雙向可控硅的伏安特性和檢測方法

時間：2015-09-29作者：武漢武整機電有限公司瀏覽：55

	      雙向可控硅-伏安特性


	      單向可控硅


	    （1）反向特性
      當(dāng)控制較開路，陽極加上反向電壓時，J2結(jié)正偏，但J1、J2結(jié)反偏。此時只能流過很小的反向飽和電流，當(dāng)電壓進一步提高到J1結(jié)的雪崩擊穿電壓后，接差J3結(jié)也擊穿，電流迅速增加，特性開始彎曲，如特性O(shè)R段所示，彎曲處的電壓URO叫“反向轉(zhuǎn)折電壓”。此時，可控硅會發(fā)生*性反向。


	    （2）正向特性


	      當(dāng)控制較開路，陽極上加上正向電壓時，J1、J3結(jié)正偏，但J2結(jié)反偏，這與普通PN結(jié)的反向特性相似，也只能流過很小電流，這叫正向阻斷狀態(tài)，當(dāng)電壓增加，特性發(fā)生了彎曲，如特性O(shè)A段所示，彎曲處的是UBO叫：正向轉(zhuǎn)折電壓，由于電壓升高到J2結(jié)的雪崩擊穿電壓后，J2結(jié)發(fā)生雪崩倍增效應(yīng)，在結(jié)區(qū)產(chǎn)生大量的電子和空穴，電子時入N1區(qū)，空穴時入P2區(qū)。進入N1區(qū)的電子與由P1區(qū)通過J1結(jié)注入N1區(qū)的空穴復(fù)合，同樣，進入P2區(qū)的空穴與由N2區(qū)通過J3結(jié)注入P2區(qū)的電子復(fù)合，雪崩擊穿，進入N1區(qū)的電子與進入P2區(qū)的空穴各自不能全部復(fù)合掉，這樣，在N1區(qū)就有電子積累，在P2區(qū)就有空穴積累，結(jié)果使P2區(qū)的電位升高，N1區(qū)的電位下降，J2結(jié)變成正偏，只要電流稍增加，電壓便迅速下降，出現(xiàn)所謂負(fù)阻特性。
      這時J1、J2、J3三個結(jié)均處于正偏，可控硅便進入正向?qū)щ姞顟B(tài)---通態(tài)，此時，它的特性與普通的PN結(jié)正向特性相似
      雙向可控硅-檢測方法       


	      DIP4管腳型ZC三端雙向可控硅光電耦合器利用萬用表RXl檔判定雙向可控硅電極的方法，同時還檢查觸發(fā)能力。



	      1.判定T2較
      G較與T1較靠近，距T2較較遠。因此，G—T1之間的正、反向電阻都很小。在肦Xl檔測任意兩腳之間的電阻時，只有在G-T1之間呈現(xiàn)低阻，正、反向電阻僅幾十歐，而T2-G、T2-T1之間的正、反向電阻均為無窮大。這表明，如果測出某腳和其他兩腳都不通，就肯定是T2較。另外，采用TO—220封裝的雙向可控硅，T2較通常與小散熱板連通，據(jù)此亦可確定T2較。
      2．區(qū)分G較和T1較
      (1)找出T2較之后，首先假定剩下兩腳中某一腳為Tl較，另一腳為G較。
      (2)把黑表筆接T1較，紅表筆接T2較，電阻為無窮大。接著用紅表筆尖把T2與G短路，給G較加上負(fù)觸發(fā)信號，電阻值應(yīng)為十歐左右，證明管子已經(jīng)導(dǎo)通，導(dǎo)通方向為T1一T2。再將紅表筆尖與G較脫開(但仍接T2)，若電阻值保持不變，證明管子在觸發(fā)之后能維持導(dǎo)通狀態(tài)。



	


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• 詞條

  詞條說明

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  為什么可控硅容易擊穿？ 很多企業(yè)都在使用可控硅，可是有些企業(yè)的可控硅特別容易燒壞呢？下面就由我為大家一一介紹可控硅被擊穿的各種原因： 1、過壓擊穿： 過壓擊穿是可控硅擊穿的主要原因之一，可控硅對過壓的承受能力幾乎是沒有時間的，即使在幾毫秒的短時間內(nèi)過壓也會被擊穿的，因此實際應(yīng)用電路中，在可控硅兩端一定要接入RC吸收回路，以避免各種無規(guī)則的干擾脈沖所引起的瞬間過壓。如果經(jīng)常發(fā)生可控硅擊穿，請檢查一

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  固態(tài)繼電器或模塊的發(fā)熱量主要跟所驅(qū)動的負(fù)載的實際電流有關(guān)，而與其本身的電流等級大小關(guān)系不大。??????發(fā)熱量的計算公式(兩種)： 1：單相固態(tài)繼電器、單相交流調(diào)壓模塊、R系列固體調(diào)壓器 發(fā)熱量=實際負(fù)載電流（安培）×1.5瓦/安培 對三相固態(tài)繼電器、三相交流調(diào)壓模塊，其實際負(fù)載電流應(yīng)為三相實際負(fù)載電流之和。 2：對于單相全控整流模塊