280-30KVA-3Y電容器的廠家

時(shí)間：2022-10-24作者：醴陵市湘創(chuàng)電器有限公司瀏覽：47

可以增大電容量；再通過(guò)化學(xué)方法將陽(yáng)氧化，形成一個(gè)氧化層，作為介質(zhì)；然后，在陽(yáng)鋁箔和陰鋁箔之間加一層電解紙作為隔離，壓合繞制；加注電解液，電解紙會(huì)吸收電解液，封裝成型。使用電解液的濕式鋁電解電容應(yīng)用廣；優(yōu)點(diǎn)就是電容量大、額定電壓高、便宜；缺點(diǎn)也很明顯，就是壽命較短、溫度特性不好、ESR和ESL較大。對(duì)于硬件開(kāi)發(fā)來(lái)說(shuō)，需要避免過(guò)設(shè)計(jì)，在滿足性能要求的情況下，便宜就是的優(yōu)勢(shì)。下圖是基美(Kemet)的鋁電解電容產(chǎn)品，大致可以看出鋁電解電容的特點(diǎn)。原圖截圖于KEMET網(wǎng)站鋁電解電容也有使用二氧化錳、導(dǎo)電高分子聚合物等固態(tài)材料做電解質(zhì)；聚合物鋁電解電容的結(jié)構(gòu)大致如下圖所示：原圖出自PolymerAluminumElectrolyticCapacitors-Murata聚合物鋁電解電容的ESR較。
容值穩(wěn)定，瞬態(tài)響應(yīng)好；由于是固態(tài)，抗沖擊振動(dòng)能力比濕式的要好；可以做出較小的SMD封裝。當(dāng)然，濕式的鋁電解電容也可以做SMD封裝，不過(guò)大都是長(zhǎng)這樣：圖片來(lái)源于百度圖片而聚合物鋁電解電容的封裝長(zhǎng)這樣：圖片來(lái)自Murata網(wǎng)站引申閱讀：PolymerCapacitorBasics(Part1):WhatIsaPolymerCapacitor?PolymerCapacitorBasics(Part2):WhatIsaPolymerCapacitor?鉭電解電容(Tantalumelectrolyticcapacitors)鉭(拼音tǎn)電解電容應(yīng)用多的應(yīng)該是利用二氧化錳做固態(tài)電解質(zhì)，主要長(zhǎng)這樣：圖片出自SolidTantalumMnO2Capacitors固態(tài)鉭電解電容內(nèi)部結(jié)構(gòu)大致如下圖所示：原圖出自Vishay技術(shù)文檔鉭電容與鋁電解電容。
在于鉭氧化物(五氧化二鉭)的介電常數(shù)比鋁氧化物(三氧化二鋁)的高不少，這樣相同的體積，鉭電容容量要比鋁電解電容的要大。鉭電容壽命較長(zhǎng)，電性能加穩(wěn)定。鉭電容也有利用導(dǎo)電高分子聚合物(ConductivePolymer)做電解質(zhì)，結(jié)構(gòu)與上圖二氧化錳鉭電容類似，就是將二氧化錳換成導(dǎo)電聚合物；導(dǎo)電聚合物的電導(dǎo)率比二氧化錳高，這樣ESR就會(huì)低。另外還有濕式的鉭電容，特點(diǎn)就是**大容量、高耐壓、低直流漏電流，主要用于軍事和航天領(lǐng)域。濕式的鉭電容主要長(zhǎng)這樣：截圖于Vishay技術(shù)文檔引申閱讀：GuideforTantalumSolidElectrolyteChipCapacitorswithPolymerCathodeWetElectrolyteTantalumCapacitors鈮電解電容(Niobiumelectrolyticcapacitors)鈮電解電容與鉭電解電容類。
就是鈮及其氧化物代替鉭；鈮氧化物(五氧化二鈮)的介電常數(shù)比鉭氧化物(五氧化二鉭)高；鈮電容的性能加穩(wěn)定，性高。湘創(chuàng)X有鈮電容系列產(chǎn)品，二氧化錳鉭電容外觀是黃色，而鈮電容外觀是橙紅色，大致長(zhǎng)這樣：圖片出自湘創(chuàng)X網(wǎng)站引申閱讀：TantalumPolymerandNiobiumOxideCapacitorsOxiCap?-niobiumoxidecapacitor電解電容對(duì)比表，數(shù)據(jù)來(lái)源于維基百科，僅供參考。引申閱讀：Electrolyticcapacitor2.3陶瓷電容(CeramicCapacitor)陶瓷電容是以陶瓷材料作為介質(zhì)材料，陶瓷材料有很多種，介電常數(shù)、穩(wěn)定性都有不同，適用于不同的場(chǎng)。
