1.1一般說(shuō)明 Cypress S25FL127S設(shè)備是一種閃存非易失性存儲(chǔ)器產(chǎn)品,使用: ? MirrorBit技術(shù)-在每個(gè)存儲(chǔ)陣列晶體管中存儲(chǔ)兩個(gè)數(shù)據(jù)位 ? Eclipse體系結(jié)構(gòu)—顯著提高程序和擦除性能 ? 65nm工藝光刻 此設(shè)備通過(guò)串行外圍設(shè)備接口(SPI)連接到主機(jī)系統(tǒng)。支持傳統(tǒng)的SPI單位串行輸入和輸出(單I/O或SIO)以及可選的兩位(雙I/O或DIO)和四位(QuadI/O或QIO)串行命令。這個(gè)多寬接口稱為SPI多I/O或MIO。 Eclipse架構(gòu)具有一個(gè)頁(yè)面編程緩沖區(qū),允許在一個(gè)操作中編程多達(dá)128個(gè)字(256個(gè)字節(jié))或256個(gè)字(512個(gè)字節(jié)),從而產(chǎn)生比上一代SPI程序或擦除算法較快的有效編程和擦除。 直接從閃存執(zhí)行代碼通常被稱為就地執(zhí)行或XIP。通過(guò)在較高的時(shí)鐘速率下使用FL-S設(shè)備,使用QIO命令,指令讀取傳輸速率可以匹配或**過(guò)傳統(tǒng)的并行接口、異步或閃存,同時(shí)顯著減少信號(hào)計(jì)數(shù)。 S25FL127S產(chǎn)品提供了高密度的產(chǎn)品,以及各種嵌入式應(yīng)用程序所需的靈活性和快速性能。它非常適合用于代碼陰影、XIP和數(shù)據(jù)存儲(chǔ)。 特征 ? CMOS 3.0伏磁芯 ? 密度 –128兆字節(jié)(16兆字節(jié)) ? 具有多I/O的串行外圍接口(SPI) –SPI時(shí)鐘極性和相位模式0和3 –擴(kuò)展尋址:24位或32位地址選項(xiàng) –串行命令集和封裝外形與兼容 S25FL-A, S25FL-K和S25FL-P SPI系列 –多I/O命令集和封裝外形與兼容 S25FL-P SPI系列 ? 讀取命令 –普通、快速、雙路、四路 –自動(dòng)啟動(dòng)-通電或重置,并執(zhí)行正常或 在預(yù)選位置自動(dòng)執(zhí)行四元讀取命令 地址 –用于配置的通用閃存接口(CFI)數(shù)據(jù)信息。 ? 編程(0.8 Mbytes/s) –256字節(jié)或512字節(jié)頁(yè)面編程緩沖區(qū)選項(xiàng) –用于慢時(shí)鐘的四輸入頁(yè)編程(QPP) 系統(tǒng) –自動(dòng)ECC-內(nèi)部硬件錯(cuò)誤糾正代碼單比特糾錯(cuò)生成 ? 擦除(0.5 Mbytes/s) –混合扇區(qū)大小選項(xiàng)-十六個(gè)4-kbyte的物理集地址空間**部或底部的扇區(qū),包含所有剩余的64 KB扇區(qū) –統(tǒng)一扇區(qū)選項(xiàng)-始終擦除256 KB的數(shù)據(jù)塊 軟件與較高密度和未來(lái)的兼容性 設(shè)備。 ? 自行車耐力 –每個(gè)扇區(qū)至少100000個(gè)程序擦除周期 ? 數(shù)據(jù)保留 –至少20年的數(shù)據(jù)保留期 ? 安全特性 –1024字節(jié)的一次性程序(OTP)陣列 –塊保護(hù): –狀態(tài)寄存器位,用于控制對(duì)故障的保護(hù) 連續(xù)扇區(qū)范圍的編程或擦除。 –硬件和軟件控制選項(xiàng) –**扇區(qū)保護(hù)(ASP) –單個(gè)扇區(qū)保護(hù)由引導(dǎo)代碼或 密碼 ? 柏樹? 使用Eclipse的65 nm鏡像位技術(shù)? 建筑學(xué) ? 電源電壓:2.7V至3.6V ? 溫度范圍: –工業(yè)(-40°C至+85°C) –工業(yè)溫度升高(-40°C至+105°C) –汽車AEC-Q100 3級(jí)(-40°C至+85°C) –汽車AEC-Q100 2級(jí)(-40°C至+105°C) ? 包裝(全部無(wú)鉛) –8芯SOIC(208密耳) –16芯SOIC(300密耳) –6 x 5毫米上的8觸點(diǎn)傳感器 –BGA-24 6 x 8毫米 –5 x 5球(FAB024)和4 x 6球(FAC024)占地面積 選擇權(quán) –已知良好模具和已知測(cè)試模具
詞條
詞條說(shuō)明
供應(yīng)原裝** UCC27423DGNR UCC27423 封裝SOP8 驅(qū)動(dòng)器芯片IC
