導(dǎo)電塑料電位器的導(dǎo)電機(jī)理(1)

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導(dǎo)電塑料電位器的導(dǎo)電機(jī)理
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    導(dǎo)電塑料電位器的導(dǎo)電機(jī)理的研究主要有兩個(gè)方面：一是導(dǎo)電通路的形成機(jī)理；二是導(dǎo)電通路形成后的室溫導(dǎo)電機(jī)理。其中，前者主要研究導(dǎo)電塑料內(nèi)的導(dǎo)電功能體如何通過相互接觸形成一條完整的導(dǎo)電通路；后者則主要研究導(dǎo)電通路形成后，所產(chǎn)生的“載流子”的微觀遷移過程及其遷移規(guī)律。
導(dǎo)電高分子復(fù)合材料的導(dǎo)電機(jī)理比較復(fù)雜。許多實(shí)驗(yàn)證明，盡管采用不同的制備方法、選取不同的基體材料的功能體，導(dǎo)電高分子復(fù)合材料卻表現(xiàn)出一種相似的性質(zhì)，即“滲濾閥值”現(xiàn)象。隨著導(dǎo)電功能體含量的增加，開始時(shí)體系的電導(dǎo)率增加較少。但導(dǎo)電功能體達(dá)到某一臨界含量（閥值）時(shí)復(fù)合體系的電導(dǎo)率將會(huì)急劇增加（有時(shí)可達(dá)近10個(gè)數(shù)量級(jí)）。在導(dǎo)電功能體的臨界含量附近體系電阻率的急劇下降，一般認(rèn)為是由于導(dǎo)電功能體形成大量導(dǎo)電通路引起的。因此，導(dǎo)電通路如何形成及導(dǎo)電功能體的臨界填充率與復(fù)合體系電阻率之間的關(guān)系便成為導(dǎo)電高分子復(fù)合材料研究中**關(guān)心的問題。[導(dǎo)電塑料電位器]許多學(xué)者提出了各種理論來解釋各自的實(shí)驗(yàn)結(jié)果，其理論大致可分為下面幾類模型。
1、	統(tǒng)計(jì)滲濾模型
[導(dǎo)電塑料電位器]統(tǒng)計(jì)滲濾模型大部分為幾何模型，即將基體才聊或填充材料抽象為具有某種形狀的分散體系，然后基體材料和填充材料按某種機(jī)理復(fù)合為整體，而且基體成為連續(xù)相，導(dǎo)電填充材料成為不同程度的連續(xù)相或分散相，并由此形成部分導(dǎo)電通道和導(dǎo)電隧道，在此基礎(chǔ)上，需找復(fù)合材料的電阻率與導(dǎo)電功能體含量之間的關(guān)系。
2、	熱力學(xué)模型
[導(dǎo)電塑料電位器]統(tǒng)計(jì)滲濾模型雖然可以大致解釋復(fù)合體系電阻率的變


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