打臉！臺(tái)積電10nm相當(dāng)于英特爾12nm？

時(shí)間：2016-07-22作者：深圳芯易科技有限公司瀏覽：68

*得蘋(píng)果A10訂單的臺(tái)積電正歡呼雀躍的時(shí)候，有一個(gè)巴掌重重地打了過(guò)來(lái)：此前宣布的10nmFinFET工藝，居然只相等于英特爾的十二納米；那么，事實(shí)到底是怎么樣的呢？
前不久的股東大會(huì)上，臺(tái)積電CEO劉德音被美國(guó)分析師Brett Simpson（布雷特·辛普森）的一個(gè)問(wèn)題難住了：Brett Simpson竟然問(wèn)臺(tái)積電7nmFinFET工藝比起英特爾即將量產(chǎn)的10nm工藝，在性能特征上的差距。
“你得去問(wèn)我們的顧客，我無(wú)法為他們回答。”顯然，劉德音有點(diǎn)尷尬。如果是幾年前，這并不是問(wèn)題。根據(jù)摩爾定律，7nm工藝比10nm工藝制出的電晶體縮小一半，效能、耗電等各項(xiàng)指標(biāo)都大幅度追趕；可以說(shuō)，7nm工藝比10nm工藝良好一個(gè)世代。
而這位分析師的問(wèn)題，是**追趕了半導(dǎo)體業(yè)界遵循30年的摩爾定律范疇，被稱(chēng)為困擾業(yè)界多年的半導(dǎo)體工藝“魔術(shù)數(shù)字”問(wèn)題。業(yè)內(nèi)人士認(rèn)為，Brett Simpson在暗示，臺(tái)積電還未量產(chǎn)的7nm和英特爾10nm工藝，屬于同一世代的技術(shù)，也就是說(shuō)，臺(tái)積電10nm相當(dāng)于英特爾12nm。
對(duì)于Brett Simpson的說(shuō)法，不少臺(tái)積電的客戶(hù)都表示認(rèn)同。臺(tái)積電大客戶(hù)、世界較大IC設(shè)計(jì)公司高通**技術(shù)官M(fèi)att Grob (葛羅布)指出，*吃A10處理器的16納米工藝，是目前臺(tái)積電量產(chǎn)的較**工藝，僅相當(dāng)于英特爾的20納米工藝。
Matt Grob (葛羅布)表示，半導(dǎo)體行業(yè)中，晶圓代工廠(chǎng)商的工藝數(shù)字都經(jīng)過(guò)不同程度的“美化”，包括臺(tái)積電、三星以及格羅方德，他們的工藝數(shù)字都經(jīng)過(guò)不同程度的“優(yōu)化”。 結(jié)果是讓業(yè)界“非常困擾（芯易網(wǎng)注）。
“即使是高通內(nèi)部的會(huì)議簡(jiǎn)報(bào)，都不能直接套用晶圓代工廠(chǎng)公告的技術(shù)數(shù)字，而必須經(jīng)過(guò)換算。我們要問(wèn)清楚，這個(gè)硅晶圓上到底可以放多少個(gè)邏輯電路？”Matt Grob稱(chēng)。
一位*業(yè)者透露，聯(lián)發(fā)科內(nèi)部存在一套關(guān)于制程工藝的換算方式，從這個(gè)方式來(lái)看：臺(tái)積電的16nm和英特爾的20nm相等，10nm和英特爾的12nm相仿。同理，未來(lái)臺(tái)積電的7nm，可能會(huì)比英特爾要好一些。
臺(tái)積電早期采用的16nm FinFET工藝，原計(jì)劃是跟英特爾一樣成為20nm FinFET。因?yàn)槠?6nm工藝的電晶體較小線(xiàn)寬(half-pitch)，與**代量產(chǎn)的20nm 電晶體工藝差不多，只不過(guò)是換上全新的FinFET電晶體。
可以說(shuō)，整個(gè)半導(dǎo)體行業(yè)的晶圓代工廠(chǎng)基本是跟著因特爾的腳步。引發(fā)現(xiàn)在這種一個(gè)工藝，各自表述“混亂”場(chǎng)面的始作俑者是三星，時(shí)間是在之前的2、3年前，當(dāng)時(shí)整個(gè)產(chǎn)業(yè)導(dǎo)入全新的鰭式場(chǎng)效應(yīng)晶體管（FinFET）。
一位前臺(tái)積高階主管透露，同樣的（20nm）工藝，三星已搶先命名為“14納米”，如果臺(tái)積電還用20nm命名，肯定很吃虧?！拔覀冎辽儆悬c(diǎn)良心，不敢像三星那樣隨便命名”這位前臺(tái)積高層無(wú)奈稱(chēng)。
命名習(xí)慣被打亂之后，讓外行人很難搞懂，英特爾、臺(tái)積電、三星這半導(dǎo)體三雄的技術(shù)，哪個(gè)較**一點(diǎn)？例如，英特爾原先預(yù)計(jì)在*三季度發(fā)布的10納米工藝處理器，卻在不久前宣布延后至明年。因此，量產(chǎn)時(shí)間也將落后于臺(tái)積電量產(chǎn)的“10nm”工藝。
當(dāng)臺(tái)積電發(fā)布10nm FinFET工藝時(shí)，業(yè)內(nèi)人士大都明白，彼“10nm”不等于此“10nm”，目前，臺(tái)積電在技術(shù)上仍落后英特爾（至少）一個(gè)技術(shù)世代。不過(guò)，臺(tái)積電正在縮小和英特爾的技術(shù)差距，“我們認(rèn)為這些差距正在縮小，而且還會(huì)持續(xù)縮小?！备咄?*營(yíng)運(yùn)官戴瑞克說(shuō)道。


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