關于IGBT功率模塊的智能驅動器設計

時間：2024-12-25

其功率模塊采用雙功率模塊設計，即每個模塊由兩個開關單元組成。為保證功率IGBT在高頻、高壓、大電流下工作，要設計可靠的柵較驅動電路。一個性能良好的驅動電路要求觸發(fā)脈沖應具有足夠快的上升和下降速度，即在開通瞬時,驅動電路應能提供足夠大的充電電流,使IGBT柵源較間電壓迅速上升到所需值,并保持穩(wěn)定,以保證其可靠導通,且不存在上升沿的高頻振蕩;在關斷瞬時,驅動電路應能提供一個盡可能低阻抗的通路,供柵較電容電壓快速泄放,以保證其快速關斷。脈沖前后沿要陡峭；驅動源的內阻要足夠小、電流要足夠大，以提高功率IGBT的開關速度；為了使功率IGBT可靠觸發(fā)導通，柵較驅動電壓應**器件的開啟電壓；為防止誤導通，在功率IGBT截止時較好能提供負的柵-源電壓。

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詞條
詞條說明
【供應西門康可控硅】可控硅產品用途
廣泛用于電鍍、氧化、電泳、電解、電化學、冶練、化成、腐蝕、通迅、加熱、污水處理等行業(yè)。氧化行業(yè)：鋁氧化，鋁型材氧化、氧化著色、陽極氧化、硬質氧化、鋁合金氧化電解行業(yè)：電解銅、錳、銻、銀等有色金屬，電解拋光、電解污水、電解稀土冶煉；電泳行業(yè)：電泳涂裝、電泳涂漆、陰極電泳電鍍行業(yè)：電鍍硬鉻、鍍銀、鍍錫、等等；電化學：電化學腐蝕、電化學水處理水處理：污水處理、工業(yè)污水處理、水處理工程其它：加熱，管道加熱
檢驗變頻器整流橋模塊廠家好壞的方法
整流橋模塊廠家（m.qiwodz.b2b168.com）按照以往的生產操經驗大概有如下幾種可以可以快速檢驗出整流橋模塊的好壞；1、先測試逆變電路是否有問題，方法如下：將紅表棒接到P端,黑表棒分別接U、V、W上，應該有幾十歐的阻值，且各相阻值基本相同，反相應該為無窮大。將黑表棒接到N端，重復以上步驟應得到相同結果，否則可確定逆變模塊故障2.再測試整流電路，方法如下：找到變頻器內部直流電源的P端和
可控硅模塊的工作原理是什么?主要起什么作用？
? ? ? 可控硅模塊通常被稱之為功率半導體模塊(semiconductor module)。較早是在1970年率先將模塊原理引入電力電子技術領域，是采用模塊封裝形式，具有三個PN結的四層結構的大功率半導體器件。?? ? ? 可控硅模塊又叫晶閘管(Silicon Controlled Rectifier, SCR)。自從20世紀
可控硅的作用介紹及檢測方法
1. 可控硅的特性。可控硅分單向可控硅、雙向可控硅。單向可控硅有陽極A、陰極K、控制較G三個引出腳。雙向可控硅有**陽極A1（T1），*二陽極A2（T2）、控制較G三個引出腳。只有當單向可控硅陽極A與陰極K之間加有正向電壓，同時控制較G與陰極間加上所需的正向觸發(fā)電壓時，方可被觸發(fā)導通。此時A、K間呈低阻導通狀態(tài)，陽極A與陰極K間壓降約1V。單向可控硅導通后，控制器G即使失去觸發(fā)電壓，只要陽極A