【德國(guó)西門康可控硅】可控硅特性

時(shí)間：2021-09-13作者：上海秦邦電子科技有限公司瀏覽：155

可控硅特性





常用的有阻容移相橋觸發(fā)電路、單結(jié)晶體管觸發(fā)電路、晶體三極管觸發(fā)電路、利用小晶閘管觸發(fā)大晶閘管的觸發(fā)電路，等等。
可控硅的主要參數(shù)有：
1、 額定通態(tài)平均電流IT 在一定條件下，陽(yáng)極---陰極間可以連續(xù)通過(guò)的50赫茲正弦半波電流的平均值。
2、 正向阻斷峰值電壓VPF 在控制較開(kāi)路未加觸發(fā)信號(hào)，陽(yáng)極正向電壓還未**過(guò)導(dǎo)能電壓時(shí)，可以重復(fù)加在可控硅兩端的正向峰值電壓?？煽毓璩惺艿恼?/a>電壓峰值，不能**過(guò)手冊(cè)給出的這個(gè)參數(shù)值。
3、 反向阻斷峰值電壓VPR 當(dāng)可控硅加反向電壓，處于反向關(guān)斷狀態(tài)時(shí)，可以重復(fù)加在可控硅兩端的反向峰值電壓。使用時(shí)，不能**過(guò)手冊(cè)給出的這個(gè)參數(shù)值。
4、 觸發(fā)電壓VGT 在規(guī)定的環(huán)境溫度下，陽(yáng)極---陰極間加有一定電壓時(shí)，可控硅從關(guān)斷狀態(tài)轉(zhuǎn)為導(dǎo)通狀態(tài)所需要的較小控制較電流和電壓。
5、 維持電流IH 在規(guī)定溫度下，控制較斷路，維持可控硅導(dǎo)通所必需的較小陽(yáng)極正向電流。許多新型可控硅元件相繼問(wèn)世，如適于高頻應(yīng)用的快速可控硅，可以用正或負(fù)的觸發(fā)信號(hào)控制兩個(gè)方向?qū)ǖ碾p向可控硅，可以用正觸發(fā)信號(hào)使其導(dǎo)通，用負(fù)觸發(fā)信號(hào)使其關(guān)斷的可控硅等等。





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• 詞條

  詞條說(shuō)明

• 晶閘管的工作原理與應(yīng)用

  1 晶閘管(SCR)晶閘管簡(jiǎn)稱晶閘管，又稱可控硅整流元件(SCR),是由三個(gè)PN一種由結(jié)構(gòu)組成的大功率半導(dǎo)體設(shè)備。在性能方面，晶閘管不僅具有單向?qū)щ娦裕冶裙枵髟哂休^有**的可控性。它只有兩種狀態(tài)：導(dǎo)電和關(guān)閉。晶閘管有許多優(yōu)點(diǎn)，如：小功率控制大功率，功率放大倍數(shù)高達(dá)數(shù)十萬(wàn)倍；反應(yīng)快，微秒內(nèi)開(kāi)關(guān)；無(wú)接觸操作，無(wú)火花，無(wú)噪音；效率高，成本低。因此，特別是在大功率方面UPS晶閘管廣泛應(yīng)用于整流電

• 常用的熔斷器有哪些分類？

  （1）插入式熔斷器它常用于380V及以下電壓等級(jí)的線路末端，作為配電支線或電氣設(shè)備的短路保護(hù)用。?（2）螺旋式熔斷器熔體上的上端蓋有一熔斷指示器，一旦熔體熔斷，指示器馬上彈出，可透過(guò)瓷帽上的玻璃孔觀察到，它常用于機(jī)床電氣控制設(shè)備中。螺旋式熔斷器。分?jǐn)嚯娏鬏^大，可用于電壓等級(jí)500V及其以下、電流等級(jí)200A以下的電路中，作短路保護(hù)。?（3）封閉式熔斷器封閉式熔斷器分有填料熔斷器

• 平板式可控硅的制作方法

  **名稱：平板式可控硅的制作方法技術(shù)領(lǐng)域：本實(shí)用新型涉及一種平板式可控硅。背景技術(shù)：可控硅又稱晶間管，晶間管整流器具有耐壓高、容量大、效率高、控制特性好、體積小、壽命長(zhǎng)等諸多優(yōu)點(diǎn)，發(fā)展迅猛。在世紀(jì)應(yīng)用中，大功率晶間管整流裝置一般采用平板式可控硅，其特點(diǎn)是可作雙面冷卻。目前大功率平板式可控硅的封裝普遍采用陶瓷外殼的封裝結(jié)構(gòu)形式，雖然陶瓷材料能夠絕緣、耐熱，但因?yàn)樘沾晒に囈姿?、雜質(zhì)難控制等特點(diǎn)，其加工

• 可控硅模塊分類

  可控硅模塊通常被稱之為功率半導(dǎo)體模塊(semiconductor module)。較早是在1970年由西門康公司率先將模塊原理引入電力電子技術(shù)領(lǐng)域，是采用模塊封裝形式，具有三個(gè)PN結(jié)的四層結(jié)構(gòu)的大功率半導(dǎo)體器件?？煽毓枘K從內(nèi)部封裝芯片上可以分為可控模塊和整流模塊兩大類；從具體的用途上區(qū)分，可以分為：普通晶閘管模塊（MTC\MTX\MTK\MTA)、普通整流管模塊(MDC)、普通晶閘管、整流管混合