MOS管失效原因是什么？

時(shí)間：2019-12-18作者：司坦森集成電路（深圳）有限公司瀏覽：559

MOS管是金屬（metal）—氧化物（oxide）—半導(dǎo)體（semiconductor）場效應(yīng)晶體管，或者稱是金屬—絕緣體（insulator） —半導(dǎo)體。MOS管的source和drain是可以對調(diào)的，他們都是在P型backgate中形成的N型區(qū)。在多數(shù)情況下，這個(gè)兩個(gè)區(qū)是一樣的，即使兩 端對調(diào)也不會(huì)影響器件的性能。這樣的器件被認(rèn)為是對稱的。


目前在市場應(yīng)用方面，排名**的是消費(fèi)類電子電源適配器產(chǎn)品。而MOS管的應(yīng)用領(lǐng)域排名*二的是計(jì)算機(jī)主板、NB、計(jì)算機(jī)類適配器、LCD顯示器等產(chǎn)品，隨著國情的發(fā)展計(jì)算機(jī)主板、計(jì)算機(jī)類適配器、LCD顯示器對MOS管的需求有要**過消費(fèi)類電子電源適配器的現(xiàn)象了。




*三的就屬網(wǎng)絡(luò)通信、工業(yè)控制、汽車電子以及電力設(shè)備領(lǐng)域了，這些產(chǎn)品對于MOS管的需求也是很大的，特別是現(xiàn)在汽車電子對于MOS管的需求直追消費(fèi)類電子了。






下面對MOS失效的原因總結(jié)以下六點(diǎn)，然后對1，2重點(diǎn)進(jìn)行分析：


1：雪崩失效（電壓失效），也就是我們常說的漏源間的BVdss電壓**過MOSFET的額定電壓，并且**過達(dá)到了一定的能力從而導(dǎo)致MOSFET失效。
2：SOA失效（電流失效），既**出MOSFET安全工作區(qū)引起失效，分為Id**出器件規(guī)格失效以及Id過大，損耗過高器件長時(shí)間熱積累而導(dǎo)致的失效。
3：體二極管失效：在橋式、LLC等有用到體二極管進(jìn)行續(xù)流的拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)中，由于體二極管遭受破壞而導(dǎo)致的失效。
4：諧振失效：在并聯(lián)使用的過程中，柵較及電路寄生參數(shù)導(dǎo)致震蕩引起的失效。
5：靜電失效：在秋冬季節(jié)，由于人體及設(shè)備靜電而導(dǎo)致的器件失效。
6：柵較電壓失效：由于柵較遭受異常電壓尖峰，而導(dǎo)致柵較柵氧層失效。


雪崩失效分析（電壓失效）


到底什么是雪崩失效呢，簡單來說MOSFET在電源板上由于母線電壓、變壓器反射電壓、漏感尖峰電壓等等系統(tǒng)電壓疊加在MOSFET漏源之間，導(dǎo)致的一種失效模式。簡而言之就是由于就是MOSFET漏源較的電壓**過其規(guī)定電壓值并達(dá)到一定的能量限度而導(dǎo)致的一種常見的失效模式。




下面的圖片為雪崩測試的等效原理圖，做為電源工程師可以簡單了解下。






可能我們經(jīng)常要求器件生產(chǎn)廠家對我們電源板上的MOSFET進(jìn)行失效分析，大多數(shù)廠家都僅僅給一個(gè)EAS.EOS之類的結(jié)論，那么到底我們怎么區(qū)分是否是雪崩失效呢，下面是一張經(jīng)過雪崩測試失效的器件圖，我們可以進(jìn)行對比從而確定是否是雪崩失效。


雪崩失效的預(yù)防措施


雪崩失效歸根結(jié)底是電壓失效，因此預(yù)防我們著重從電壓來考慮。具體可以參考以下的方式來處理。


1：合理降額使用，目前行業(yè)內(nèi)的降額一般選取80%-95%的降額，具體情況根據(jù)企業(yè)的保修條款及電路關(guān)注點(diǎn)進(jìn)行選取。
2：合理的變壓器反射電壓。
3：合理的RCD及TVS吸收電路設(shè)計(jì)。
4：大電流布線盡量采用粗、短的布局結(jié)構(gòu)，盡量減少布線寄生電感。
5：選擇合理的柵較電阻Rg。
6：在大功率電源中，可以根據(jù)需要適當(dāng)?shù)募尤隦C減震或齊納二極管進(jìn)行吸收。


SOA失效（電流失效）


再簡單說下*二點(diǎn)，SOA失效


SOA失效是指電源在運(yùn)行時(shí)異常的大電流和電壓同時(shí)疊加在MOSFET上面，造成瞬時(shí)局部發(fā)熱而導(dǎo)致的破壞模式。或者是芯片與散熱器及封裝不能及時(shí)達(dá)到熱平衡導(dǎo)致熱積累，持續(xù)的發(fā)熱使溫度**過氧化層限制而導(dǎo)致的熱擊穿模式。


