OPTOI光電晶體管陣列OIT15C-NR

    OPTOI光電晶體管陣列OIT15C-NR

    產(chǎn)品型號:OIT15C-NR

    產(chǎn)品介紹

     

    OIT15C-NR 包含在硅光電晶體管的單片陣列中。光電晶體管在背面基板上有一個公共集電極,該集電極連接到單個焊盤,每個**器都可以訪問特定的焊盤。陣列的光學(xué)間距為 0.45 mm,LCC 封裝電氣間距為 1.10 mm。每個元件的有效面積為 0.25 x 0.50 mm2。

    該產(chǎn)品的優(yōu)點是硅傳感器的高度均勻性,由于單片結(jié)構(gòu)和受控的微電子過程,信號的高穩(wěn)定性和高光學(xué)響應(yīng)性,由于沉積在光電晶體管區(qū)域上的抗反射涂層。

    該設(shè)備采用薄塑料薄膜保護(hù),可抵抗回流爐工藝。一旦將設(shè)備組裝到電子板上,就須去除薄膜,用戶可以安裝光學(xué)標(biāo)線片。尺寸減小,以優(yōu)化成本和編碼器空間。兩個參考標(biāo)記可用于準(zhǔn)確的標(biāo)線定位。

     

    性能特點

     

    耐焊接工藝,MSL2

    硅電池的高均勻性

    較小的光學(xué)間距,較寬的有效區(qū)域

    高增益

    非常小的尺寸

    準(zhǔn)確安裝的參考點

    提供分劃板組裝服務(wù)

     

    技術(shù)參數(shù)

     

    工作溫度范圍:-40 100 °C

    儲存溫度:-40 100 °C

    引線溫度(焊錫)3s:230 °C

    集電極-**較擊穿電壓@TA=25°C IB=100nA IC=1mA:50 V

    功耗,TA=25°C 時:150 mW

    靜電放電敏感性:3級

    暗電流 VR=10V:典型5nA,max.100 nA

    響應(yīng)度:0.5 A/W

    峰值響應(yīng)度 VCE=5V:750 nm

    光譜帶寬@50% VCE=5V:500950 nm

    **較-集電極電流 VCE=7.7V:0.025100 μA

    集電極-**較電流 VCE=52V:0.025100 μA

    增益 VCC=5V IC=2mA:典型500,min.1100,max.500

    飽和電壓 IE=2mA IB=20μA:80200 mV

    通態(tài)集電極電流 VCE=5V EE=1.0mW/cm21 mA

    上升時間VCC=5V IC=1mA R1=1kΩ:10 μs

    下降時間 VCC=5V IC=1mA R1=1kΩ:10 μs

    光電晶體管有效面積:0.125 mm2

    有效區(qū)域長度:0.25 mm

    有效區(qū)域?qū)挾龋?/span>0.50 mm

     

    產(chǎn)品尺寸

    產(chǎn)品應(yīng)用

     

    光學(xué)編碼器

    增量編碼器

    光接收器

    控制/驅(qū)動

    光傳感器


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  • 詞條

    詞條說明

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