美國OPTO DIODE位置傳感器ODD-SXUV-DLPSD

時間：2022-04-08作者：天津瑞利光電科技有限公司瀏覽：326

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產(chǎn)品型號：ODD-SXUV-DLPSD

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關(guān)鍵字描述：

產(chǎn)品介紹：

ODD-SXUV-DLPSD，雙側(cè)UV / EUV亞微米位置分辨率傳感器。新設(shè)備在暴露于紫外線和/或較紫外輻射后可提供高度穩(wěn)定的響應(yīng)。它采用TO-8無窗口封裝，可大程度減少暴露于強(qiáng)烈的UV/EUV光子后二極管的響應(yīng)度變化。ODD-SXUV-DLPSD的有效面積為5 mm x 5 mm，非常適合光刻應(yīng)用以及需要使用200 nm以下波長的任何定位應(yīng)用。

連續(xù)位置檢測光電二極管設(shè)計用于位置檢測1 nm至400 nm波長的光。在13 nm處的響應(yīng)度通常為0.20 A/W；254 nm的響應(yīng)度通常為0.02 A/W。在工作條件下，暗電流為10（典型值）和50（max.）nA。新的ODD-SXUV-DLPSD具有反向擊穿電壓，min.50伏，電容為40（典型值）至60（max.）pF。操作和存儲溫度范圍從-10℃到40℃（環(huán)境溫度）和-20℃到80℃（在氮?dú)饣蛘婵諚l件下）。結(jié)溫為max.70℃，引線焊接溫度為0.080英寸，距外殼10秒鐘為260℃。

參數(shù)：

活動區(qū)域：25 mm²

響應(yīng)度R@13nm：0.20 A/W

響應(yīng)度R@254nm：0.02 A/W

反向擊穿電壓，VR：min.50 V

電容，C：40pF（典型），60 pF（max）

上升時間VR = 30V，RL =50Ω：200 nm

分流電阻Vr =±10mV ：5 MOhms

電極間電阻：5,000（min），10,000（典型），15,000（max）歐姆

ID的溫度系數(shù)：1.15次/oC

位置非線性：±1 ％（典型），±2％（max）

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  詞條說明

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