薄膜開關(guān)廠家淺談薄膜中含有大量的位錯(cuò)的原因

時(shí)間：2017-01-18作者：東莞市雨菲電子科技有限公司瀏覽：243

　　薄膜中含有大量的位錯(cuò)，位錯(cuò)密度通?？蛇_(dá)10n^-10ucm-a，已達(dá)塊狀材料發(fā)生強(qiáng)塑性變形時(shí)位錯(cuò)密度的數(shù)量級(jí)，之所以產(chǎn)生如此多的位錯(cuò)，主要由下列原因引起:

　　薄膜中含有大量的位錯(cuò)的原因

　　(1)取向不同的小島在合并時(shí)，晶格交接處發(fā)生小角度扭曲。如果小島十分小，那么它們還可以稍稍移動(dòng)或旋轉(zhuǎn)以消除取向的差別。如果小島比較大，則不可能消除扭曲，因而在兩微晶的接觸區(qū)域產(chǎn)生位錯(cuò)，如圖2-9所示。顯微鏡研究表明，在大尺寸小島接合的最后階段，位錯(cuò)線的數(shù)目增加得特別多。

　　(2)基片與薄膜間的晶格常數(shù)不同，不僅引起界面處晶格畸變，還會(huì)導(dǎo)致小島之間的畸變，這樣當(dāng)兩個(gè)小島合并時(shí)，也會(huì)產(chǎn)生位錯(cuò)。

　　(3)薄膜中的內(nèi)應(yīng)力會(huì)產(chǎn)生位錯(cuò)。在薄膜的形成過程中(特別是在初期)，薄膜中常有孔洞，在孔洞的邊緣內(nèi)應(yīng)力集中，也*產(chǎn)生位錯(cuò)。

　　(4)片表面的位錯(cuò)在晶核形成過程中有可能延伸到晶粒中。除了位錯(cuò)以外，還有一些其它類型的缺陷，如堆垛層錯(cuò)、孿晶等，其密度通常在薄膜的搜蓋率為50%時(shí)達(dá)到較大值，然后隨著淀積增加又逐漸減小，在達(dá)到連續(xù)薄膜時(shí)會(huì)逐漸消失，對(duì)制好的薄膜進(jìn)行熱處理也會(huì)減少這類缺陷的數(shù)目。

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