STC4614

時間：2021-05-28作者：司坦森集成電路（深圳）有限公司瀏覽：394

STC4614是N和P溝道采用高密度增強(qiáng)型功率場效應(yīng)晶體管




DMOS器件溝道技術(shù)。這種高密度的過程，特別是量身定制，以盡量減少對狀態(tài)的阻力




并提供優(yōu)越的開關(guān)性能。該裝置特別適合于低電壓應(yīng)用




如筆記本電腦電源管理和其他電池供電電路，在高側(cè)




開關(guān)，低的在線功率損耗和電阻瞬態(tài)是必要的




特征




N溝道




40V／10.0A，RDS（ON）= 25mΩ（典型值）




@ VGS = 10V




40V／6A，RDS（ON）= 32mΩ




@ VGS = 4.5V




P溝道




- 40V / -10.0a，RDS（上）= 37mΩ（典型值




@ VGS = - 10V




- 40V / -5.0a，RDS（上）= 43mΩ




@ VGS = - 4.5V




！**高密度電池設(shè)計




較低的RDS（on）




！特殊的阻力和大




直流電流的能力




！SOP-8封裝

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• STC4614

  STC4614是N和P溝道采用高密度增強(qiáng)型功率場效應(yīng)晶體管DMOS器件溝道技術(shù)。這種高密度的過程，特別是量身定制，以盡量減少對狀態(tài)的阻力并提供優(yōu)越的開關(guān)性能。該裝置特別適合于低電壓應(yīng)用如筆記本電腦電源管理和其他電池供電電路，在高側(cè)開關(guān)，低的在線功率損耗和電阻瞬態(tài)是必要的特征N溝道40V／10.0A，RDS（ON）=?25mΩ（典型值）@?VGS?=?10V4

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