描述 UCC2742x系列高速雙MOSFET驅(qū)動(dòng)器可以向電容性負(fù)載提供大峰值電流。提供三種標(biāo)準(zhǔn)邏輯選項(xiàng)–雙逆變、雙同相、一個(gè)逆變和一個(gè)同相驅(qū)動(dòng)器。熱增強(qiáng)型8針PowerPAD? MSOP封裝(DGN)可降低熱阻,提高長(zhǎng)期可靠性。它還提供標(biāo)準(zhǔn)SOIC-8(D)或PDIP-8(P)封裝。 使用一種固有的較小化穿透電流的設(shè)計(jì),這些驅(qū)動(dòng)器在MOSFET開關(guān)轉(zhuǎn)換期間,在米勒平臺(tái)區(qū)域較需要的地方提供4A電流。
供應(yīng)全新原裝 TPS56C230RJER VQFN-20 開關(guān)穩(wěn)壓器芯片
說(shuō)明? ? ? ? TPS56C230 是一款配備集成 FET 的高效同步降壓轉(zhuǎn)換器。系統(tǒng)設(shè)計(jì)人員可將此器件用于各種 應(yīng)用 ,因?yàn)樗拇龣C(jī)電流低,需要的外部組件也較少。? ? ? ?TPS56C230 采用了 D-CAP3 控制,此控制方式只需內(nèi)部補(bǔ)償即可實(shí)現(xiàn)快速瞬態(tài)響應(yīng)以及出色的線路和負(fù)載調(diào)整。該器件具有一個(gè)**電路
全新原裝TLV62130ARGTR TLV62130ARGTT QFN16 絲印VUNI開關(guān)穩(wěn)壓器
說(shuō)明 TLV62130 器件是易于使用的同步降壓 DC-DC 轉(zhuǎn)換 器,針對(duì) 高功率密度的應(yīng)用 進(jìn)行了優(yōu)化。該器件的開 關(guān)頻率典型值高達(dá) 2.5MHz,允許使用小型電感器,通 過(guò)利用 DCS-Control?拓?fù)浼夹g(shù)提供快速的瞬態(tài)響應(yīng)并 實(shí)現(xiàn)高輸出電壓精度。 此器件具有 3V 至 17V 寬運(yùn)行輸入電壓范圍,非常適 用于由鋰離子或其它電池以及 12V 中間電源軌供電的 系統(tǒng)。其支持高達(dá) 3A 的持
供應(yīng)TMS320VC5416PGE160 數(shù)字信號(hào)處理器VC5409APGE DSP芯片 原裝現(xiàn)貨
TMS320VC5416**數(shù)字信號(hào)處理器(DSP)(除非另有說(shuō)明,以下簡(jiǎn)稱設(shè)備)基于**改進(jìn)的哈佛架構(gòu),該架構(gòu)有一個(gè)程序存儲(chǔ)器總線和三個(gè)數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器總線。該處理器提供了一個(gè)具有高度并行性的算術(shù)邏輯單元(ALU)、特定于應(yīng)用程序的硬件邏輯、片上存儲(chǔ)器和附加的ALU外設(shè)。該DSP的操作靈活性和速度的基礎(chǔ)是一個(gè)高度專業(yè)化的指令集。 單獨(dú)的程序和數(shù)據(jù)空間允許同時(shí)訪問(wèn)程序指令和數(shù)據(jù),提供了高度的并行性。兩
聯(lián)系人: 周斯琪
電 話: 13714705290
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STM8L151F3P6 C8T6 K4T6 G4U6 G6U6 K6T6 F3U6 C6T6 R8T6 C4U6
TPS62822DLCR VSON-8 貼片 絲?。篈2 開關(guān)穩(wěn)壓器 原裝**
原裝** TPS389033GQDSERQ1 WSON-6 電源管理監(jiān)控和復(fù)位芯片IC
原裝** LPC54608J512BD208E 封裝LQFP208 NXP處理器MCU芯片IC
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全新原裝 LM2775DSGR DC-DC電源芯片 升壓轉(zhuǎn)換器 價(jià)格優(yōu)勢(shì)
INA211AIDCKT 零漂移、高精度、低側(cè)/高側(cè)、電壓輸出電流分流監(jiān)控器 全新原裝
STM32F107VCT6 LQFP-100 ARM微控制器 - MCU 代理現(xiàn)貨 價(jià)格較優(yōu)
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