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    明確了這一點對這一問題可能容易理解。單片機中的高阻態(tài)在51單片機,沒有連接上拉電阻的P0口相比有上拉電阻的P1口在I/O口引腳和電源之間相連是通過一對推挽狀態(tài)的FET來實現(xiàn)的,51具體結(jié)構(gòu)如下圖。組成推挽結(jié)構(gòu),從理論上講是可以通過調(diào)配管子的參數(shù)輕松實現(xiàn)輸出大電流,提高帶載能力,兩個管子根據(jù)通斷狀態(tài)有四種不同的組合,上下管導(dǎo)通相當(dāng)于把電源短路了,這種情況下在實際電路中不能出現(xiàn)。從邏輯電路上來講,上管開-下管關(guān)開時IO與VCC直接相連,IO輸出低電平0,這種結(jié)構(gòu)下如果沒有外接上拉電阻,輸出0就是開漏狀態(tài)(低阻態(tài)),因為I/O引腳是通過一個管子接地的,并不是使用導(dǎo)線直接連接,而一般的MOS在導(dǎo)通狀態(tài)也會有mΩ較的導(dǎo)通電阻。對于S7-1200V4.1以上版本,有6個動態(tài)連接資源可以用于HMI連接。所以它們的HMI連接資源數(shù)可以達到18個。對于之前的版本只能用預(yù)留的HMI連接資源用于HMI訪問。HMI設(shè)備占S7-1200的HMI連接資源個數(shù)基于WinCCTIAPortal的組態(tài):注:"資源數(shù)(默認)"是當(dāng)HMI與S7-1200在一個項目中組態(tài)HMI連接時,會占用S7-1200的組態(tài)的HMI連接個數(shù)。如圖:示例中HMI_2為精智面板。


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