淺析LED芯片倒裝技術(shù)

時(shí)間：2015-04-27作者：濟(jì)南萬(wàn)惠電子技術(shù)有限公司瀏覽：76

目前LED行業(yè)內(nèi)各廠家產(chǎn)品雷同，抄襲現(xiàn)象嚴(yán)重，LED產(chǎn)業(yè)技術(shù)研發(fā)創(chuàng)新遇到瓶頸，國(guó)內(nèi)少數(shù)較有實(shí)力的廠家力圖突破困境，在技術(shù)創(chuàng)新上有所斬獲。LED芯片是LED產(chǎn)品的控制大腦，是LED產(chǎn)品至關(guān)重要的組件，業(yè)內(nèi)技術(shù)研發(fā)人員針對(duì)芯片的封裝技術(shù)推出了LED芯片倒裝技術(shù)。

LED芯片倒裝技術(shù)，通過(guò)在藍(lán)寶石襯底上利用微粒子的自組裝排列和激光照射方法制備高分子材料微米或微米級(jí)微凸透鏡陣列層，并通過(guò)使用ICP（耦合離子刻蝕）或RIE（反應(yīng)離子刻蝕）設(shè)備，利用氯離子及氬離子對(duì)高分子材料威圖透鏡陣列進(jìn)行干法刻蝕，將藍(lán)寶石基片上的高分子材料微凸透鏡陣列轉(zhuǎn)移到藍(lán)寶石基片表面上，從而在藍(lán)寶石基片上制備出微米或亞微米級(jí)微凸透鏡，以十分有效地提高發(fā)光二極管LED倒裝芯片的出光效率和改善LED元件的質(zhì)量和器件的性能。倒裝芯片的實(shí)質(zhì)是相對(duì)于傳統(tǒng)的金屬線鍵合連接方式（Wire Bonding）與植球后的工藝而言 的。傳統(tǒng)的通過(guò)金屬線鍵合與基板連接的晶片電氣面朝上，而倒裝晶片的電氣面朝下，相當(dāng)于將前者翻轉(zhuǎn)過(guò)來(lái)，在傳統(tǒng)工藝的基礎(chǔ)上，將芯片的發(fā)光區(qū)與電極區(qū)不設(shè)計(jì)在同一個(gè)平面這時(shí)則由電極區(qū)面朝向燈杯底部進(jìn)行貼裝，可以省掉焊線這一工序，但是對(duì)固晶這段工藝的精度要求較高，一般很難達(dá)到較高的良率。

LED芯片倒裝技術(shù)較傳統(tǒng)封裝技術(shù)表現(xiàn)出較明顯的優(yōu)勢(shì)：

1 尺寸較小，光學(xué)較容易匹配，發(fā)光效率得到提升

2 抗靜電能力較強(qiáng)

3 散熱能力較強(qiáng)

4 藍(lán)寶石不產(chǎn)生熱量，可增大使用電流，延長(zhǎng)顯示屏壽命

5 提高了封裝的可靠性跟生產(chǎn)良率

6 提高了LED芯片的穩(wěn)定性

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LED倒裝技術(shù)同時(shí)也有其阻礙發(fā)展的方面：

1 技術(shù)要求較高，廣泛應(yīng)用還有待時(shí)日

2制作設(shè)備要求較高，增加了制作成本，諸多企業(yè)目前難以接受

3 價(jià)格過(guò)高也是一個(gè)非常重要的限制條件。

LED芯片倒裝技術(shù)發(fā)展前景

“芯片級(jí)”模組化產(chǎn)品是未來(lái)LED芯片的一個(gè)重要發(fā)展方向。芯片級(jí)LED模組，單顆芯片間通過(guò)基板內(nèi)的電路實(shí)現(xiàn)串并聯(lián)連接，解決傳統(tǒng)模組集成依靠金線進(jìn)行串并聯(lián)的問(wèn)題，大幅度提升產(chǎn)品良品率，較大地降低了整個(gè)封裝流程的生產(chǎn)成本，嚴(yán)格控制集成模組芯片的各芯片間的參數(shù)差異，保證模組芯片長(zhǎng)期使用的可靠性，同時(shí)模組芯片可以作為單元，進(jìn)行串并聯(lián)拼接，形成較大功率的模組。 利用倒裝技術(shù)，可以在“芯片級(jí)”上實(shí)現(xiàn)不同尺寸、顏色、形狀、功率的多芯片集成，實(shí)現(xiàn)**大功率模組產(chǎn)品，這是任何其它的芯片技術(shù)不能達(dá)到的優(yōu)勢(shì)。

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