國(guó)芯思辰|基本半導(dǎo)體碳化硅肖特基二極管B2D30120HC1可pin to pin替換科銳C4D30120D

    SiC肖特基二極管具有零反向恢復(fù)電流和零正向恢復(fù)電壓,散熱要求低,是高頻和高效率應(yīng)用的理想選擇。目前市場(chǎng)上以選用WOLFSPEED的碳化硅為主,但由于各種因素,許多工程師正在尋求替代器件。

    本文重點(diǎn)提到基本半導(dǎo)體的B2D30120HC1,該器件可pin-to-pin替代C4D30120D,其內(nèi)部結(jié)構(gòu)和引腳定義基本一致,B2D30120HC1和C4D30120D的參數(shù)對(duì)比:

    ●由上圖可知,二者的反向重復(fù)峰值電壓均為1200V,此外,B2D30120HC1反向漏電流(VR=1200V , TJ=25°C)較大值為120uA,C4D30120D較大值為200uA,相比之下,在反向截止?fàn)顟B(tài)時(shí)B2D30120HC1具有較低的電能消耗,熱損較低,產(chǎn)品效率高;

    ●正向平均電流(TC=25?C),B2D30120HC1為108A,C4D30120D為88A;

    ●正向重復(fù)峰值電流方面,B2D30120HC1為30A,C4D30120D為68A,二者均能抵抗開關(guān)瞬間的電力波動(dòng),有較好的安全性;

    ●結(jié)溫溫度是電子設(shè)備中實(shí)際半導(dǎo)體碳化硅二極管所能耐受的較高溫度,反應(yīng)了產(chǎn)品對(duì)環(huán)境溫度的適應(yīng)能力。二者的結(jié)溫溫度范圍為-55°C-175°C,均符合**級(jí)器件的溫度要求,能夠適應(yīng)苛刻的溫度環(huán)境。

    綜合以上參數(shù)及封裝對(duì)比,B2D30120HC1碳化硅二極管與C4D30120D,典型電性能參數(shù)、內(nèi)部結(jié)構(gòu)和引腳定義基本一致,可實(shí)現(xiàn)**的pin-to-pin兼容設(shè)計(jì),*更改任何外部電路。

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