全新原裝 DP8205 8205A 貼片TSSOP8 鋰電池保護(hù)IC

時(shí)間：2021-08-19作者：深圳市南北行電子發(fā)展有限公司瀏覽：87

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  詞條說明

• FDMT80080DC 晶體管IC芯片 貼片VDFN8

  FDMT80080DC 規(guī)格信息： 制造商:ON Semiconductor 產(chǎn)品種類:MOSFET RoHS:是 技術(shù):Si 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:Power-33-8 通道數(shù)量:2 Channel 晶體管極性:N-Channel Vds-漏源極擊穿電壓:80 V Id-連續(xù)漏極電流:36 A Rds On-漏源導(dǎo)通電阻:1.06 mOhms Vgs th-柵源極閾值電壓:3

• BY25D16 全新原裝 FLASH存儲(chǔ)器芯片IC

  1.說明BY25D16為16M位串行外圍接口(SPI)閃存，并支持雙SPI：串行時(shí)鐘、芯片選擇、串行數(shù)據(jù)I/O0(SI)、I/O1(SO)。雙輸出數(shù)據(jù)的傳輸速度為108Mbits/s。該設(shè)備使用一個(gè)單一的低壓電源，范圍從2.7伏到3.6伏 此外，該設(shè)備還支持JEDEC標(biāo)準(zhǔn)制造商和設(shè)備ID。 為滿足環(huán)境要求，博雅微電子提供8針SOP150mil、173mil或208mil、8針USON3x3mm、D

• BSP250 貼片SOT-223 MOS場效應(yīng)管 30V

  BSP250 P通道增強(qiáng)模式垂直D-MOS晶體管 具有高速開關(guān)，無二次故障，非常低的電阻。應(yīng)用于低損耗電機(jī)和執(zhí)行器驅(qū)動(dòng)器的電源開關(guān)。 描述SOT223塑料SMD封裝中的P通道增強(qiáng)模式垂直D-MOS晶體管。 根據(jù)絕對最大額定系統(tǒng)（IEC134）。 注1。脈沖寬度和占空比受最大結(jié)溫度的限制。 2.裝置安裝在環(huán)氧樹脂印刷電路板上，40×40×1.5mm；排水管的安裝墊至少6cm2。符號參數(shù)條件為最小值。

• 供應(yīng)STM32L051K8U6DTR QFPN-32 32位微控制器-MCU 芯片

  接入線超低功率STM32L051x6/8微控制器包括高性能臂皮層-M0+32位RISC核心運(yùn)行在32MHz頻率、內(nèi)存保護(hù)單元(MPU)、高速嵌入式內(nèi)存(64K字節(jié)閃存程序內(nèi)存、2K字節(jié)數(shù)據(jù)EEPROM和8Kb節(jié)RAM內(nèi)存)以及廣泛的增強(qiáng)I/O和外圍設(shè)備。 STM32L051x6/8設(shè)備提供了廣泛性能的高功率效率。它是通過大量的內(nèi)部和外部時(shí)鐘源，內(nèi)部電壓適應(yīng)和幾種低功率模式。 STM32L051x6