肖特基二極管是以其**肖特基博士研究生(Schottky)取名的,SBD是肖特基能隙二極管(SchottkyBarrierDiode,縮寫成SBD)的通稱。SBD并不是運用P型半導(dǎo)體與N型半導(dǎo)體觸碰產(chǎn)生PN結(jié)基本原理制做的,反而是運用金屬材料與半導(dǎo)體材料觸碰產(chǎn)生的金屬材料-半導(dǎo)體材料結(jié)基本原理制做的。因而,SBD也稱之為金屬材料-半導(dǎo)體材料(觸碰)二極管或表面能隙二極管,它是一種熱自由電子二極管。
圖中是在電子元件采購平臺油柑網(wǎng)買的肖特基二極管 SS14 ** A(DO-214AC) 40V,1A,VF=0.55V 1A,肖特基二極管是近幾年來面世的功耗低、大電流量、快速半導(dǎo)體元器件。其反向恢復(fù)時間非常短(可以小到幾納秒),正指導(dǎo)通損耗僅0.4V上下,而整流器電流量卻可做到好幾千mAh。這種優(yōu)質(zhì)特點是快修復(fù)二極管所無法相提并論的。中、小輸出功率肖特基整流器二極管大多數(shù)選用封裝類型。
肖特基二極管封裝形式
肖特基二極管分成有導(dǎo)線和表面安裝(貼片)二種封裝類型,選用有導(dǎo)線式封裝形式的肖特基二極管通常做為高頻率大電流量整流器二極管、續(xù)流二極管或維護二極管應(yīng)用。它有多管式和對管(雙二極管)式這兩種封裝類型。
肖特基對管又有共陰(兩管的負(fù)級相接)、共陽(兩管的正級相接)和串連(一只二極管的正級接另一只二極管的負(fù)級)三種引腳引出方法。
選用表面封裝形式的肖特基二極管有多管型、雙管形和三管型等多種多樣封裝類型,有A~19種引腳引出方法。
肖特基二極管功效
肖特基(Schottky)二極管,又被稱為肖特基能隙二極管(通稱 SBD),它屬一種功耗低、快速半導(dǎo)體元器件。較明顯的特性為反向恢復(fù)時間非常短(可以小到幾納秒),正指導(dǎo)通損耗僅0.4V上下。其多用于高頻率、低電壓、大電流量整流器二極管、續(xù)流二極管、維護二極管,也有效在微波通信等電源電路中作整流器二極管、小數(shù)據(jù)信號檢波二極管應(yīng)用。在通信電源、變頻調(diào)速器等中較為普遍。
一個非常典型的運用,是在雙較型電子管 ** T 的開關(guān)電源電路里邊, 根據(jù)在 ** T 上聯(lián)接 Shockley 二極管來箝位,促使電子管在關(guān)斷情況時實際上處在很貼近截至情況,進而提升電子管的電源開關(guān)速率。這類方式 是 74LS,74ALS,74AS 等典型性數(shù)據(jù) IC 的 TTL內(nèi)部電源電路中采用的技術(shù)性。
肖特基(Schottky)二極管的較大的特性是正方向損耗 VF 較為小。在一樣電流量的情形下,它的正方向損耗要小很多。此外它的修復(fù)時間短速度快。它還有一些缺陷:抗壓較為低,泄露電流稍大點。采用時要*考慮到。
肖特基二極管一般用在開關(guān)電源次級線圈導(dǎo)出整流器上邊。
功效或是整流器,其優(yōu)點是正方向壓減少,反向恢復(fù)時間快,因此總體耗損會比其余的二極管低許多。
B5819W為集電結(jié)電流量1A 基較工作電壓40V的貼片式肖特基管,1**819為主要參數(shù)同樣的軟件式肖特基管,2個管僅僅封裝形式不一樣。簡易來講便是一個是貼片式的 一個是壓接件式的。
SBD具備電源開關(guān)頻率高和正方向壓減少等優(yōu)勢,但其反方向擊穿電壓較為低,大多數(shù)不高過60V,較大僅約100V,以至于限定了其使用范疇。像在開關(guān)電源電路( ** PS)和功率因數(shù)校正(PFC)電源電路中輸出功率電源開關(guān)元器件的續(xù)流二極管、變電器次級線圈用100V以上的高頻率整流器二極管、RCD油壓緩沖器電源電路選用600V~1.2kV的快速二極管及其PFC變壓用600V二極管等,僅有應(yīng)用迅速修復(fù)外延性二極管(FRED)和**迅速修復(fù)二極管(UFRD)?,F(xiàn)階段UFRD的反向恢復(fù)時間Trr也在20ns以上,壓根不可以達到像太空站等行業(yè)用1MHz~3MHz的 ** PS必須。即使是硬電源開關(guān)為100kHz的 ** PS,因為UFRD的關(guān)斷耗損和開關(guān)損耗均比較大,殼溫很高,要用比較大的熱管散熱器,進而使 ** PS容積和凈重提升,不符微型化和**薄化的發(fā)展趨向。因而,發(fā)展趨勢100V以上的髙壓SBD,一直是我們探討的課題研究和關(guān)心的網(wǎng)絡(luò)熱點。
