基本半導(dǎo)體650V混合式碳化硅分立器件應(yīng)用于便攜儲(chǔ)能，效率提升0.2%-0.4%

時(shí)間：2023-03-02作者：國芯思辰（深圳）科技有限公司瀏覽：86

在低碳新時(shí)代電力市場的需求下，便攜式儲(chǔ)能綠色無污染、大容量、大功率，在儲(chǔ)能市場需求持續(xù)呈現(xiàn)上升趨勢。

便攜儲(chǔ)能的增長趨勢得益于戶外運(yùn)動(dòng)的興起和的影響 ，便攜式儲(chǔ)能電源可提供穩(wěn)定交/直流電壓輸出的電源系統(tǒng)，且適配性廣泛，其帶電量通常為0.2-2kWh，同時(shí)具有較大的輸出功率100-2200W，配有AC、DC、Type-C、USB、PD等多種接口，可以匹配市場上各類主流電子設(shè)備，為戶外運(yùn)動(dòng)提供電力儲(chǔ)能和戶外應(yīng)急電力需求。

隨著便攜儲(chǔ)能電源應(yīng)用領(lǐng)域不斷增加，需要提升電源系統(tǒng)功率密度、使用較高的主開關(guān)頻率?；景雽?dǎo)體推出了BGH75**5HF1混合碳化硅分立器件，包含650V與1200V，該器件將傳統(tǒng)的硅基IGBT和碳化硅肖特基二極管合封，在部分應(yīng)用中可以替代傳統(tǒng)的IGBT，大幅降低了IGBT的開關(guān)損耗，特別適用于對(duì)功率密度提升有需求。然而改成混管后效率會(huì)提升多少，答案是0.2-0.4%，這是在客戶的buck-boost中實(shí)戰(zhàn)得到的數(shù)據(jù)。

BGH75**5HF1電器特征

便攜儲(chǔ)能的架構(gòu)是無橋圖騰柱，現(xiàn)在用的是普通IGBT；對(duì)于600W-3.6kW的便攜式儲(chǔ)能，IGBT該做成雙向的還是做成單向，然后外掛adaptor，然而后者漸漸被淘汰了，因?yàn)楝F(xiàn)在人們需要快充，且外掛adator的成本也不低。雙向IGBT**是以平面柵型IGBT為基礎(chǔ)，通過對(duì)新器件采取對(duì)稱機(jī)構(gòu)和兩路輸入控制的方法，從而達(dá)到對(duì)新器件雙向控制的目的。雙向IGBT模塊是實(shí)現(xiàn)高頻矩陣變換器較為有效的方法，在降低應(yīng)用產(chǎn)品的功耗方面具有非常高的性價(jià)比。

當(dāng)前，便攜式電源的發(fā)展方向是雙向充放電，使用無橋圖騰柱拓?fù)浞浅５湫?，因?yàn)橐p向IGBT，混合式IGBT將會(huì)成為一個(gè)技術(shù)趨勢。




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