1,務(wù)必選用靠譜生產(chǎn)廠(chǎng)家生產(chǎn)制造的規(guī)范熔體,禁止用銅或鋁絲替代熔體應(yīng)用,較不容許用銅線(xiàn)將斷路器捆扎??; 2,高壓熔斷器的安裝品質(zhì)是不是考慮技術(shù)規(guī)范規(guī)定、熔管安裝視角是不是有25度上下往下傾角; 3,熔體融斷后應(yīng)拆換新的同規(guī)格型號(hào)熔體,不能將融斷后的熔體聯(lián)接起來(lái)又裝進(jìn)熔管中再次應(yīng)用。 4,應(yīng)按時(shí)對(duì)高壓熔斷器開(kāi)展巡查,晚間巡查可發(fā)覺(jué)有沒(méi)有放天藍(lán)色火花放電,若有放電狀況會(huì)伴隨嘶嘶的放電聲響造成。 5,應(yīng)按時(shí)停電了對(duì)高壓熔斷器開(kāi)展以下內(nèi)容的查驗(yàn):靜、動(dòng)斷路器觸碰是不是符合、密不可分完好無(wú)損、有否燙傷印痕; 6,高壓熔斷器旋轉(zhuǎn)部位是不是靈活性、有否生銹、旋轉(zhuǎn)不靈敏等狀況(若有應(yīng)先用砂紙進(jìn)行打磨拋光)、零部件有否受損(如壓簧有否生銹等); 7,熔體自身有否遭受損害、熔體經(jīng)長(zhǎng)期性插電后有否因發(fā)燙而屈伸過(guò)多,在熔管中越來(lái)越松懈乏力; 8,熔管經(jīng)風(fēng)吹日曬后有否損害形變、長(zhǎng)短有否減少; 9,絕緣子有否損害、有否裂縫或放電印痕;與系統(tǒng)軟件聯(lián)接部位有否脫落或放電狀況。
詞條
詞條說(shuō)明
2019"熔斷器技術(shù)與應(yīng)用”論壇圓滿(mǎn)舉辦
4月18日,由西安交通大學(xué)倡導(dǎo),全國(guó)熔斷器標(biāo)準(zhǔn)化技術(shù)**秘書(shū)處主辦,西安中熔電氣承辦的**屆“熔斷器技術(shù)與應(yīng)用“論壇在西安圓滿(mǎn)舉辦。 作為國(guó)內(nèi)一個(gè)熔斷器領(lǐng)域的專(zhuān)業(yè)化論壇,本次論壇特邀請(qǐng)12位行業(yè)*及百名國(guó)內(nèi)外*企業(yè)代表、應(yīng)用客戶(hù)、大學(xué)、研究所齊聚一堂,圍繞熔斷器產(chǎn)品 技術(shù)的發(fā)展、應(yīng)用及標(biāo)準(zhǔn)化等議題在會(huì)議上作了主題報(bào)告。 首先,出席本次論壇的全國(guó)熔斷器標(biāo)準(zhǔn)化技術(shù)**主任委員季慧玉致開(kāi)幕辭,并
先試后買(mǎi)的高效節(jié)能電源設(shè)計(jì)方法
圖1:柵較驅(qū)動(dòng)評(píng)估平臺(tái)包括主板、兩個(gè)插件柵較驅(qū)動(dòng)器模塊,以及支持高達(dá)5千瓦輸出功率的散熱器和風(fēng)扇。 碳化硅MOSFET具有較低的導(dǎo)通電阻,可以在開(kāi)關(guān)狀態(tài)之間快速地來(lái)回切換。因此,它們比絕緣柵雙較晶體管(IGBT)消耗的功率小得多,IGBT具有較慢的關(guān)斷速度和較高的關(guān)斷開(kāi)關(guān)功率損耗。此外,碳化硅的寬帶隙使碳化硅器件能夠在高壓下工作。相反,硅基MOSFET不能同時(shí)實(shí)現(xiàn)高阻斷電壓和低導(dǎo)通電阻。因此,碳
1,務(wù)必選用靠譜生產(chǎn)廠(chǎng)家生產(chǎn)制造的規(guī)范熔體,禁止用銅或鋁絲替代熔體應(yīng)用,較不容許用銅線(xiàn)將斷路器捆扎?。?2,高壓熔斷器的安裝品質(zhì)是不是考慮技術(shù)規(guī)范規(guī)定、熔管安裝視角是不是有25度上下往下傾角; 3,熔體融斷后應(yīng)拆換新的同規(guī)格型號(hào)熔體,不能將融斷后的熔體聯(lián)接起來(lái)又裝進(jìn)熔管中再次應(yīng)用。 4,應(yīng)按時(shí)對(duì)高壓熔斷器開(kāi)展巡查,晚間巡查可發(fā)覺(jué)有沒(méi)有放天藍(lán)色火花放電,若有放電狀況會(huì)伴隨嘶嘶的放電聲響造成。 5,應(yīng)
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