紅外熱成像技術(shù)由于自身各種優(yōu)勢(shì)在軍事領(lǐng)域和民用領(lǐng)域有著廣闊的應(yīng)用前景,因此備受各國(guó)重視,競(jìng)相發(fā)展相關(guān)技術(shù)。
由于國(guó)外對(duì)紅外熱成像技術(shù)的研究比較早,而我國(guó)在紅外熱成像技術(shù)領(lǐng)域起步較晚,所以差距很大。近年來(lái)我國(guó)在紅外熱成像技術(shù)的相關(guān)領(lǐng)域**了一些進(jìn)展,但很多方面還是遠(yuǎn)遠(yuǎn)落后于世界水平。
因此,還需要加快紅外熱成像技術(shù)的研究。本課題以加快紅外熱成像技術(shù)的研究進(jìn)度、減小研究周期、提升研究效率,降低研究及生產(chǎn)成本為目標(biāo),以紅外熱成像系統(tǒng)的**部分非制冷紅外焦平面為基礎(chǔ),研究紅外焦平面封裝前自動(dòng)化測(cè)試的技術(shù)。
提出了自動(dòng)化測(cè)試的方案及自動(dòng)測(cè)試中遇到的一些關(guān)鍵問(wèn)題,并對(duì)問(wèn)題進(jìn)行了深入研究。
本文首先介紹了紅外焦平面測(cè)試的基本理論。在其基礎(chǔ)上,以自動(dòng)化測(cè)試為目標(biāo),改進(jìn)了現(xiàn)有的基于半自動(dòng)真空探針臺(tái)的紅外焦平面測(cè)試系統(tǒng)硬件電路部分。設(shè)計(jì)了以USB芯片和FPGA芯片為基礎(chǔ)的硬件測(cè)試電路。通過(guò)對(duì)紅外焦平面測(cè)試的需求、鄭州科探真空探針臺(tái)程序控制及測(cè)試過(guò)程自動(dòng)化的深入研究,得到測(cè)試過(guò)程自動(dòng)化的一些方法、偏置電壓自動(dòng)調(diào)節(jié)方法及紅外焦平面芯片能評(píng)價(jià)方法。從而在軟件方面設(shè)計(jì)了參數(shù)設(shè)置模塊、測(cè)試控制模塊、偏置電壓調(diào)節(jié)模塊、數(shù)據(jù)采集模塊、數(shù)據(jù)分析模塊、半自動(dòng)真空探 控制模塊等。
其中測(cè)試控制模塊是軟件部分的**模塊,包括三種測(cè)試模式,手動(dòng)測(cè)試模式、釋放前自動(dòng)測(cè)試模式及釋放后自動(dòng)測(cè)試模式,起著對(duì)測(cè)試流程的整體控制作用??刂颇K是測(cè)試軟件控制真空探針臺(tái)進(jìn)行測(cè)試的重要模塊,可以靈活地控制真空探針臺(tái)的載物臺(tái)、傳送橋、顯微鏡及黑體等多個(gè)組件。偏置電壓調(diào)節(jié)模塊和數(shù)據(jù)分析模塊是自動(dòng)測(cè)試中尋找紅外焦平面芯片偏置電壓及對(duì)紅外焦平面芯片能評(píng)價(jià)的關(guān)鍵模塊。
通過(guò)比較不同偏置電壓下紅外焦平面的性能參數(shù),可以得到其工作的偏置電壓;通過(guò)對(duì)紅外焦平面偏置電壓下性能參數(shù)的比較,可以得出紅外焦平面芯片能優(yōu)劣的評(píng)價(jià)。本課題研究實(shí)現(xiàn)了對(duì)640×512、384×288、320×240等陣列大小的氧化釩非制冷紅外焦平面陣列的封裝前自動(dòng)測(cè)試。通過(guò)對(duì)測(cè)試數(shù)據(jù)的分析可以得到壞點(diǎn)、非均勻性、噪聲、響應(yīng)率、噪聲等效溫差等參數(shù),從而評(píng)估芯片的性能。
詞條
詞條說(shuō)明
小型濺射儀儀問(wèn)儀答近小伙伴對(duì)于濺射儀使用和技術(shù)參數(shù)問(wèn)的問(wèn)題比較多,今天總結(jié)一下濺射儀的一些常見(jiàn)的技術(shù)問(wèn)題:1、膜厚檢測(cè)儀原理:膜厚監(jiān)測(cè)儀是采用石英晶體振蕩原理,利用頻率測(cè)量技術(shù)加上的數(shù)學(xué)算法,進(jìn)行膜厚的在線鍍膜速率和實(shí)時(shí)厚度計(jì)算。主要應(yīng)用于MBE、OLED或金屬熱蒸發(fā)、磁控濺射設(shè)備的薄膜制備過(guò)程中,對(duì)膜層厚度及鍍膜速率進(jìn)行實(shí)時(shí)監(jiān)測(cè)。2、濺射儀是否可以鍍鎳:可以鍍鎳 ?但是 鎳是導(dǎo)磁金屬
1. 自我診斷技術(shù)自我診斷技術(shù)是在不停機(jī)或基本不拆機(jī)的情況下,通過(guò)各種檢測(cè)分析來(lái)判斷設(shè)備狀態(tài)是否正常,異?;蚬收系脑颉⒉课?、程度以及壽命的預(yù)測(cè)。自我診斷技術(shù)的主要作用是獲得設(shè)備的結(jié)果狀態(tài)信息,即根據(jù)設(shè)備在各種工況下,表現(xiàn)出來(lái)的精度**差,零點(diǎn)漂移,內(nèi)漏等所有狀態(tài)信息的綜合分析來(lái)識(shí)別產(chǎn)品的狀態(tài)、異常類(lèi)型和異常的嚴(yán)重程度,其本質(zhì)是一個(gè)包含信號(hào)、信息提取、信息綜合、故障識(shí)別和信息利用的過(guò)程。自我診斷的目
?針對(duì)光學(xué)和介電功能薄膜制備中的離化率低和靶面污染問(wèn)題,設(shè)計(jì)了一種磁控濺射沉積系統(tǒng),系統(tǒng)包括磁控濺射靶裝置、等離子體源和陽(yáng)極清洗裝置。主要結(jié)論有:(1)在磁控濺射靶裝置設(shè)計(jì)中,采用磁流體密封替代橡膠軸承密封,提高了靶裝置的密封性,極限真空度可達(dá)10-6 Pa;采用旋轉(zhuǎn)磁鋼代替固定磁鋼,使靶材的利用率從30%提高到60%,同時(shí)避免了靶裝置在預(yù)先清洗時(shí)的污染;設(shè)計(jì)了靶裝置的驅(qū)動(dòng)端,完成了電機(jī)
高低溫探針臺(tái)-解釋塞貝克系數(shù)測(cè)量原理及系數(shù)
塞貝克系數(shù)(Seebeck Coefficient)也稱(chēng)為熱電偶效應(yīng)或Seebeck效應(yīng),是指兩種不同導(dǎo)體(或半導(dǎo)體)材料在一定溫差下產(chǎn)生熱電動(dòng)勢(shì)的現(xiàn)象。塞貝克系數(shù)是研究熱電材料(將熱能轉(zhuǎn)化為電能的材料)非常重要的一個(gè)參數(shù),它用來(lái)衡量材料在一定溫差下產(chǎn)生的熱電壓。?塞貝克系數(shù)的測(cè)量方法有很多種,其中一種常用的方法是恒流法。準(zhǔn)備一個(gè)熱電偶,它由兩種不同材料的導(dǎo)線組成。然后將熱電偶的其中一個(gè)
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