRF4905管的待測部件。


	 


	這些MOS管源較并聯(lián)，柵較通過電阻網(wǎng)絡(luò)連接，漏較懸空待測。測試方法同上。利用該軟件的Excel數(shù)據(jù)導(dǎo)出功能，可以很方便的比較每個(gè)MOS管的特性曲線。


	 


	    圖為16只MOS管的ID-VDS曲線，使用Excel的繪制折線圖功能生成。該曲線清晰展示了有4只mos管的導(dǎo)通電阻小于其余的MOS管，這些MOS管工作時(shí)將流過較大的電流，易受損。因此將這四只MOS管換新后，16條ID-VDS曲線近乎**重合，達(dá)到了并聯(lián)使用要求。


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