SBD的具體特點包含2個層面:
1)因為肖特基勢壘高度小于PN結(jié)勢壘高度,所以正指導(dǎo)通幅值工作電壓和正方向損耗都比PN結(jié)二極管低(約低0.2V)。
2)因為SBD是一種大部分自由電子導(dǎo)電性元器件,不會有較少數(shù)自由電子使用壽命和反向恢復(fù)問題。SBD的反向恢復(fù)時間僅僅肖特基能隙電容器的充、充放電時間,徹底有別于PN結(jié)二極管的反向恢復(fù)時間。因為SBD的反向恢復(fù)正電荷很少,故電源開關(guān)速率十分快,開關(guān)損耗也尤其小,特別是在合適于高頻率運用。
可是,因為SBD的反方向能隙較薄,而且在其表面非常容易產(chǎn)生穿透,因此反方向擊穿電壓較為低。因為SBD比PN結(jié)二極管較非常容易受擊穿,反方向泄露電流比PN結(jié)二極管大。
以上便是肖特基二極管封裝形式_肖特基二極管功效,期待對諸位有協(xié)助。
詞條
詞條說明
STN410D替代AOD400、AOD410、AOD420描述stn4102是N溝道增強型功率場效應(yīng)晶體管邏輯它是利用高密度,DMOS器件溝道技術(shù)。有了stn410d特別設(shè)計,以提高直流/直流轉(zhuǎn)換器的整體效率無論是同步或傳統(tǒng)的開關(guān)型脈寬調(diào)制控制器。它已被優(yōu)化低柵較電荷,低的RDS(on)和快速開關(guān)速度。特征30V / 15.0A,RDS(ON)= 32mΩ@ VGS = 10V30V / 8.0A
ST25N10 TO-252 N100V 12A 閩臺STANSON/司坦森
描述st25n10是N溝道增強型功率場效應(yīng)晶體管邏輯它是利用高密度,DMOS器件溝道技術(shù)。有了st16n10特別設(shè)計,以提高直流/直流轉(zhuǎn)換器的整體效率無論是同步或傳統(tǒng)的開關(guān)型脈寬調(diào)制控制器。它已被優(yōu)化低柵較電荷,低的RDS(on)和快速開關(guān)速度。特征100V/12.0A,RDS(ON)= 40mΩ@ VGS = 10V100V/10.0A,RDS(ON)= 45mΩ@ VGS = 4.5V**高密度
STANSON原廠STP4407 參數(shù)P30V 10A
STP4407可替代APM4315K、AO4407、AO4335、Si4435DDY、產(chǎn)品說明STP4407是P通道邏輯增強型功率場效應(yīng)晶體管采用高密度DMOS溝槽技術(shù)生產(chǎn)。這種高密度工藝特別適合于小化導(dǎo)通電阻。這些設(shè)備特別適合低電壓應(yīng)用,如蜂窩電話和筆記本電腦電源管理和其他電池供電高壓側(cè)開關(guān)電路。產(chǎn)品參數(shù):-30V/-10A,RDS(開)=15mΩ@VGS=-10V-30V/-6.0A,RDS(
二極管,(英文:Diode),電子元器件之中,一種具備2個金屬電極的設(shè)備,只容許電流由單一方位穿過,很多的運用是應(yīng)用其整流器的功能。而變?nèi)荻O管(VaricapDiode)則用于作為電子式的可調(diào)式電力電容器。絕大多數(shù)二極管所擁有的電流專一性大家通常稱作“整流器(Rectifying)”功能。二極管較廣泛的功能便是只容許電流由單一方位根據(jù)(稱為正向偏壓),反方向時阻隔(稱為反向偏壓)。因而,二極管可
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