藍(lán)寶石基底石墨烯薄膜

    石墨烯薄膜一般指通過(guò)cvd法制備的單層的石墨烯,因?yàn)槭菃螌?,所以?qiáng)度、導(dǎo)電率和透明度都比較好。

    藍(lán)寶石基底石墨烯薄膜

    那么,藍(lán)寶石基底石墨烯薄膜是如何制備的?

    CVD生長(zhǎng)石墨烯主要包括兩個(gè)路徑:

    一是“直接生長(zhǎng)”,催化裂解出來(lái)的碳原子直接在催化劑表面成核、進(jìn)而生長(zhǎng)成石墨烯薄膜;

    二是“迂回生長(zhǎng)”,催化裂解的表面碳原子滲透進(jìn)入體相溶解后,再在表面析出,成核生長(zhǎng)形成石墨烯薄膜。兩個(gè)平行生長(zhǎng)路徑的貢獻(xiàn),取決于金屬催化劑的溶碳能力、金屬碳化物的生成及其在生長(zhǎng)溫度下的化學(xué)穩(wěn)定性。

    微晶科技實(shí)驗(yàn)室

    CVD法制備石墨烯的基本過(guò)程是:

    把基底金屬箔片放入爐中,通入氫氣和氬氣或者氮?dú)獗Wo(hù)加熱至1000℃左右,穩(wěn)定溫度,保持20min左右;然后停止通入保護(hù)氣體,改通入碳源(如甲烷)氣體,大約30min,反應(yīng)完成;切斷電源,關(guān)閉甲烷氣體,再通入保護(hù)氣體排凈甲烷氣體,在保護(hù)氣體的環(huán)境下直至管子冷卻到室溫,取出金屬箔片,得到金屬箔片上的石墨烯。下圖為石墨烯的制備過(guò)程。

    襯底是生長(zhǎng)石墨烯的重要條件。目前發(fā)現(xiàn)的可以用作石墨烯制備的襯底金屬有8~10個(gè)過(guò)渡金屬(如Fe,Ru,Co,Rh,Ir,Ni,Pd,Pt,Cu,Au),和合金(如Co-Ni,Au-Ni,Ni-Mo,不銹鋼)。過(guò)渡金屬在石墨烯的CVD生長(zhǎng)過(guò)程中既作為生長(zhǎng)基底,也起催化作用。

    微晶科技提供:石墨烯薄膜、石墨烯粉體、導(dǎo)電油墨、導(dǎo)熱油墨、石墨烯熱輻射涂料、石墨烯抗菌、石墨烯透明導(dǎo)電膜等

    產(chǎn)品列表:

    CVD石墨烯薄膜:

    銅基底石墨烯薄膜

    泡-取式石墨烯薄膜

    單面生長(zhǎng)銅基底石墨烯薄膜

    懸空自助轉(zhuǎn)移石墨烯薄膜

    氧化硅基底石墨烯薄膜

    硅基底石墨烯薄膜

    藍(lán)寶石基底石墨烯薄膜

    PET基底石墨烯薄膜

    石英基底石墨烯薄膜

    鎳泡沫石墨烯薄膜(3D石墨烯)

    自助轉(zhuǎn)移鎳泡沫石墨烯薄膜



    合肥微晶材料科技有限公司專(zhuān)注于石墨烯熱輻射涂料,石墨烯熱輻射漿料,石墨烯散熱涂料等

  • 詞條

    詞條說(shuō)明

  • 自己轉(zhuǎn)移石墨烯薄膜工藝

    石墨烯作為一種新型戰(zhàn)略性重要材料,可應(yīng)用于科研、芯片電路電子、新能源、新材料、生物技術(shù)等諸多重要行業(yè),特別是科研級(jí)別的石墨烯薄膜,需要較穩(wěn)定較高品質(zhì)的石墨烯,這就要求我們能從常見(jiàn)的基底石墨烯的基礎(chǔ)上,刻蝕掉銅基底得到石墨烯/保護(hù)層薄膜,然后再將石墨烯和起保護(hù)作用的薄膜轉(zhuǎn)移至“懸空基底”上,用戶(hù)拿到產(chǎn)品后只需將產(chǎn)品在去離子水中輕輕釋放就可得到可直接轉(zhuǎn)移至多種基底的自己轉(zhuǎn)移石墨烯薄膜,即懸空自主轉(zhuǎn)移石

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