可編程晶振。簡單來說就是一種任意編程頻率的晶振,可以通過一個(gè)發(fā)生器放大或縮小,有選擇地實(shí)現(xiàn)各種總線頻率。在實(shí)際應(yīng)用或初步了解中,會(huì)遇到各種各樣的問題。以下編輯列出了與SiTime可編程晶振相關(guān)的一些常見問題和答案。
OE和ST功能有什么區(qū)別?
SiTime 晶振(引腳1)的大多數(shù)特征引腳可編程為“輸出使能”(OE)或“待機(jī)”(st)功能。在這兩種情況下,拉低引腳1都可以停止器件的輸出振蕩,但方式不同,如下所述。
對(duì)OE引腳施加邏輯低電平只會(huì)禁用輸出驅(qū)動(dòng)器并將其置于Hi-Z模式,但器件的其余部分仍在運(yùn)行。由于輸出無效,功耗降低。例如,對(duì)于3.3V SiT8003 20MHz器件,在15pF負(fù)載下,IDD從4mA降至3.3mA。當(dāng)OE引腳被拉高時(shí),輸出通常小于1us。
當(dāng)ST引腳被拉低時(shí),帶ST引腳的器件進(jìn)入待機(jī)模式。器件內(nèi)部電路全部關(guān)斷,電流降至待機(jī)電流,一般在幾微安范圍。當(dāng)ST被拉高時(shí),器件將執(zhí)行“恢復(fù)”過程,這可能需要3ms至10ms的待機(jī)電流,恢復(fù)時(shí)間在器件數(shù)據(jù)手冊中有規(guī)定。有些SiTime數(shù)據(jù)表沒有規(guī)定恢復(fù)時(shí)間;在這種情況下,恢復(fù)時(shí)間與啟動(dòng)時(shí)間相同。
問:我可以對(duì)SiTime器件進(jìn)行編程以驅(qū)動(dòng)大于15pF的負(fù)載嗎?
是的,具有單端LVCMOS輸出的SiTime器件通常定15pF容性負(fù)載的上升和下降時(shí)間。該器件可以驅(qū)動(dòng)高達(dá)60pF的大負(fù)載,上升和下降時(shí)間較慢。對(duì)于需要快速上升和下降時(shí)間(1ns)并能驅(qū)動(dòng)大容性負(fù)載的應(yīng)用,可根據(jù)要求提供具有高驅(qū)動(dòng)強(qiáng)度輸出的緩沖器件。
問:我可以調(diào)整SiTime 晶振輸出的上升和下降時(shí)間嗎?
是的,用戶可以通過改變驅(qū)動(dòng)電流強(qiáng)度來調(diào)整SiTime振蕩器的輸出緩沖。通過增加或減少輸出級(jí)的較大驅(qū)動(dòng)電流,可以分別減少或增加上升和下降時(shí)間。高驅(qū)動(dòng)電流強(qiáng)度可以驅(qū)動(dòng)較大的負(fù)載,同時(shí)實(shí)現(xiàn)較快的上升和下降時(shí)間。低驅(qū)動(dòng)電流強(qiáng)度可以降低時(shí)鐘邊沿轉(zhuǎn)換速率和潛在的EMI。
可編程晶振怎么使用呢!一般使用的時(shí)候可以直接通過使用說明進(jìn)行操作的。像這樣的精密的產(chǎn)品都是有使用說明書的,只要咱們可以直接通過可編程晶振使用說明進(jìn)行合理的操作就可以了。
當(dāng)然,目前對(duì)于可編程晶振使用方式,可以看使用說明書,還可以看視頻教程,也可以直接詢問可編程晶振客服,一般都是有的簡單的指導(dǎo)服務(wù)的。只要企業(yè)操作人員學(xué)會(huì)操作以后就行了。
詞條
詞條說明
