鵬城半導(dǎo)體技術(shù)(深圳)有限公司研發(fā)設(shè)計(jì)制造了熱絲CVD金剛石設(shè)備,分為實(shí)驗(yàn)型設(shè)備和生產(chǎn)型設(shè)備兩類。
設(shè)備主要用于微米晶和納米晶金剛石薄膜、導(dǎo)電金剛石薄膜、硬質(zhì)合金基金剛石涂層刀具、陶瓷軸承內(nèi)孔鍍金剛石薄膜等。例如可用于生產(chǎn)制造環(huán)保領(lǐng)域污水處理用的耐腐蝕金剛石導(dǎo)電電極。
可用于平面工件的金剛石薄膜制備,也可用于刀具表面或其它不規(guī)則表面的金剛石硬質(zhì)涂層制備。
平面工作尺寸
圓形平面工作的尺寸:較大φ650mm。
矩形工作尺寸的寬度600mm/長(zhǎng)度可根據(jù)鍍膜室的長(zhǎng)度確定(如:工件長(zhǎng)度1200mm)。
配置冷水樣品臺(tái)。
熱絲電源功率
可達(dá)300KW,1KW ~300KW可調(diào)(可根據(jù)用戶工藝需求配置功率范圍)
設(shè)備安全性
-電力系統(tǒng)的檢測(cè)與保護(hù)
-設(shè)置真空檢測(cè)與報(bào)警保護(hù)功能
-冷卻循環(huán)水系統(tǒng)壓力檢測(cè)和流量檢測(cè)與報(bào)警保護(hù)
-設(shè)置水壓檢測(cè)與報(bào)警保護(hù)裝置
-設(shè)置水流檢測(cè)報(bào)警裝置
設(shè)備構(gòu)成
真空室構(gòu)成
雙層水冷結(jié)構(gòu),立式圓形、立式D形、立式矩形、臥式矩形,前后開(kāi)門,真空尺寸,根據(jù)工件尺寸和數(shù)量確定。
熱絲
熱絲材料:鉭絲、或鎢絲
熱絲溫度:1800℃~ 2500℃ 可調(diào)
樣品臺(tái)
可水冷、可加偏壓、可旋轉(zhuǎn)、可升降 ,由調(diào)速電機(jī)控制,可實(shí)現(xiàn)自動(dòng)升降,(熱絲與襯底間距在5 ~ 100mm范圍內(nèi)可調(diào)),要求升降平穩(wěn),上下波動(dòng)不大于0.1mm。
工作氣路(CVD)
工作氣路根據(jù)用戶工藝要求配置:
下面氣體配置是某一用戶的配置案例。
H2(5000sccm,濃度**)
CH4(200sccm,濃度**)
B2H6(50sccm,H2濃度99%)
Ar(1000sccm,濃度**)
真空獲得及測(cè)量系統(tǒng)
控制系統(tǒng)及軟件
二、實(shí)驗(yàn)型 熱絲CVD金剛石設(shè)備
單面熱絲CVD金剛石設(shè)備
雙面熱絲CVD金剛石設(shè)備
生產(chǎn)型熱絲CVD金剛石設(shè)備
可制備金剛石面積-寬650*1200mm
可制備金剛石φ 650mm
公司已投放市場(chǎng)的部分半導(dǎo)體設(shè)備
|物理氣相沉積(PVD)系列
磁控濺射鍍膜機(jī)、電子束鍍膜機(jī)、熱蒸發(fā)鍍膜機(jī),激光沉積設(shè)備PLD、離子束濺射鍍膜機(jī)、磁控與離子束復(fù)合鍍膜機(jī)
|化學(xué)氣相沉積(CVD)系列
MOCVD、PECVD、LPCVD、微波等離子體CVD、熱絲CVD、原子層沉積設(shè)備ALD
|**高真空系列
分子束外延系統(tǒng)(MBE)、激光分子束外延系統(tǒng)(LMBE)
|成套設(shè)備
團(tuán)簇式太陽(yáng)能薄膜電池中試線、OLED中試設(shè)備(G1、G2.5)
|其它
金剛石薄膜制備設(shè)備、硬質(zhì)涂層設(shè)備、磁性薄膜設(shè)備、電極制備設(shè)備、合金退火爐
|真空鍍膜機(jī)**電源/真空鍍膜機(jī)控制系統(tǒng)及軟件
直流濺射電源、RF射頻濺射電源、高精度熱蒸發(fā)電源、高能直流脈沖電源(中頻可調(diào)脈寬)、控制系統(tǒng)及軟件
團(tuán)隊(duì)部分業(yè)績(jī)分布
完全自主設(shè)計(jì)制造的分子束外延(MBE)設(shè)備,包括自主設(shè)計(jì)制造的MBE**高真空外延生長(zhǎng)室、工藝控制系統(tǒng)與軟件、高溫束源爐、高溫樣品臺(tái)、Rheed原位實(shí)時(shí)在線監(jiān)控儀(反射高能電子衍射儀)、直線型電子槍、膜厚儀(可計(jì)量外延生長(zhǎng)的分子層數(shù))、射頻源等關(guān)鍵部件。真空度達(dá)到2×10-8Pa。典型用戶:浙江大學(xué)光學(xué)儀器國(guó)家重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室。
