環(huán)塔底液位先控投運前后對比(具體統(tǒng)計分析見表3) 根據(jù)PX聯(lián)合裝置各被控變量在**控制投運前后的對比情況可知:**控制系統(tǒng)的實施可以明顯提高各被控變量的平穩(wěn)性,平均標(biāo)準(zhǔn)偏差下降達(dá)56%,實現(xiàn)了穩(wěn)定操作的目的,并為“卡邊”優(yōu)化提供了有利的條件。 效益評估 **控制系統(tǒng)首先大大提高裝置運行的平穩(wěn)性,在此基礎(chǔ)上,針對各個精餾塔進(jìn)行“卡邊”優(yōu)化。例如:**控制投用前OX(鄰二甲苯)產(chǎn)品中OX含量波動較大,投用先控后OX的含量平穩(wěn)降低,逐漸接近質(zhì)量控制指標(biāo)。 投用PX聯(lián)合裝置**控制系統(tǒng)產(chǎn)生的經(jīng)濟(jì)效益主要體現(xiàn)在通過穩(wěn)定生產(chǎn)過程、卡邊操作、減小回流比、優(yōu)化加熱爐運行等手段而降低的燃料消耗量和增加的OX產(chǎn)品產(chǎn)量。在以下經(jīng)濟(jì)核算中,燃料油的價格按2700元計算,OX與C8+(含8個碳以上的烴)的差價按2000元計算,按360天/年計算,PX裝置的產(chǎn)品產(chǎn)量按50Mt/a計算,歧化裝置的產(chǎn)品處理量按100Mt/a計算。 1)OX增產(chǎn)效益核算 (0.59+13)÷2×360×2000÷1000 =489 萬元 2)降低能耗效益核算 3.14÷1000×50×2700+0.56÷1000×100×2700=575.1萬元 兩項相加,PX聯(lián)合裝置投用**控制系統(tǒng)的直接經(jīng)濟(jì)效益達(dá)到每年1064.1萬元。 結(jié)論 **控制系統(tǒng)在PX聯(lián)合裝置上得到了成功應(yīng)用。應(yīng)用**控制系統(tǒng)與常規(guī)PID控制相比,重要生產(chǎn)參數(shù)自動維持在工藝和設(shè)備的許可范圍內(nèi),使生產(chǎn)較安全,并把生產(chǎn)參數(shù)保持在優(yōu)化區(qū)域。減少主要過程變量的波動幅度達(dá)56%,從而提高系統(tǒng)平穩(wěn)性。同時,也大大減少了操作人員的勞動強度。優(yōu)化了精餾塔和加熱爐的操作,降低了PX聯(lián)合裝置的綜合能耗。使精餾塔卡邊操作,可以對產(chǎn)品質(zhì)量進(jìn)行卡邊操作,進(jìn)一步提高產(chǎn)品產(chǎn)量,從而提高裝置的經(jīng)濟(jì)效益。Sommer Automatic GP110
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ProSoft 3150-MCM? 打擊與挫敗是成功的踏腳石,而不是絆腳石。 ?低速運行時,按外接啟動按鈕SB1,此時*二梯級接于母線一側(cè)的X001閉合,電流(能流)則通過串接于其后的X002接通中間繼電器M0線圈,使并接于母線一側(cè)的M0常開接點閉合,使M0中間繼電器線圈形成了自保。由于M0線圈的閉合,使**梯級*二支路母線一側(cè)的M0常閉接點閉合,同時切斷了定時器線圈T0的運行
較初的智能模塊采用有線方式連接起來,通常采用預(yù)布的總線或電力線傳輸控制信號。遙控的功能通過無線或紅外接入點,把遙控指令轉(zhuǎn)化為有線控制指令傳輸給受控的智能模塊。以下是兩類比較常見的有線控制智能開關(guān)的技術(shù): 總線制開關(guān) 該方案的技術(shù)特點是強電和弱電分離,整套系統(tǒng)中有一個(或多個)無線接入點來統(tǒng)一接收無線信號,通過預(yù)布的信號總線來傳輸控制信號。系統(tǒng)采用強弱電分離的機制,系統(tǒng)比較穩(wěn)定,對負(fù)載的適應(yīng)性很強
常自認(rèn)為是福薄的人,任何不好的事情發(fā)生都合情合理,有這樣平常心態(tài),將會戰(zhàn)勝很多困難 ?3.3 干吸系統(tǒng)?從傳化器*三層來的煙氣在冷中間交換器A 和B 中冷卻,然后流過一吸塔。在此三層轉(zhuǎn)化的SO3被**次吸收到循環(huán)的98.5%硫酸中,然后煙氣經(jīng)過一個高效除霧器流出,在冷中間熱交換器A 和B 及熱中間熱交換器被重新加熱,然后返回轉(zhuǎn)化器的*四層進(jìn)行二次轉(zhuǎn)化。煙氣在進(jìn)入二吸塔之前在冷熱
? ? 圖14.MOSFETRDS(ON)電流檢測 雖然價格低廉,但這種方法有一些缺點。首先,其精度不高,RDS(ON)值可能在很大的范圍內(nèi)變化(大約33%或更多)。其溫度系數(shù)可能也非常大,在100°C以上時甚至?xí)?*過80%。另外,如果使用外部MOSFET,則必須考慮MOSFET寄生封裝電感。這種類型的檢測不建議用于電流非常高的情況,特別是不適合多相電路,此類電路需要良好的相位
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