【儲(chǔ)存快充芯片】快速充電技術(shù)是什么原理

時(shí)間：2021-09-16作者：深圳市科電電子有限公司瀏覽：455

220V市電經(jīng)變壓器T1降壓，經(jīng)D1－D4全波整流后，供給充電電路工作。

當(dāng)輸出端按正確極性接入設(shè)定的被充電瓶后，若整流輸出脈動(dòng)電壓的每個(gè)半波峰值**過(guò)電瓶的輸出電壓，則可控硅SCR經(jīng)Q的集電極電流觸發(fā)導(dǎo)通，電流經(jīng)可控硅給電瓶充電。

脈動(dòng)電壓接近電瓶電壓時(shí)，可控硅關(guān)斷，停止充電。調(diào)節(jié)R4，可調(diào)節(jié)晶體管Q的導(dǎo)通電壓，一般可將R4由大到小調(diào)整到Q導(dǎo)通能觸發(fā)可控硅（導(dǎo)通）即可。發(fā)光管D5用作電源指示，而D6用作充電指示。

快充三要素

手機(jī)上要實(shí)現(xiàn)快充充電功能需要滿(mǎn)足三要素，三者缺一不可。

充電器、電池、chargeIC。

充電器需要滿(mǎn)足足夠的輸出電流以及輸出電壓，因?yàn)槌潆娖鞯淖呔€有很大的寄生電阻，如果要實(shí)現(xiàn)較大的充電電流，充電器的帶載輸出電壓需要較高。


深圳市科電電子有限公司專(zhuān)注于FPGA廠家,sensor廠家,LDO廠家,UVC,儲(chǔ)存快充芯片,環(huán)境光距離傳感器等

• 詞條

  詞條說(shuō)明

• 光距離傳感器結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)規(guī)范

  1.光傳感器分類(lèi)按功能分類(lèi)1）可見(jiàn)光傳感器，有調(diào)節(jié)背光功能傳感器;2）接近傳感器,有接近功能的傳感器;3）顏色傳感器，是在ALS傳感器基礎(chǔ)上改進(jìn)，用來(lái)偵察環(huán)境的亮度，色彩，溫度，采用軟件調(diào)節(jié)的方式按檢測(cè)到的環(huán)境色彩/色溫來(lái)自動(dòng)調(diào)節(jié)背光的亮度色彩效果，價(jià)格比ALS高近2倍；4）手勢(shì)傳感器，可定義依手勢(shì)來(lái)控制屏幕的相應(yīng)功能。依封裝方式分類(lèi)分二合一和三合一傳感器和四合一，五合一傳感器二合一傳感器：將環(huán)鏡

• UVC工業(yè)相機(jī)

  這些設(shè)備（如IDS生產(chǎn)的USB UVC相機(jī)）的優(yōu)點(diǎn)是它們?cè)谶\(yùn)行時(shí)不需要安裝特殊的驅(qū)動(dòng)程序，因?yàn)闃?biāo)準(zhǔn)的UVC驅(qū)動(dòng)程序能讓不同制造商生產(chǎn)的產(chǎn)品之間可相互兼容。因此，用戶(hù)只需將相機(jī)連接到電腦上，便可直接進(jìn)行圖像傳輸。支持 USB Video Class (UVC) standard 1.1可以讓相機(jī)在所有的作業(yè)系統(tǒng)以及平臺(tái)中使用(Windows, Linux, Mac etc.)。用戶(hù)只需連接相機(jī)便可進(jìn)

• 【FPGA廠家】FPGA基本結(jié)構(gòu)

  FPGA（Field Programmable Gate Array）是在PAL、GAL等可編程器件的基礎(chǔ)上進(jìn)一步發(fā)展的產(chǎn)物。它是作為**集成電路（ASIC）領(lǐng)域中的一種半定制電路而出現(xiàn)的，既解決了定制電路的不足，又克服了原有可編程器件門(mén)電路數(shù)有限的缺點(diǎn)。FPGA 器件屬于**集成電路中的一種半定制電路，是可編程的邏輯列陣，能夠有效的解決原有的器件門(mén)電路數(shù)較少的問(wèn)題。FPGA 的基本結(jié)構(gòu)包括可編程

• 敏芯微電子發(fā)布模擬65dB高信噪比MEMS麥克風(fēng)

  繼2014年陸續(xù)推出數(shù)字多模PDM數(shù)字麥克風(fēng)、I2S數(shù)字輸出麥克風(fēng)以及側(cè)進(jìn)音麥克風(fēng)之后，蘇州敏芯微電子技術(shù)有限公司近期又**新的技術(shù)突破，推出模擬65dB高信噪比MEMS麥克風(fēng)。高信噪比麥克風(fēng)廣泛的用于*手機(jī)客戶(hù)的旗艦機(jī)，在麥克風(fēng)陣列降噪、高保真錄音、以及遠(yuǎn)場(chǎng)音源應(yīng)用時(shí)（如免提通話或錄制視頻），高信噪比麥克風(fēng)可顯著的提高音質(zhì)。與國(guó)外高信噪比產(chǎn)品通常采用的增大MEMS芯片尺寸（通常為1.3*1.3