采用磁控濺射與等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積PECVD技術(shù),設(shè)計(jì)制造了團(tuán)簇式太陽(yáng)能薄膜電池中試線。典型用戶:中科院電工所。
采用熱絲法,設(shè)計(jì)制造了金剛石薄膜制備設(shè)備,應(yīng)用于金剛石薄膜材料的研究與生產(chǎn)。典型用戶:中國(guó)科學(xué)院金屬研究所。
設(shè)計(jì)制造了全自動(dòng)磁控濺射設(shè)備,可加水平磁場(chǎng)和垂直磁場(chǎng),自行設(shè)計(jì)的真空機(jī)械手傳遞基片。應(yīng)用于高密度磁記錄材料與器件的研究和中試。典型用戶:武漢國(guó)家光電實(shí)驗(yàn)室。
設(shè)計(jì)制造了科研型的磁控濺射儀,典型用戶:南方科技、哈爾濱工業(yè)大學(xué)、南京大學(xué)、浙江大學(xué)、南開(kāi)大學(xué)、武漢理工大學(xué)。
設(shè)計(jì)制造了磁控濺射生產(chǎn)型設(shè)備,用于半導(dǎo)體器件的生產(chǎn),典型用戶:武漢光迅科技有限公司、深圳彩煌熱電技術(shù)公司。
設(shè)計(jì)制造了OLED**半導(dǎo)體發(fā)光材料及器件的研究和中試成套裝備。典型用戶:中國(guó)香港城市大學(xué)**材料實(shí)驗(yàn)室、吉林奧來(lái)德光電材料股份有限公司。
設(shè)計(jì)制造了電子束鍍膜機(jī)。典型用戶:武漢理工大學(xué)、南方科技大學(xué)、中國(guó)計(jì)量大學(xué)。
設(shè)計(jì)制造了高真空電阻熱蒸發(fā)鍍膜機(jī)、高真空電極制備鍍膜機(jī)。典型用戶:江蘇大學(xué)、北京大學(xué)。
團(tuán)隊(duì)在*三代半導(dǎo)體裝備及工藝方面的技術(shù)積累
2019年
設(shè)計(jì)制造了大型熱絲CVD金剛石薄膜的生產(chǎn)設(shè)備。
2017年
-優(yōu)化Rheed設(shè)計(jì),開(kāi)始生產(chǎn)型MBE設(shè)計(jì)。
-開(kāi)始研制PVD方法外延GaN的工藝和裝備,目前正在進(jìn)行設(shè)備工藝驗(yàn)證。
2001年與南昌大學(xué)合作
設(shè)計(jì)了中試型的全自動(dòng)化監(jiān)控的MOCVD,用于外延GaN和ZnO。
2015年中科院金屬研究所沈陽(yáng)材料科學(xué)國(guó)家(聯(lián)合)實(shí)驗(yàn)室合作
制造了金剛石外延設(shè)備,制備了金剛石電極、微米晶和納米晶金剛石薄膜、導(dǎo)電金剛石薄膜。
2007年與蘭州大學(xué)物理學(xué)院合作
設(shè)計(jì)制造了光學(xué)級(jí)金剛石生長(zhǎng)設(shè)備(采用熱激發(fā)技術(shù)和CVD技術(shù))。
2006年與中國(guó)科技大學(xué)合作
設(shè)計(jì)設(shè)計(jì)**高溫CVD 和MBE。
用于4H晶型SiC外延生長(zhǎng)。
2005年與浙江大學(xué)光學(xué)儀器國(guó)家重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室合作
設(shè)計(jì)制造了**臺(tái)完全自主知識(shí)產(chǎn)權(quán)的分子束外延設(shè)備,用于外延光電半導(dǎo)體材料。
詞條
詞條說(shuō)明
一、PVD真空鍍膜設(shè)備市場(chǎng)概況高真空電子束蒸鍍機(jī)-鵬城半導(dǎo)體2024年,**PVD真空鍍膜設(shè)備行業(yè)的總規(guī)模約為22億美元,而且預(yù)計(jì)到2024年,這一數(shù)字將會(huì)翻倍,達(dá)到47億美元。PVD真空鍍膜技術(shù)由非金屬物質(zhì)以真空溫度和帶電離子碰撞技術(shù),形成厚膜,具有聚合度高、粘著力強(qiáng)、透明度高及耐腐蝕性好等優(yōu)點(diǎn)。PVD真空鍍膜設(shè)備可廣泛應(yīng)用于電子、醫(yī)療、汽車、航空航天、航空航空電子等領(lǐng)域,以及金屬表面處理、無(wú)損