關(guān)于SOA各個(gè)線的參數(shù)限定值可以參考下面圖片。


1：受限于較大額定電流及脈沖電流
2：受限于較大節(jié)溫下的RDSON。
3：受限于器件較大的耗散功率。
4：受限于較大單個(gè)脈沖電流。
5：擊穿電壓BVDSS限制區(qū)


我們電源上的MOSFET，只要保證能器件處于上面限制區(qū)的范圍內(nèi)，就能有效的規(guī)避由于MOSFET而導(dǎo)致的電源失效問題的產(chǎn)生。


這個(gè)是一個(gè)非典型的SOA導(dǎo)致失效的一個(gè)解刨圖，由于去過鋁，可能看起來不那么直接，參考下。




SOA失效的預(yù)防措施：


1：確保在較差條件下，MOSFET的所有功率限制條件均在SOA限制線以內(nèi)。
2：將OCP功能一定要做精確細(xì)致。




在進(jìn)行OCP點(diǎn)設(shè)計(jì)時(shí)，一般可能會(huì)取1.1-1.5倍電流余量的工程師居多，然后就根據(jù)IC的保護(hù)電壓比如0.7V開始調(diào)試RSENSE電阻。有些有經(jīng)驗(yàn)的人會(huì)將檢測延遲時(shí)間、CISS對OCP實(shí)際的影響考慮在內(nèi)。但是此時(shí)有個(gè)較值得關(guān)注的參數(shù)，那就是MOSFET的Td（off）。它到底有什么影響呢，我們看下面FLYBACK電流波形圖（圖形不是太清楚，十分抱歉，建議雙擊放大觀看）。






從圖中可以看出，電流波形在快到電流尖峰時(shí)，有個(gè)下跌，這個(gè)下跌點(diǎn)后又有一段的上升時(shí)間，這段時(shí)間其本質(zhì)就是IC在檢測到過流信號執(zhí)行關(guān)斷后，MOSFET本身也開始執(zhí)行關(guān)斷，但是由于器件本身的關(guān)斷延遲，因此電流會(huì)有個(gè)二次上升平臺，如果二次上升平臺過大，那么在變壓器余量設(shè)計(jì)不足時(shí)，就較有可能產(chǎn)生磁飽和的一個(gè)電流沖擊或者電流**器件規(guī)格的一個(gè)失效。




3：合理的熱設(shè)計(jì)余量，這個(gè)就不多說了，各個(gè)企業(yè)都有自己的降額規(guī)范，嚴(yán)格執(zhí)行就可以了，不行就加散熱器。

現(xiàn)在你明白了嗎？？


司坦森集成電路（深圳）有限公司專注于STP6621,STN4438等

• 詞條

  詞條說明

• stasnon 原廠STC4606規(guī)格參數(shù)NP30V 6.5A大量現(xiàn)貨

  STANSONSTC4606可替代型號：STC4606替代Si4532CDY、AO4606、NCE4606、AO4616、AO4624、FDS8958、WSP4620、SM9435PSK、GF6706A、AO4627、AO4629、UD4606、UP2790STC4606產(chǎn)品介紹：stc4606是N和P溝道采用高密度增強(qiáng)型功率場效應(yīng)晶體管DMOS器件溝道技術(shù)。這種高密度的過程，特別是量身定制，以盡

• STANSON原廠STP6621規(guī)格 P60V 10A 23mΩ SOP-8應(yīng)用于掃地機(jī)

  STP6621規(guī)格和產(chǎn)品介紹：stp6621是P溝道增強(qiáng)型功率場效應(yīng)晶體管邏輯的采用高密度，DMOS器件溝道技術(shù)。這種高密度過程是特別定制，以盡量減少對國家的阻力。這些器件特別適合于低電壓應(yīng)用，noteook電源管理和**電池供電的電路中的高側(cè)開關(guān)特征- 60V / -10.0a，RDS（上）= 23m??（典型值）@ VGS = - 10V- 60V / -8.0a RDS（ON）＝28m??@

• STN4828 **0V 10A STANSON 原廠替代Si4900、AO4828

  STANSON/司坦森原廠 STN4828替代Si4900、AO4828、STM6930、MDS5951、SM4041DSK、Si9945BDY、Si4946CDY描述STN4828是雙N溝道邏輯增強(qiáng)型功率場效應(yīng)晶體管是利用高密度，DMOS器件溝道技術(shù)。這種高密度的過程，特別是量身定制，以盡量減少對狀態(tài)的阻力。這些裝置特別適合于低電壓應(yīng)用，筆記本電腦電源管理和其他電池供電的電路，高側(cè)開關(guān)特征60V

• 原廠STC4614 規(guī)格NP40V 10A 25mΩ SOP-8應(yīng)用于按摩器主板

  STC4614可替代其它品牌：STC4616替代AO4611、Si4567、AO4614A、UD606、UTM4052、UD4614、Si4599DY、Si4564DY、SN4066CSK、STC4614產(chǎn)品介紹STC4614是N和P溝道采用高密度增強(qiáng)型功率場效應(yīng)晶體管DMOS器件溝道技術(shù)。這種高密度的過程，特別是量身定制，以盡量減少對狀態(tài)的阻力并提供優(yōu)越的開關(guān)性能。該裝置特別適合于低電壓應(yīng)用如筆