IRFP460APBF VISHAY 500V/20A TO-247 功率MOSFET

時(shí)間：2017-05-19作者：深圳市雅迪斯電子有限公司瀏覽：72

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IRFP460APBF VISHAY 500V/20A TO-247 功率MOSFET
IRFP460APBF Vishay N溝道 MOSFET 晶體管 IRFP460APBF, 20 A, Vds=500 V, 3針 TO-247AC封裝
IRFP460APBF規(guī)格書
IRFP460APBF圖片

IRFP460APBF特性
?低閘較電荷路上導(dǎo)致簡單的驅(qū)動(dòng)要求
?改善門,雪崩和動(dòng)態(tài)dV / dt強(qiáng)度
?完全具有電容和雪崩電壓和電流
?有效輸出電容*
?符合RoHS指令2002/95 / EC
IRFP460APBF應(yīng)用
?開關(guān)模式電源(SMPS)
?不間斷電源
?高速功率切換
典型SMPS拓?fù)?
=全橋
? PFC升壓
IRFP460APBF一般信息
數(shù)據(jù)列表	IRFP460A;
標(biāo)準(zhǔn)包裝	500
包裝	管件 
類別	分立半導(dǎo)體產(chǎn)品
產(chǎn)品族	晶體管 - FET，MOSFET - 單
系列	-
其它名稱	*IRFP460A 

規(guī)格
FET 類型	N 溝道
技術(shù)	MOSFET（金屬氧化物）
漏源較電壓（Vdss）	500V
電流 - 連續(xù)漏較（Id）（25°C 時(shí)）	20A（Tc）
不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（較大值）	4V @ 250μA
不同 Vgs 時(shí)的柵較電荷 （Qg）（較大值）	105nC @ 10V
不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）（較大值）	3100pF @ 25V
FET 功能	-
功率耗散（較大值）	280W（Tc）
不同 Id，Vgs 時(shí)的 Rds On（較大值）	270 毫歐 @ 12A，10V
工作溫度	-55°C ~ 150°C（TJ）
安裝類型	通孔
供應(yīng)商器件封裝	TO-247-3
封裝/外殼	TO-247-3


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• 詞條

  詞條說明

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