陶瓷電容，主要有以下幾種：瓷片電容(CeramicDiscCapacitor)瓷片電容的主要優(yōu)點(diǎn)就是可以耐高壓，通常用作安規(guī)電容，可以耐250V交流電壓。其外觀和結(jié)構(gòu)如下圖所示：原圖出自本小節(jié)兩篇引申閱讀引申閱讀：Capacitors|DE1serieslineupCeramicCapacitor多層陶瓷電容(Multi-layerCeramicCapacitor)多層陶瓷電容，也就是MLCC，片狀(Chip)的多層陶瓷電容是目前上使用量的電容類型，其標(biāo)準(zhǔn)化封裝，尺寸小，適用于自動(dòng)化高密度貼片生產(chǎn)。作者，也就是我自己設(shè)計(jì)的主板，自己拍的照片，加了藝術(shù)效果；沒(méi)有標(biāo)引用和出處的圖片和內(nèi)容，絕大多數(shù)都是我自己畫(huà)或弄出來(lái)。
剩下可能疏忽忘加了；標(biāo)引用的圖片，很多都是我重新加工的，例如翻譯或幾張圖拼在一起等等，工具很土EXCEL+截圖。多層陶瓷電容的內(nèi)部結(jié)構(gòu)如下圖所示：原圖出自SMDMLCCforHighPowerApplications-KEMET多層陶瓷電容生產(chǎn)流程如下圖所示：原圖出自Capacitors,Part2"CeramicCapacitors[1]"由于多層陶瓷需要燒結(jié)瓷化，形成一體化結(jié)構(gòu)，所以引線(Lead)封裝的多層陶瓷電容，也叫石(Monolithic)電容。在談?wù)勲姼兄幸步榻B過(guò)多層陶瓷工藝和ThinFilm工藝。ThinFilm技術(shù)在性能或工藝控制方面都比較，可以的控制器件的電性能和物理性。
因此，ThinFilm電容性能比較好，容值可以做到0.05pF，而容差可以做到0.01pF；比通常MLCC要好很多，像Murata的GJM系列，容值是0.1pF，容差通常都是0.05pF；因此，ThinFilm電容可以用于要求比較高的RF領(lǐng)域，湘創(chuàng)X有Accu-P?系列。引申閱讀ThinFilmCapacitor-湘創(chuàng)XCeramiccapacitorBMEandPMECeramic’sHiddenProperty-KEMET陶瓷介質(zhì)的分類根據(jù)EIA-198-1F-2002，陶瓷介質(zhì)主要分為四類：ClassI：具有溫度補(bǔ)償特性的陶瓷介質(zhì)，其介電常數(shù)大都較低，不**過(guò)200。通常都是順電性介質(zhì)(Paraelectric。
溫度、頻率以及偏置電壓下，介電常數(shù)比較穩(wěn)定，變化較小。損耗也很低，耗散因數(shù)小于0.01。截圖自MaterialsDevelopmentforCommercialMultilayerCeramicCapacitors，Page26性質(zhì)穩(wěn)定，應(yīng)用多的是C0G電容，也就是NP0。NP0是IEC/E**0384-1標(biāo)準(zhǔn)中規(guī)定的代號(hào)，即NegativePositiveZero，也就是用N和P來(lái)表示正負(fù)偏差。由于介電常數(shù)低，C0G電容的容值較小，可以做到0.1uF，0402封裝通常只有1000pF。ClassII，III：其中，溫度特性A-S屬于ClassII，介電常數(shù)幾千左右。溫度特性T-V屬于ClassII。
介電常數(shù)可以到20000，可以看出ClassIII的性能加不穩(wěn)定。根據(jù)IEC的分類，ClassII和III都屬于二類，高介電常數(shù)介質(zhì)。像X5R和X7R都是ClassII電容，在電源去耦中應(yīng)用較多，而Y5V屬于ClassIII電容，性能不太穩(wěn)定，個(gè)人覺(jué)得現(xiàn)在應(yīng)用不多了。截圖自MaterialsDevelopmentforCommercialMultilayerCeramicCapacitors，Page103由于ClassII和III電容的容值可以做到幾百uF，但由于高介電常數(shù)介質(zhì)，大都是鐵電性介質(zhì)(Ferroelectric)，溫度穩(wěn)定性差。此外，鐵電性介質(zhì)，在直流偏置電壓下介電常數(shù)會(huì)下降。
