Quantum/140DAO85300/開出32點AC隔離

時間：2020-11-27

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 內光電效應
    當價帶中的電子吸收了能量大于禁帶寬度的光子就能夠躍遷到導帶中，與此同時在價帶中留下空穴，統(tǒng)稱為光生載流子，由此產生的附加導電現(xiàn)象稱為光電導。在外場驅使下光生載流子貢獻的電流稱為光電流。這種光電子效應因發(fā)生在半導體內，故稱為內光電效應。內光電效應是一切光電子接收和能量轉換器件的基礎。
    外光電效應
    半導體中電子吸收較高能量的光子而被激發(fā)成為熱電子，有可能克服晶格場的束縛逸出體外成為自由電子,這又稱光電子**效應。圖2是一個具有理想表面的半導體的能帶圖，EC、EV分別表示導帶底和價帶**,E0為體外真空能級,x為電子親和勢(表示導帶底的電子逸出體外所需克服的晶體束縛能),EF為費米能級位置,φ為逸出功,ET=x+EV為光電子**閾能。

詞條
詞條說明
本特利 330105-02-12-10-02-05 電氣
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