編輯:TT GBU410的生產(chǎn)工藝: ASEMI 整流橋GBU410芯片采用閩臺進(jìn)口GPP大芯片,可以持續(xù)穩(wěn)定高效地工 作,并且長時間工作的過程中不會發(fā)熱。質(zhì)量好的整流橋首先外觀上看上去是 很規(guī)整的,印字清晰,打標(biāo)也不會模糊。ASEMI品牌旗下的每一款產(chǎn)品都是采 用激光方式打標(biāo),印字非常清晰,不容易被磨損。并且激光打標(biāo)無污染,較環(huán) 保,**退色,防止翻新。這也正是符合國家大力提倡的環(huán)保理念A(yù)SEMI所生 產(chǎn)的整流橋均內(nèi)部是由4顆相同體積的芯片組成的框架,框架材質(zhì)為純銅材料, 黑膠部分采用復(fù)合材料環(huán)氧塑脂材料一次性澆鑄成型,具有良好的包封性,引 腳為99.99%無氧銅材質(zhì)組成,高抗彎曲和高導(dǎo)電性。 GBU410的生產(chǎn)流程介紹: 首先是芯片的焊接與組裝。 第二步,用閩臺進(jìn)口的機(jī)器注塑成型。 第三步,工人進(jìn)行人工切筯。 第四步,進(jìn)行出廠測檢,檢測各項電性參數(shù)和產(chǎn)品是否合格。 第四步,人員進(jìn)行外檢包裝。 一直專注于高品質(zhì)高質(zhì)量的產(chǎn)品,只為了讓客戶可以買的放心,用得安心。產(chǎn)品采 用的是閩臺進(jìn)口的玻峰GPP工藝的芯片,每個晶圓都經(jīng)過Vb、Io、If、Vf、Ir等12 個參數(shù)經(jīng)過6道檢測,△V控制在80V以內(nèi),復(fù)雜檢測只為提高芯片的一致性和高可 靠性;不論是使用**還是工藝**,都是數(shù)一數(shù)二的,高效環(huán)保,一舉兩得, 這樣的電源用整流橋,怎么能不受歡迎的理由。
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編輯 :TT KBPC系列單相整流橋參數(shù)詳解 KBPC610這是一個單相整流方橋,正向電流為6A,較大反向耐壓為1000V的電路中 的整流元器件。如上所說,KBPC610這款型號整流橋的較大反向電壓為1000V,正 向電流(Io)為3.0A,正向電壓為1.1V,采用GPP玻璃鈍化工藝的芯片材質(zhì),所 用的測試設(shè)備都是閩臺冠魁的測試設(shè)備,減少人工操作環(huán)節(jié),同時檢測Vb、Io、 If、Vf、Ir等12個
ASEMI廣東高壓整流橋二極管廠家技師解讀三相整流橋接線方法
編輯 :TT 三相整流橋電路圖是怎么樣的?電路中的整流橋是如何接線的,有圖好說話,看著整流橋接線圖片就很容易就理解了。 三相整流橋由6支二極管構(gòu)成的三相橋式整流電路,交流側(cè)有控制主回路通斷的接觸器。由6支晶閘管構(gòu)成的三相橋式整流電路,晶閘管只用于控制通斷不控制直流電壓的大小。 ASEMI三相整流橋線路圖 三相整流橋的作用也是將交流電流裝換成直流電流,那么與單相整流橋的區(qū)別是采 用6顆芯片的結(jié)構(gòu),可
ASEMI開關(guān)電源整流橋品牌設(shè)計后EMI的實際整改策略--傳導(dǎo)部分
編輯 :TT 一、EMC的概念定義 EMC(Electromagnetic Compatibility)是電磁兼容,它包括EMI(電磁騷擾)和EMS(電磁抗騷擾)。EMC定義為:設(shè)備或系統(tǒng)在其電磁環(huán)境中能正常工作且不對該環(huán)境中的任何設(shè)備的任何事物構(gòu)成不能承受的電磁騷擾的能力。EMC整的稱呼為電磁兼容。EMP是指電磁脈沖。 二、EMC的細(xì)化分類 EMC = EMI + EMS EMI:電磁干擾 EM
進(jìn)口整流橋 導(dǎo)讀:ASEMI整流橋GBU610,電性參數(shù)為6A1000V,GBU-4插件四支腳,使用閩臺進(jìn)口波峰GPP大芯片制作,其黑膠材質(zhì)為進(jìn)口環(huán)氧塑脂材料,包封穩(wěn)定性強(qiáng),引腳采用優(yōu)質(zhì)進(jìn)口99.99%的無氧銅,抗彎曲、抗氧化、高導(dǎo)電性。 一分錢一分貨,ASEMI整流橋GBU610 如果您在網(wǎng)上采購整流橋GBU610,看到了與其平均價格低很多的,可千萬不要相信哦。因為在電路中其整流作用,對耐壓的
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