PN8386產(chǎn)品描述:
PN8386集成**低待機(jī)功耗準(zhǔn)諧振原邊控制器及650V高雪崩能力智能功率MOSFET,用于高性能、外圍元器件精簡(jiǎn)的充電器、適配器和內(nèi)置電源。PN8386為原邊反饋工作模式,可省略光耦和TL431。內(nèi)置高壓?jiǎn)?dòng)電路,可實(shí)現(xiàn)芯片空載損耗(264VAC)小于50mW。在恒壓模式,采用準(zhǔn)諧振與多模式技術(shù)提高效率并消除音頻噪聲,使得系統(tǒng)滿足6級(jí)能效標(biāo)準(zhǔn),可調(diào)輸出線補(bǔ)償功能能使系統(tǒng)獲得較好的負(fù)載調(diào)整率;在恒流模式,輸出電流和功率可通過CS腳的電阻進(jìn)行調(diào)節(jié)。該芯片提供了較為全面的智能保護(hù)功能,包含逐周期過流保護(hù)、過壓保護(hù)、開環(huán)保護(hù)、過溫保護(hù)、輸出短路保護(hù)和CS開/短路保護(hù)等。
PN8386產(chǎn)品特點(diǎn):
內(nèi)置650V高雪崩能力的功率MOSFET
內(nèi)置高壓?jiǎn)?dòng)電路小于50MW空載損耗(264V AC)
采用準(zhǔn)諧振與多模式技術(shù)提高效率滿足6級(jí)能效標(biāo)準(zhǔn)
全電壓輸入范圍±5%的CC/CV精度
原邊反饋可省光耦和TL431
恒流恒壓輸出線補(bǔ)償外部可調(diào)
*額外補(bǔ)償電容
無音頻噪聲
智能保護(hù)功能
過溫保護(hù)(OTP)
VDD欠壓&過壓保護(hù) (UVLO&OVP)
逐周期過流保護(hù) (OCP)
CS開/短路保護(hù) (CS O/SP)
開環(huán)保護(hù) (OLP)
PN8386廣泛應(yīng)用于:
開關(guān)電源適配器
電池充電器
機(jī)頂盒電源
深圳市驪微電子科技以電源方案服務(wù)中小功率電源廠家,有著5V 1A、5V 2A、12V 2A系列電源方案,為廣大客戶提供優(yōu)質(zhì)的方案服務(wù),你可以搜索進(jìn)一步了解。
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詞條說明
AP8022產(chǎn)品描述:AP8022A芯片內(nèi)部集成了脈寬調(diào)制控制品和功率MOSFET,適用于小功率離線開關(guān)電源,該芯片提供了完整的智能保護(hù)功能,包括過流保護(hù),過壓保護(hù),欠壓保護(hù),過溫保護(hù),突發(fā)模式能夠降低系統(tǒng)處于待機(jī)模式的功耗。該芯片還內(nèi)置高壓?jiǎn)?dòng)模塊,保證系統(tǒng)能*啟動(dòng)。 AP8022產(chǎn)品特點(diǎn):滿足85-265V寬AC輸入工作電壓?jiǎn)涡酒?30V功率MOSFET內(nèi)部集成了高壓?jiǎn)?dòng)電路9.5-37
AP8266 IC 是一款高集成度的電流模式PWM控制芯片,具有高性能、低待機(jī)功耗、低成本等特點(diǎn)。AP8266 IC 內(nèi)置 綠色的降頻工作模式,根據(jù)負(fù)載情況調(diào)節(jié)工作頻率,減少了開關(guān)損耗,從而獲得較低的待機(jī)功耗的較高的轉(zhuǎn)換效率。同時(shí)AP8266 IC 提供了豐富的保護(hù),包括:逐周期過流保護(hù)、過壓保護(hù)、過壓箝位、欠壓鎖存、過溫保護(hù)、過載保護(hù),同時(shí)具有軟啟動(dòng)和間歇工作模式功能。一旦出現(xiàn)故障,芯片進(jìn)入自動(dòng)
高集成18W PD快充充電器方案批量出貨:數(shù)十款產(chǎn)品爭(zhēng)相采用
隨著USB PD快充市場(chǎng)興起,消費(fèi)類電子較新迭代速度加快,18W PD快充*便成為了目前市面上能見度較高的快充電源產(chǎn)品之一,本土電源芯片公司芯朋也看準(zhǔn)了這一市場(chǎng)需求,推出了18W PD快充高集成度解決方案,投入市場(chǎng)僅一年左右時(shí)間,**了不錯(cuò)的市場(chǎng)成績(jī)。?原邊芯片PN8161內(nèi)部集成了準(zhǔn)諧振工作的電流模式控制器和功率MOSFET,**于高性能、外圍元器件精簡(jiǎn)的交直流轉(zhuǎn)換開關(guān)電源。該芯片提
PN8161概述:PN8161內(nèi)部集成了準(zhǔn)諧振工作的電流模式控制器和功率MOSFET,**于高性能、外圍元器件精簡(jiǎn)的交直流轉(zhuǎn)換開關(guān)電源。該芯片提供了較為全面和性能優(yōu)異的智能化保護(hù)功能,包括輸出過壓保護(hù)、周期式過流保護(hù)、過載保護(hù)、軟啟動(dòng)功能。通過QR-PWM、QR-PFM、Burst-mode的三種模式混合調(diào)制技術(shù)和特殊器件低功耗結(jié)構(gòu)技術(shù)實(shí)現(xiàn)了**低的待機(jī)功耗、全電壓范圍下的較佳效率。頻率調(diào)制技術(shù)和S
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