Andrew無(wú)損檢測(cè)工程公司案例——
Andrew NDT和Galil合作大幅削減晶圓生產(chǎn)成本
Andrew無(wú)損檢測(cè)公司和Galil結(jié)合了多項(xiàng)技術(shù),可為半導(dǎo)體行業(yè)晶圓生產(chǎn)的關(guān)鍵工序減少百萬(wàn)美元成本。新方法*復(fù)雜的機(jī)械結(jié)構(gòu)即可提供準(zhǔn)確、穩(wěn)定的讀數(shù)。
集成電路所用的晶圓在生產(chǎn)過(guò)程中,必須在其上沉積一層非常薄的薄膜。到目前為止,由于需要在不破壞晶圓本身的情況下測(cè)量這些薄膜沉積物,生產(chǎn)300毫米的晶圓一直頗具挑戰(zhàn)。
一些復(fù)雜的計(jì)量設(shè)備可用于測(cè)量這些關(guān)鍵沉積物,其成本高達(dá)100萬(wàn)美元。其他方法則是使用熱波,但這方法不夠穩(wěn)定。
Andrew無(wú)損檢測(cè)公司獲得**的新方法通過(guò)一種特殊的電容探頭解決了這兩個(gè)難題,該探頭*實(shí)際接觸晶圓即可測(cè)量薄膜沉積。這樣即可以防止對(duì)晶圓造成任何損壞,也同時(shí)消除了對(duì)復(fù)雜機(jī)械和高昂校準(zhǔn)的需求。由此生產(chǎn)的機(jī)器堅(jiān)固耐用且易于制造。
新的電容技術(shù)不依賴于機(jī)械結(jié)構(gòu),而是電容傳感器與晶圓之間的精確距離。晶圓位于距離傳感器0.1英寸至0.001英寸的位置。Galil四軸PCI總線控制器DMC-1840將每個(gè)晶圓沿xyz和θ軸移動(dòng)到傳感器,能夠精準(zhǔn)定位每個(gè)晶圓,精度達(dá)到±0.5微米。
當(dāng)晶片就位后,電磁場(chǎng)會(huì)輻射到薄膜層中,然后薄膜層將電磁場(chǎng)反射回傳感器。Galil控制器接收到來(lái)自傳感器的模擬量反饋。將這些數(shù)據(jù)與精確的位置和能量測(cè)量值進(jìn)行對(duì)比,可以精確地計(jì)算出薄膜的厚度。
Andrew NDT之所以選擇Galil控制器不僅由于其精確性,而且還因?yàn)槠淇煽啃浴J褂肎alil控制器進(jìn)行測(cè)試的機(jī)器實(shí)現(xiàn)了高達(dá)100000個(gè)周期的無(wú)故障運(yùn)行。Andrew的工程師還發(fā)現(xiàn)Galil語(yǔ)言簡(jiǎn)單易懂,可方便的將接口寫入他們現(xiàn)有的軟件。
Andrew系統(tǒng)當(dāng)前使用的是步進(jìn)電機(jī),但未來(lái)該系統(tǒng)將使用伺服電機(jī)來(lái)提高速度和平滑度。步進(jìn)電機(jī)的加工速度為每小時(shí)200片晶圓。伺服電機(jī)將使速度加倍,達(dá)到每小時(shí)400片晶圓。
使用Galil控制器進(jìn)行測(cè)試的Andrew NDT計(jì)量設(shè)備實(shí)現(xiàn)了高達(dá)100000個(gè)周期的無(wú)故障運(yùn)行
Andrew 無(wú)損檢測(cè)工程公司
加利福尼亞州摩根希爾
詞條
詞條說(shuō)明
較適合壓電效應(yīng)的應(yīng)用由于壓電材料的固有特性,有許多應(yīng)用從它們的使用中獲益:高壓電源該領(lǐng)域應(yīng)用的一個(gè)例子是電點(diǎn)煙器,按下按鈕可使彈簧錘撞擊壓電晶體,從而產(chǎn)生足夠高的電壓,使電流流過(guò)小火花隙,加熱并點(diǎn)燃?xì)怏w。大多數(shù)類型的燃?xì)馊紵骱腿細(xì)庠疃加袃?nèi)置的壓電式噴射系統(tǒng)。傳感器壓電傳感器的工作原理是,將物理尺寸轉(zhuǎn)化為力,作用在傳感元件的兩個(gè)相對(duì)面上。檢測(cè)聲音形式的壓力變化是較常見(jiàn)的傳感器應(yīng)用,這見(jiàn)于壓電麥克風(fēng)
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公司名: 上海銳放自控技術(shù)有限公司
聯(lián)系人: 王經(jīng)理
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微 信: 18561737921
地 址: 上海嘉定墨玉路185號(hào)1層J
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網(wǎng) 址: shruifang.b2b168.com
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