STP413D P40V 12A用于掃地機 可替代AOD413A、UT5504、UTD413

時間：2020-01-05作者：司坦森集成電路（深圳）有限公司瀏覽：182

STP413D TO-252 P40V 12A替代UT5504、UTD413閩臺司坦森原廠直銷

描述
STP413D是P溝道增強型功率場效應晶體管邏輯的
采用高密度，DMOS器件溝道技術。的stp413d已
特別設計，以提高直流/直流轉換器的整體效率，無論是使用
同步或傳統(tǒng)的開關型脈寬調制控制器。它已被優(yōu)化為低
柵電荷，低的RDS（on）和快速開關速度。

特征
-40V / -12.0a，RDS（上）= 36mΩ（典型值
@ VGS = - 10V
-40V / -8.0a RDS（ON）= 52mΩ
@ VGS = 4.5v
**高密度電池設計
較低的RDS（on）特殊的阻力和

較大直流電流能力


to-251 TO-252、包裝設計





司坦森集成電路（深圳）有限公司專注于STP6621,STN4438等

• 詞條

  詞條說明

• 原廠STC4614 規(guī)格NP40V 10A 25mΩ SOP-8應用于按摩器主板

  STC4614可替代其它品牌：STC4616替代AO4611、Si4567、AO4614A、UD606、UTM4052、UD4614、Si4599DY、Si4564DY、SN4066CSK、STC4614產(chǎn)品介紹STC4614是N和P溝道采用高密度增強型功率場效應晶體管DMOS器件溝道技術。這種高密度的過程，特別是量身定制，以盡量減少對狀態(tài)的阻力并提供優(yōu)越的開關性能。該裝置特別適合于低電壓應用如筆

• 司坦森/STANSON 細說MOS管

  一、什么是MOS管？MOS管全稱金屬—氧化物—半導體場效應晶體管或稱金屬—絕緣體—半導體場效應晶體管，英文名metal oxide semiconductor，屬于場效應管中的絕緣柵型，因此，MOS管有時候又稱為絕緣柵場效應管。二、MOS管的構造。MOS管這個器件有兩個電極，分別是漏較D和源較S，無論是圖一的N型還是圖二的P型都是一塊摻雜濃度較低的P型半導體硅襯底上，用半導體光刻、擴散工藝制作兩個

• STN454D TO-252 N40V 10A 規(guī)格書 中文資料PDF

  ??溝槽式場效電晶體 Trench_MOSFET ( TO-251/TO-252)Part No.TYPEVDSSVGSVTHIDSRDS(Max)PDPackageData SheetMinMax25°C10V4.5V2.5V1.8V5.0V25°CVVVVAm Ωm Ωm Ωm Ωm ΩWSTN454DN402013102530---50TO-252BitmapST9435A替代Si

• STANSON原廠STP6621規(guī)格 P60V 10A 23mΩ SOP-8應用于掃地機

  STP6621規(guī)格和產(chǎn)品介紹：stp6621是P溝道增強型功率場效應晶體管邏輯的采用高密度，DMOS器件溝道技術。這種高密度過程是特別定制，以盡量減少對國家的阻力。這些器件特別適合于低電壓應用，noteook電源管理和**電池供電的電路中的高側開關特征- 60V / -10.0a，RDS（上）= 23m??（典型值）@ VGS = - 10V- 60V / -8.0a RDS（ON）＝28m??@