無源晶體分類介紹及重要參數(shù)講解無源晶體的分類晶體振蕩電路等效模型石英晶體是一種可將電能和機(jī)械能相互轉(zhuǎn)化的壓電器件,能量轉(zhuǎn)變發(fā)生在共振頻率點(diǎn)上。它可用如下模型表示:石英晶片經(jīng)過被電級(jí),上架、封裝即成為壓電諧振器。當(dāng)外加電場的交變頻率與石英晶片的固有頻率相接近,且外加電壓的角頻率ω等于石英機(jī)械振動(dòng)的固有諧振角頻率ω時(shí)(取決于石英晶體的幾何尺寸和切型),晶片產(chǎn)生機(jī)械諧振,彈性振動(dòng)通過壓電效應(yīng)與回路相耦合
可編程晶振的關(guān)鍵技術(shù)——鎖相環(huán)原理講解
可編程晶振器是通過數(shù)字控制方式來改變其輸出頻率的裝置,它由晶體和諧振腔兩個(gè)主要部分組成。當(dāng)加電壓時(shí),石英晶體產(chǎn)生振動(dòng)并發(fā)出電信號(hào),此信號(hào)被檢側(cè)并數(shù)字化后,通過處理器進(jìn)行解調(diào),后輸出所需的頻率信號(hào)。而鎖相環(huán)(Phase-Locked Loop,PLL)技術(shù)在可編程晶振中扮演著關(guān)鍵角色,以下是對(duì)可編程晶振中鎖相環(huán)技術(shù)的詳細(xì)講解:一、鎖相環(huán)技術(shù)的基本原理1、鎖相環(huán)是一種利用相位同步產(chǎn)生的電壓去調(diào)諧壓控振
晶振是一種頻率元器件,廣泛使用在電子產(chǎn)品中,例如設(shè)備、手譏、吸塵器、智能穿戴等產(chǎn)品都會(huì)有晶振的存在。我們常見到的晶振有插件晶振,貼片晶振。晶振通常分為無源晶振和有源晶振兩種類型,其中無源晶振為兩腳,有源晶振為四腳,但是,無源晶振也有四腳;四腳無源晶振與四腳有源晶振的區(qū)別是什么,你知道嗎?· 通過引腳區(qū)分無源晶振和有源晶振1.兩腳晶振必為無源晶振,不管是插件晶振或貼片晶振2.?無源晶振相對(duì)
差分晶振在實(shí)際應(yīng)用中有哪些優(yōu)勢
當(dāng)我們采購晶振的時(shí)候往往要注重類型,其中按照輸出模式分工的話晶振可以分為單端或者差分晶振。考慮到很多客戶初次采購晶振時(shí),會(huì)忽略輸出模式等參數(shù),因此接下來說說差分晶振和普通晶振的區(qū)別,以及在實(shí)際應(yīng)用中的優(yōu)勢有哪些?差分晶振和單端晶振抗干擾能力不同當(dāng)我們需要采購和使用晶振產(chǎn)品時(shí),自然不可忽視其輸出類型。平時(shí)看到的普通晶振,都是單端晶振輸出模式單一,相對(duì)的差分晶振的輸出模式 較多樣。單端晶振的優(yōu)勢在于只
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CMOS VC TCXO壓控溫補(bǔ)晶振YSV350TP 6.4至60MHZ 低功耗6mA 高穩(wěn)定性正負(fù)0.5ppm
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表晶YST310S 32.768KHZ 12.5PF 正負(fù)20PPM 負(fù)40至85度 XKXGI112 32.768K
Q MEMS差分壓控振蕩器YSV220PR 122.88MHZ 3.3V 負(fù)40至85度 牽引 正負(fù)50PPM LVDS
石英晶體YSX1210SL 32MHZ 8PF 正負(fù)10PPM 負(fù)40至85度 XL5KI11132M
晶體YSX1612SC 24MHZ 8PF 正負(fù)10PPM 負(fù)40至125度 XC4KO11424M
熱敏晶體YSX211TS 19.2MHZ 7PF 正負(fù)10PPM 負(fù)30至85度 XS7JNGTE19.2M
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