離子束拋光適用于大面積、異型、特殊材料等加工對象的非接觸式修形及拋光, 精度可達亞納米級, 被譽為拋光. 離子束拋光機的部件是可聚焦的高能量離子源. 上海伯東某客戶為精密光學元器件設備制造商, 主要產(chǎn)品為離子束拋光機、磁流變拋光機等, 提供精密光學工藝制造研發(fā)服務, 是一家精密光學元器件解決方案提供商. 經(jīng), 該客戶采用上海伯東美國 KRi 直流電源式考夫曼離子源 KDC 系列成功應用于光學鍍膜離子束拋光機.
KRI 離子源用于離子束拋光機:
應用方向:非接觸式亞納米離子束表面修形
應用領域:半導體/精密光學
產(chǎn)品類別:高精密光學器件
加工指標:
1. 加工尺寸能力 5-1200mm ;
2. 采用非接觸式加工, 無邊緣效應, 不產(chǎn)生亞表面損傷;
3. 亞納米加工精度, 可實現(xiàn)面型 RMS<3nm 拋光能力;
4. 加工光學元器件形狀有:平面、球面、非球面、自由曲面、離軸非球面等;
5. 加工光學元器件材料有:石英玻璃、微晶、低膨脹玻璃、KDP 晶體、藍寶石、硅、碳化硅、紅外材料等.
美國 KRI 考夫曼公司新升級 Gridded KDC 系列離子源, 新的特性包含自對準離子光學和開關式電源控制. 考夫曼離子源 KDC 系列包含多種不同尺寸的離子源滿足各類應用. 考夫曼離子源通過控制離子的強度及濃度, 使拋光刻蝕速率快準確, 拋光后的基材上獲得平坦, 均勻性高的薄膜表面. KDC 考夫曼離子源內(nèi)置型的設計符合離子源在離子拋光機內(nèi)部的移動運行.
上海伯東美國 KRi 考夫曼離子源 KDC 系列根據(jù)客戶離子拋光工藝條件提供如下型號:
型號 | KDC 10 | KDC 40 | KDC 75 | KDC 100 | KDC 160 |
Discharge 陽 | DC 電流 | DC 電流 | DC 電流 | DC 電流 | DC 電流 |
離子束流 | >10 mA | >100 mA | >250 mA | >400 mA | >650 mA |
離子動能 | 100-1200 V | 100-1200 V | 100-1200 V | 100-1200 V | 100-1200 V |
柵直徑 | 1 cm Φ | 4 cm Φ | 7.5 cm Φ | 12 cm Φ | 16 cm Φ |
離子束 | 聚焦, 平行, 散射 |
| |||
流量 | 1-5 sccm | 2-10 sccm | 2-15 sccm | 2-20 sccm | 2-30 sccm |
通氣 | Ar, Kr, Xe, O2, N2, H2, 其他 | ||||
典型壓力 | < 0.5m Torr | < 0.5m Torr | < 0.5m Torr | < 0.5m Torr | < 0.5m Torr |
長度 | 11.5 cm | 17.1 cm | 20.1 cm | 23.5 cm | 25.2 cm |
直徑 | 4 cm | 9 cm | 14 cm | 19.4 cm | 23.2 cm |
中和器 | 燈絲 |
上海伯東同時提供真空系統(tǒng)所需的渦輪分子泵, 真空規(guī), 高真空插板閥等產(chǎn)品, 協(xié)助客戶生產(chǎn)研發(fā)高質(zhì)量的真空系統(tǒng).
1978 年 Dr. Kaufman 博士在美國創(chuàng)立 Kaufman & Robinson, Inc 公司, 研發(fā)生產(chǎn)考夫曼離子源, 霍爾離子源和射頻離子源. 美國考夫曼離子源歷經(jīng) 40 年改良及發(fā)展. 離子源廣泛用于離子清洗 PC, 離子蝕刻 IBE, 輔助鍍膜 IBAD, 離子濺射鍍膜 IBSD 領域.
若您需要進一步的了解詳細信息或討論, 請參考以下聯(lián)絡方式:
上海伯東: 羅小姐
詞條
詞條說明
上海伯東美國?HVA 真空閥門選型實例產(chǎn)品系列特點口徑HVA 真空閘閥 11000 系列介面, 控制方式全包括DN 16 到 DN 600HVA 真空層流閘閥 13000系列防腐蝕DN 40 到 DN 300HVA 真空層流閘閥 16000系列防顆粒污染DN 40 到 DN 350HVA 矩形閥 21200 系列長使用壽命DN 16 到 DN 300HVA 3位真空閘閥 21700系列
半導體材料(semiconductor material)是一類具有半導體性能(導電能力介于導體與絕緣體之間,電阻率約在1mΩ·cm~1GΩ·cm范圍內(nèi))、可用來制作半導體器件和集成電路的電子材料。二氧化硅是制造玻璃、石英玻璃、水玻璃、光導纖維、電子工業(yè)的重要部件、光學儀器、工藝品和耐火材料的原料,是科學研究的重要材料。?本文主要介紹上海伯東KRI離子源在半導體材料SiO2中的預清洗及刻
因產(chǎn)品配置不同,價格貨期需要電議,圖片僅供參考,一切以實際成交合同為準。HVA 高真空閘閥應用于 E-Beam 鍍膜機E-Beam 電子束蒸發(fā)鍍膜機用于在半導體, 光學, **導材料等行業(yè)的研究與生產(chǎn), 比如基片蒸發(fā)沉積金屬, 導電薄膜, 半導體薄膜, 鐵電薄膜, 光學薄膜和介質(zhì)材料.E-Beam 鍍膜機設備組成:?系統(tǒng)主要由蒸發(fā)室, 電子, 進樣室 (可選) , 旋轉(zhuǎn)基片加熱臺, 工作氣
因產(chǎn)品配置不同,價格貨期需要電議,圖片僅供參考,一切以實際成交合同為準。HVA?高真空閘閥應用于 OLED 鍍膜機OLED 鍍膜機主要面向半導體照明客戶, 需要鍍膜機性能穩(wěn)定, 器件效率高, *,HVA?高真空閘閥應用一般科研用鍍膜機的基片尺寸在 4”和6”大小, 本底真空度要求達到 5*10-7mbar 或 5*10-8mbar, 這時需要配置分子泵系統(tǒng)或低溫泵
公司名: 伯東企業(yè)(上海)有限公司
聯(lián)系人: 葉南晶
電 話: 021-50463511
手 機: 13918837267
微 信: 13918837267
地 址: 上海浦東高橋上海浦東新區(qū)新金橋路1888號36號樓7樓702室
郵 編:
網(wǎng) 址: hakuto2010.cn.b2b168.com
公司名: 伯東企業(yè)(上海)有限公司
聯(lián)系人: 葉南晶
手 機: 13918837267
電 話: 021-50463511
地 址: 上海浦東高橋上海浦東新區(qū)新金橋路1888號36號樓7樓702室
郵 編:
網(wǎng) 址: hakuto2010.cn.b2b168.com
實驗室或現(xiàn)場檢測氧含量 奧豪斯ST300D便攜式溶解氧測定儀
¥13406.00
¥28500.00
汽車尾氣污染物 Handset-G便攜式汽油車尾氣分析儀 藍牙無線打印
¥12000.00
¥2150.00
豬瘟病毒檢測儀 TH-P1600 非洲豬瘟PCR檢測儀 豬瘟快速診斷
¥45000.00
¥3799.00