戶外亮化方案OC5228B,支持PWM/模擬/分段調(diào)光,可替代VSA1261A


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  • 汽車前大燈芯片,電動汽車LED前燈調(diào)光芯片方案,OC5138

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  • 智能設備充電器方案芯片CR6210B,高精度的CC/CV原邊檢測PWM開關(guān)

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  • 快充氮化鎵,67w氮化鎵-久宇盛電子

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    方案CR3215A中的內(nèi)置650V高雪崩能力功率MOS是一種高性能的電子元件,具有以下特點:* 650V高電壓,可以承受較高的電壓,因此具有較高的功率輸出能力。* 內(nèi)置高雪崩能力,可以承受較高的電流,并且在發(fā)生雪崩時不會損壞,提高了電路的穩(wěn)定性和可靠性。* 內(nèi)置MOS的開關(guān)速度非常快,可以實現(xiàn)高效率的轉(zhuǎn)換,減少了能量損失,因此是一種理想的功率半導體器件。該MOS還具有體積小、耐高溫、可靠性高等優(yōu)點

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