真空鍍膜行業(yè)發(fā)展趨勢(shì),低耗能無(wú)污染**技術(shù)
1、真空鍍膜行業(yè)技術(shù)水平及特點(diǎn)多功能磁控濺射儀(高真空磁控濺射鍍膜機(jī))-鵬城半導(dǎo)體真空鍍膜是表面處理技術(shù)的一項(xiàng)分支,是指為了減少雜質(zhì)的干擾,在高度真空環(huán)境下,通過(guò)物理或化學(xué)手段,將金屬、非金屬或化合物材料(膜材)轉(zhuǎn)換成氣態(tài)或等離子態(tài),并沉積于玻璃、金屬、陶瓷、塑料或**材料等固體材質(zhì)(簡(jiǎn)稱基材、基板或基片)表面形成薄膜的過(guò)程。利用真空鍍膜技術(shù)鍍制薄膜后,可使材料表面獲得新的復(fù)合性能并實(shí)現(xiàn)新型的工程
鵬城半導(dǎo)體亮相*八屆***三代半導(dǎo)體論壇
一年一度行業(yè)盛會(huì),*八屆***三代半導(dǎo)體論壇(IFWS )&*十九屆中國(guó)**半導(dǎo)體照明論壇(SSLCHINA)于2023年2月7日-10日(7日?qǐng)?bào)到)在蘇州金雞湖凱賓斯基大酒店召開(kāi)。在這場(chǎng)被視為“***三代半導(dǎo)體行業(yè)*”的盛會(huì)上,由2014年諾貝爾物理獎(jiǎng)獲得者、日本工程院院士、美國(guó)工程院院士、中國(guó)工程院外籍院士、日本名古屋大學(xué)未來(lái)材料與系統(tǒng)研究所教授天野浩,美國(guó)工程院院士、美國(guó)國(guó)家發(fā)明
2022年1月17日, 國(guó)華三新與鵬城半導(dǎo)體在深圳舉行簽約儀式, 國(guó)華投資吳葉菲總經(jīng)理等一行出席本次簽約儀式;鵬城半導(dǎo)體代表吳向方先生等一行出席本次簽約儀式。關(guān)于我們鵬城半導(dǎo)體技術(shù)(深圳)有限公司,由哈爾濱工業(yè)大學(xué)(深圳)、北京琨騰科技有限公司以及有多年實(shí)踐經(jīng)驗(yàn)的工程師團(tuán)隊(duì)共同發(fā)起創(chuàng)建。公司立足于技術(shù)*與市場(chǎng)*的交叉點(diǎn),尋求創(chuàng)新**與可持續(xù)發(fā)展,解決產(chǎn)業(yè)的痛點(diǎn)和國(guó)產(chǎn)化難題,爭(zhēng)取產(chǎn)業(yè)鏈的自主可控
公司名: 鵬城半導(dǎo)體技術(shù)(深圳)有限公司
聯(lián)系人: 戴朝蘭
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手 機(jī): 13632750017
微 信: 13632750017
地 址: 廣東深圳南山區(qū)留仙大道3370號(hào)南山智園崇文園區(qū)3號(hào)樓304
郵 編:
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鵬城半導(dǎo)體 高真空電子束蒸發(fā)鍍膜機(jī) PC-004 真空度高、抽速快
供應(yīng) 鵬城半導(dǎo)體 PC05 高真空電阻熱蒸發(fā)鍍膜機(jī) 電阻熱蒸發(fā)技術(shù)
供應(yīng) 鵬城半導(dǎo)體 PC04 電子束蒸鍍機(jī)
供應(yīng) 鵬城半導(dǎo)體 小型 PC08 化學(xué)氣相沉積小型LPCVD設(shè)備
供應(yīng) 鵬城半導(dǎo)體 生產(chǎn)型 PC07 化學(xué)氣相沉積LPCVD設(shè)備
供應(yīng) 鵬城半導(dǎo)體 高真空 PC06 等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積PECVD
供應(yīng) 鵬城半導(dǎo)體 金剛石散熱晶圓片 襯底
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