*遠(yuǎn)程微波PECVD系統(tǒng)

時(shí)間：2024-12-19作者：那諾-馬斯特中國(guó)有限公司瀏覽：118

Nano-Master的遠(yuǎn)程微波等離子體化學(xué)氣相沉積（PECVD）系統(tǒng)應(yīng)用范圍廣泛，包含：

基片或粉體的等離子誘導(dǎo)表面改性

等離子清洗

粉體或顆粒表面等離子聚合

SiO2,Si3N4或DLC及其他薄膜

CNT和石墨烯的選擇性生長(zhǎng)

單晶或多晶金剛石生長(zhǎng)




   




微波模塊：NANO-MASTER高質(zhì)量**命遠(yuǎn)程微波源，頻率為2.45GH，微波**功率可以自主調(diào)節(jié)，微波反射功率可通過(guò)調(diào)節(jié)降低至**功率的千分之一以內(nèi)。遠(yuǎn)程微波源，可實(shí)現(xiàn)無(wú)損傷缺陷的沉積或生長(zhǎng)。

設(shè)備腔體：水冷側(cè)壁，確保在高溫工藝下腔體外表面溫度控制在60℃內(nèi)；在高溫工藝進(jìn)行過(guò)程中，等離子體被束縛在有限的體積內(nèi)，不會(huì)對(duì)腔體造成刻蝕。

樣品臺(tái)：可自動(dòng)加熱到較高1200℃，PID精確控制，精度±1℃，跟微波電源的加熱獨(dú)立。高溫工藝下可持續(xù)旋轉(zhuǎn)，主動(dòng)冷卻。具有自動(dòng)升降功能，可針對(duì)自動(dòng)Load Unload下降樣品臺(tái)便于片托自動(dòng)取出。

溫度模塊：通過(guò)系統(tǒng)參數(shù)實(shí)現(xiàn)襯底溫度精確控制,在穩(wěn)定的工藝過(guò)程中溫度浮動(dòng)不**過(guò)±10℃。利用雙波長(zhǎng)高溫計(jì)實(shí)現(xiàn)對(duì)襯底的非接觸式溫度測(cè)量；樣品臺(tái)內(nèi)部通過(guò)熱電偶測(cè)量。

氣體控制：根據(jù)需求較多可配置8路工藝氣體，配備吹掃氣路，利用氮?dú)饣蚴菤鍤鈱?duì)管路吹掃。淋浴頭和氣體環(huán)均勻設(shè)計(jì)，使得氣體在高溫工作狀態(tài)下成分均一，流速穩(wěn)定，不會(huì)對(duì)襯底造成擾動(dòng)。

真空模塊：腔室的極限真空度可達(dá)1*10-5Pa

樣品傳送模塊：系統(tǒng)可以支持自動(dòng)Load Lock實(shí)現(xiàn)計(jì)算機(jī)控制的自動(dòng)進(jìn)樣和出片

控制模塊：配備計(jì)算機(jī)控制系統(tǒng)，詳細(xì)記錄工藝過(guò)程中各項(xiàng)參數(shù)。具備安全互鎖功能及4級(jí)密碼授權(quán)訪問(wèn)控制。







 

 

以遠(yuǎn)程微波PECVD系統(tǒng)沉積金剛石薄膜為例，從甲烷、氫氣或氬氣的氣體混合物中將多晶金剛石薄膜沉積到襯底上。沉積過(guò)程中的基片溫度通常為800~900°C，通過(guò)雙波長(zhǎng)高溫計(jì)測(cè)量。甲烷、氫氣和氬氣的濃度、功率和壓力值可以改變，以產(chǎn)生各種金剛石膜紋理。因金剛石的許多特性：如化學(xué)惰性和穩(wěn)定性，高導(dǎo)熱性，高聲速，高斷裂強(qiáng)度，疏水性，耐磨性，生物惰性，其表面可功能化，并涂覆保形性等，使其成為許多應(yīng)用的選擇。應(yīng)用包括MEMS/NEMS器件、摩擦學(xué)（機(jī)械和生物部件涂層）、熱（散熱器/擴(kuò)散器）、切割工具、輻射傳感器（電離輻射探測(cè)器/劑量計(jì)）、電化學(xué)應(yīng)用（生化傳感器）、光學(xué)（紅外窗口、透鏡、X射線窗口）和離子束剝離箔。


那諾-馬斯特中國(guó)有限公司專注于磁控濺射系統(tǒng),刻蝕系統(tǒng),清洗去膠系統(tǒng)等

• 詞條

  詞條說(shuō)明

• 詳解磁控濺射技術(shù)

  一、磁控濺射的工作原理：磁控濺射是一種常用的物理氣相沉積（PVD）的方法，具有沉積溫度低、沉積速度快、所沉積的薄膜均勻性好，成分接近靶材成分等眾多優(yōu)點(diǎn)。磁控濺射的工作原理是：在高真空的條件下充入適量的氬氣，在陰極（柱狀靶或平面靶）和陽(yáng)極（鍍膜室壁） 之間施加幾百K 直流電壓，在鍍膜室內(nèi)產(chǎn)生磁控型異常輝光放電，電子在電場(chǎng)E的作用下，在飛向基片過(guò)程中與氬原子發(fā)生碰撞，使氬氣發(fā)生電離（在高壓作用下Ar

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