STC6614替代Si4559ADY、SM6041SCK
描述
stc6614是N和P溝道采用高密度增強(qiáng)型功率場效應(yīng)晶體管
DMOS器件溝道技術(shù)。這種高密度的過程,特別是量身定制,以盡量減少對狀態(tài)的阻力
并提供優(yōu)越的開關(guān)性能。該裝置特別適合于低電壓應(yīng)用
如筆記本電腦電源管理和其他電池供電電路,在高側(cè)
開關(guān),低的在線功率損耗和電阻瞬態(tài)是必要的。
特征
N溝道
60V /幅,RDS(ON)= 35mΩ(典型值)
@ VGS = 10V
60V / 4.0A,RDS(ON)= 40mΩ
@ VGS = 4.5V
P溝道
- 60V / -5.0a,RDS(上)= 60mΩ(典型值)
@ VGS = - 10V
- 60V / -3.0a,RDS(上)= 80mΩ
@ VGS = 4.5v
**高密度電池設(shè)計
較低的RDS(on)
特殊的阻力和較大
直流電流的能力
SOP-8封裝
詞條
詞條說明
STANSON原廠現(xiàn)貨STP4435參數(shù)P30V 10A用于車燈 可替代Si9804、AO4419
STP4435A替代Si9804、AO4419、AO4411、Si4425、Si4435、Si4431、AO4405E、AO4449、FDS8435、FDS4435、FDS6675、AO4405、Si4431CDY、SM4310PSK、SM4915PSK、AO4415、AO4459描述stp4435是P溝道增強(qiáng)型功率場效應(yīng)晶體管邏輯它是利用高密度,DMOS器件溝道技術(shù)。這種高密度過程是特別定制,以
STC6301D是采用高電池密度的N+P雙溝道增強(qiáng)模式電場效應(yīng)晶體管mos戰(zhàn)壕技術(shù)。這種高密度的過程特別適合將狀態(tài)阻力降到低并提供優(yōu)越的切換性能。這種裝置特別適用于低壓應(yīng)用如電源管理,其中高側(cè)開關(guān)、低在線功率損耗和暫態(tài)電阻是被需要的。特征N溝道60v/8.00a,rd(上)=37mr@vgs=10v60v/5.0a,rd=28mω@vgs=4.5vP-溝道-60v/-5.0a,RDS=46mω@v
司坦森已經(jīng)建立了直接的技術(shù)支持團(tuán)隊,戰(zhàn)略定位在美國、臺北和深圳。 我們提供完整的系統(tǒng)級支持,包括客戶板的設(shè)計和布局,為客戶快速投放市場的生產(chǎn)調(diào)試。我們經(jīng)驗豐富的本地技術(shù)人員包括現(xiàn)場銷售工程師,現(xiàn)場應(yīng)用工程師,具有各種消費(fèi)和工業(yè)產(chǎn)品設(shè)計的背景。 Stanson可以實(shí)時提供系統(tǒng)設(shè)計、具體應(yīng)用建議和系統(tǒng)調(diào)試服務(wù)。我們努力成為我們的客戶,特別是在新產(chǎn)品開發(fā)領(lǐng)域的較佳合作伙伴。 Stanson has es
STC6301D 替代AOD603D、AOD603A、SM6042CSU
STANSON 閩臺司坦森原廠直銷 長期庫存充足,價格優(yōu)美,質(zhì)量保證STC4301D替代AO606,AO609,FKD4903STC6301D可替代 AOD603D,AOD603A,SM6042CSU4說明STC6301d是采用高電池密度的n&p通道增強(qiáng)模式電場效應(yīng)晶體管mos戰(zhàn)壕技術(shù)。這種高密度的過程特別適合將狀態(tài)阻力降到較低并提供優(yōu)越的切換性能。這種裝置特別適用于低壓應(yīng)用如電源管理,其
公司名: 司坦森集成電路(深圳)有限公司
聯(lián)系人: 唐二林
電 話: 13168017351
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2SK2504用ST16N10替換,N100V 16A TO-252
AO3442 Si2328DS 用ST1004SRG替換,N100V ,2A SOT-23
ST2341A P30V 6A SOT-23-3L STANSON 原廠 免費(fèi)試樣
STP605D P60V 15A TO-252 STANSON 原廠當(dāng)天出貨
STN4828 雙**0V SOP-8 司坦森原廠當(dāng)天出貨
司坦森原廠ST3422A N 60V 6A SOT-23-3L,免費(fèi)試樣
STC4614 N+P 40V STANSON原廠當(dāng)天出貨
VS6018AS用STN4260替換,**0V 18A SOP-8
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