肖特基二管的內(nèi)部結(jié)構(gòu)

時(shí)間：2021-11-15作者：深圳市維品佳科技有限公司瀏覽：394

肖特基二管的內(nèi)部結(jié)構(gòu)

肖特基（Schottky）二管也稱肖特基勢(shì)壘二管（簡(jiǎn)稱SBD），是由金屬與半導(dǎo)體接觸形成的勢(shì)壘層為基礎(chǔ)制成的二管，



其主要特點(diǎn)是正向?qū)▔航敌。s0.45V），反向恢復(fù)時(shí)間短和開(kāi)關(guān)損耗小，是一種低功耗、高速半導(dǎo)體器件。肖特基二管在結(jié)構(gòu)原理上與PN結(jié)二管有很大區(qū)別，

它的內(nèi)部是由陽(yáng)金屬（用鉬或鋁等材料制成的阻擋層）、二氧化硅（SiO2）電場(chǎng)消除材料、N-外延層（砷材料）、N型硅基片、N+陰層及陰金屬等構(gòu)成

在N型基片和陽(yáng)金屬之間形成肖特基勢(shì)壘。

當(dāng)在肖特基勢(shì)壘兩端加上正向偏壓（陽(yáng)金屬接電源正，N型基片接電源負(fù)）時(shí)，肖特基勢(shì)壘層變窄，其內(nèi)阻變??；

反之，若在肖特基勢(shì)壘兩端加上反向偏壓時(shí)，肖特基勢(shì)壘層則變寬，其內(nèi)阻變大。

肖特基二管存在的問(wèn)題是耐壓比較低，反向漏電流比較大。

目前應(yīng)用在功率變換電路中的肖特基二管的大體水平是耐壓在150V以下，平均電流在100A以下，反向恢復(fù)時(shí)間在10～40ns。肖

特基二管應(yīng)用在高頻低壓電路中，是比較理想的。

關(guān)鍵詞：  肖特基二管  AC-DC電源芯片  7812晶體管

編輯精選內(nèi)容：

電源ic工作原理及特性

MOS場(chǎng)效應(yīng)管檢測(cè)方法

揭秘電源IC的作用是什么

電源IC對(duì)封裝的要求

肖特基二管不同封裝的功能

淺析電源IC的發(fā)展趨勢(shì)和現(xiàn)狀


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• 詞條

  詞條說(shuō)明

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