MOS管和IGBT管有什么區(qū)別?不看就虧大了

    在電子電路中,MOS管和IGBT管會(huì)經(jīng)常出現(xiàn),它們都可以作為開(kāi)關(guān)元件來(lái)使用,MOS管和IGBT管在外形及特性參數(shù)也比較相似,那為什么有些電路用MOS管?而有些電路用IGBT管?
    
    下面北京捷拓紫荊科技有限公司帶您解一下,MOS管和IGBT管到底有什么區(qū)別吧!
    
    什么是MOS管?
    
    場(chǎng)效應(yīng)管主要有兩種類型,分別是結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管(JFET)和絕緣柵場(chǎng)效應(yīng)管(MOS管)。
    
    
    MOS管即MOSFET,中文全稱是金屬-氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管,由于這種場(chǎng)效應(yīng)管的柵較被絕緣層隔離,所以又叫絕緣柵場(chǎng)效應(yīng)管。
    
    MOSFET又可分為N溝耗盡型和增強(qiáng)型;P溝耗盡型和增強(qiáng)型四大類。
    
    
    ▲ MOSFET種類與電路符號(hào)
    
    有的MOSFET內(nèi)部會(huì)有個(gè)二極管,這是體二極管,或者叫寄生二極管、續(xù)流二極管。
    
    
    關(guān)于寄生二極管的作用,有兩種解釋:
    
    1、MOSFET的寄生二極管,作用是防止VDD過(guò)壓的情況下,燒壞MOS管,因?yàn)樵谶^(guò)壓對(duì)MOS管造成破壞之前,二極管先反向擊穿,將大電流直接到地,從而避免MOS管被燒壞。
    
    2、防止MOS管的源較和漏較反接時(shí)燒壞MOS管,也可以在電路有反向感生電壓時(shí),為反向感生電壓提供通路,避免反向感生電壓擊穿MOS管。
    
    MOSFET具有輸入阻抗高、開(kāi)關(guān)速度快、熱穩(wěn)定性好、電壓控制電流等特性,在電路中,可以用作放大器、電子開(kāi)關(guān)等用途。
    
    什么是IGBT?
    
    IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor),絕緣柵雙較型晶體管,是由晶體三極管和MOS管組成的復(fù)合型半導(dǎo)體器件。
    
    IGBT作為新型電子半導(dǎo)體器件,具有輸入阻抗高,電壓控制功耗低,控制電路簡(jiǎn)單,耐高壓,承受電流大等特性,在各種電子電路中獲得較廣泛的應(yīng)用。
    
    
    IGBT的電路符號(hào)*今并未統(tǒng)一,畫(huà)原理圖時(shí)一般是借用三極管、MOS管的符號(hào),這時(shí)可以從原理圖上標(biāo)注的型號(hào)來(lái)判斷是IGBT還是MOS管。
    
    同時(shí)還要注意IGBT有沒(méi)有體二極管,圖上沒(méi)有標(biāo)出并不表示一定沒(méi)有,除非官方資料有特別說(shuō)明,否則這個(gè)二極管都是存在的。
    
    
    IGBT內(nèi)部的體二極管并非寄生的,而是為了保護(hù)IGBT脆弱的反向耐壓而特別設(shè)置的,又稱為FWD(續(xù)流二極管)。
    
    判斷IGBT內(nèi)部是否有體二極管也并不困難,可以用萬(wàn)用表測(cè)量IGBT的C較和E較,如果IGBT是好的,C、E兩較測(cè)得電阻值無(wú)窮大,則說(shuō)明IGBT沒(méi)有體二極管。
    
    IGBT非常適合應(yīng)用于如交流電機(jī)、變頻器、開(kāi)關(guān)電源、照明電路、牽引傳動(dòng)等領(lǐng)域。
    
    MOS管和IGBT的結(jié)構(gòu)特點(diǎn)
    
    MOS管和IGBT管的內(nèi)部結(jié)構(gòu)如下圖所示。
    
    
    IGBT是通過(guò)在MOSFET的漏較上追加層而構(gòu)成的。
    
    IGBT的理想等效電路如下圖所示,IGBT實(shí)際就是MOSFET和晶體管三極管的組合,MOSFET存在導(dǎo)通電阻高的缺點(diǎn),但I(xiàn)GBT克服了這一缺點(diǎn),在高壓時(shí)IGBT仍具有較低的導(dǎo)通電阻。
    
    
    另外,相似功率容量的IGBT和MOSFET,IGBT的速度可能會(huì)慢于MOSFET,因?yàn)镮GBT存在關(guān)斷拖尾時(shí)間,由于IGBT關(guān)斷拖尾時(shí)間長(zhǎng),死區(qū)時(shí)間也要加長(zhǎng),從而會(huì)影響開(kāi)關(guān)頻率。(北京捷拓紫荊科技有限公司原創(chuàng))

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  • MOS管和IGBT管有什么區(qū)別?不看就虧大了

    在電子電路中,MOS管和IGBT管會(huì)經(jīng)常出現(xiàn),它們都可以作為開(kāi)關(guān)元件來(lái)使用,MOS管和IGBT管在外形及特性參數(shù)也比較相似,那為什么有些電路用MOS管?而有些電路用IGBT管? 下面北京捷拓紫荊科技有限公司帶您解一下,MOS管和IGBT管到底有什么區(qū)別吧! 什么是MOS管? 場(chǎng)效應(yīng)管主要有兩種類型,分別是結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管(JFET)和絕緣柵場(chǎng)效應(yīng)管(MOS管)。 MOS管即MOSFET,中文全稱是金屬

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