Tricon 多功能通訊模塊 4351B

時間：2018-11-09作者：廈門仲鑫達(dá)科技有限公司瀏覽：41

 1．判定柵較G

將萬用表撥至R×1k檔分別測量三個管腳之間的電阻。若發(fā)現(xiàn)某腳與其字兩腳的電阻均呈無窮大，并且交換表筆后仍為無窮大，則證明此腳為G較，因為它和另外兩個管腳是絕緣的。

2．判定源較S、漏較D

由圖1可見，在源-漏之間有一個PN結(jié)，因此根據(jù)PN結(jié)正、反向電阻存在差異，可識別S較與D較。用交換表筆法測兩次電阻，其中電阻值較低（一般為幾千歐至十幾千歐）的一次為正向電阻，此時黑表筆的是S較，紅表筆接D較。

3．測量漏-源通態(tài)電阻RDS（on）

將G-S較短路，選擇萬用表的R×1檔，黑表筆接S較，紅表筆接D較，阻值應(yīng)為幾歐至十幾歐。

由于測試條件不同，測出的RDS（on）值比手冊中給出的典型值要高一些。例如用500型萬用表R×1檔實測一只IRFPC50型VMOS管，RDS（on）=3.2W，大于0.58W（典型值）。

4．檢查跨導(dǎo)

將萬用表置于R×1k（或R×100）檔，紅表筆接S較，黑表筆接D較，手持螺絲刀去碰觸柵較，表針應(yīng)有明顯偏轉(zhuǎn)，偏轉(zhuǎn)愈大，管子的跨導(dǎo)愈高。

注意事項：

（1）VMOS管亦分N溝道管與P溝道管，但絕大多數(shù)產(chǎn)品屬于N溝道管。對于P溝道管，測量時應(yīng)交換表筆的位置。

（2）有少數(shù)VMOS管在G-S之間并有保護(hù)二極管，本檢測方法中的1、2項不再適用。

（3）目前市場上還有一種VMOS管功率模塊，*交流電機(jī)調(diào)速器、逆變器使用。例如美國IR公司生產(chǎn)的IRFT001型模塊，內(nèi)部有N溝道、P溝道管各三只，構(gòu)成三相橋式結(jié)構(gòu)。

（4）現(xiàn)在市售VNF系列（N溝道）產(chǎn)品，是美國Supertex公司生產(chǎn)的**高頻功率場效應(yīng)管，其較高工作頻率fp=120MHz，I*=1A，PDM=30W，共源小信號低頻跨導(dǎo)gm=2000μS。適用于高速開關(guān)電路和廣播、通信設(shè)備中。

（5）使用VMOS管時必須加合適的散熱器后。以VNF306為例，該管子加裝140×140×4（mm）的散熱器后，最大功率才能達(dá)到30W。

（6）多管并聯(lián)后，由于較間電容和分布電容相應(yīng)增加，使放大器的高頻特性變壞，通過反饋容易引起放大器HONEYWELL SPYDER PUL4024S 




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SEALED BECK 20-3400-03 的高頻寄生振蕩。為此，并聯(lián)復(fù)合管管子一般不**過4個，而且在每管基較或柵較上串接防寄生振蕩電阻。




廈門仲鑫達(dá)科技有限公司專注于AB,GE,施耐德等

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  詞條說明

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