在談?wù)勲姼幸晃闹?，介紹了鐵磁性介質(zhì)存在磁滯現(xiàn)象，當(dāng)內(nèi)部磁場(chǎng)**過(guò)一定值時(shí)，會(huì)發(fā)生磁飽和現(xiàn)象，導(dǎo)致磁導(dǎo)率下降；同樣的，對(duì)于鐵電性介質(zhì)存在電滯現(xiàn)象，當(dāng)內(nèi)部電場(chǎng)**過(guò)一定值時(shí)，會(huì)發(fā)生電飽和現(xiàn)象，導(dǎo)致介電常數(shù)下降。因此，當(dāng)ClassII和III電容的直流偏置電壓**過(guò)一定值時(shí)，電容會(huì)明顯下降，如下圖所示：圖片來(lái)源GRM188R60J226MEA0-MurataClassIV：制作工藝和通常的陶瓷材料不一樣，內(nèi)部陶瓷顆粒都是外面一層很薄的氧化層，而是導(dǎo)體。這種類型的電容容量很大，但擊穿電壓很小。由于此類電容的性能不穩(wěn)定，損耗高，現(xiàn)在已經(jīng)基本被淘汰了。引申閱讀：ECA-EIA-198-1-F-2002MaterialsDevelopmentforCommercialMultilayerCeramicCapacitorsHysteresisinPiezoelectricandFerroelectricMaterials電容類型總結(jié)表原圖出自維基百科還有一類**級(jí)電。
就是容量特別大，可以替代電池作為供電設(shè)備，也可以和電池配合使用。**級(jí)電容充電速度快，可以地充放電，而且可以充到任何想要的電壓，只要不**過(guò)額定電壓?，F(xiàn)在應(yīng)用也比較多，國(guó)內(nèi)很多城市都有**級(jí)電容電動(dòng)公交車；還有些電子產(chǎn)品上也有應(yīng)用，例如一些行車記錄儀上，可以持續(xù)供電幾天。引申閱讀：WhatIsaSupercapacitor(EDLC)?MurataSupercapacitorTechnicalNoteCapacitortypesComparisonofMultilayerCeramicandTantalumCapacitors電容的應(yīng)用與選型器件選型，其實(shí)就是從器件的規(guī)格書(shū)上提取相關(guān)的信息，判斷是否滿足產(chǎn)品的設(shè)計(jì)和應(yīng)用的要。
3.1概述電容作為一個(gè)儲(chǔ)能元件，可以儲(chǔ)存能量。外部電源斷開(kāi)后，電容也可能帶電。因此，提示十分必要。有些電子設(shè)備內(nèi)部會(huì)貼個(gè)高壓危險(xiǎn)，小時(shí)候拆過(guò)家里的黑白電視機(jī)，拆開(kāi)后看到顯像管上貼了個(gè)高壓危險(xiǎn)，那時(shí)就有個(gè)疑問(wèn)，沒(méi)插電源也會(huì)有高壓?jiǎn)幔抗ぷ骱?，拆過(guò)幾個(gè)電源適配器，被電的回味無(wú)窮……儲(chǔ)存能量就可以當(dāng)電源，例如**級(jí)電容；存儲(chǔ)數(shù)據(jù)，應(yīng)用非常廣。動(dòng)態(tài)易失性存儲(chǔ)器(DRAM)就是利用集成的電容陣列存儲(chǔ)數(shù)據(jù)，電容充滿電就是1，放完電就是0。各種手機(jī)、電腦、中內(nèi)存的使用量非常大，因此，內(nèi)存行業(yè)都可以作為信息產(chǎn)業(yè)的*了。此外，電容還可以用作：定時(shí)：電容充放電需要時(shí)間，可以用做定時(shí)器；還可以做延時(shí)電路，常見(jiàn)的就是上電延時(shí)復(fù)。
一些定時(shí)芯片如NE556，可以產(chǎn)生三角波。諧振源：與電感一起組成LC諧振電路，產(chǎn)生固定頻率的信號(hào)。利用電容通高頻、阻低頻、隔直流的特性，電容還可以用作：電源去耦電源去耦應(yīng)該是電容廣泛的應(yīng)用，各種CPU、SOC、ASIC的周圍、背面放置了大量的電容，目的就是保持供電電壓的穩(wěn)定。，在DCDC電路中，需要選擇合適的輸入電容和輸出電容來(lái)降低電壓紋波。需要計(jì)算出相關(guān)參數(shù)。此外，像IC工作時(shí)，不同時(shí)刻需要的工作電流是不一樣的，因此，也需要大量的去耦電容，來(lái)工作電壓得穩(wěn)定。耦合隔直設(shè)計(jì)電路時(shí)，有些情況下，只希望傳遞交流信號(hào)，不希望傳遞直流信號(hào)，這時(shí)候可以使用串聯(lián)電容來(lái)耦號(hào)。例如多級(jí)放大器，為了防止直流偏置相互影。
靜態(tài)工作點(diǎn)計(jì)算復(fù)雜，通常級(jí)間使用電容耦合，這樣每一級(jí)靜態(tài)工作點(diǎn)可以立分析。例如PCIE、SATA這樣的高速串行信號(hào)，通常也使用電容進(jìn)行交流耦合。旁路濾波旁路，顧名思義就是將不需要的交流信號(hào)導(dǎo)入大地。濾波其實(shí)也是一個(gè)意思。在微波射頻電路中，各種濾波器的設(shè)計(jì)都需要使用電容。此外，像EMC設(shè)計(jì)，對(duì)于接口處的LED燈，都會(huì)在信號(hào)線上加一顆濾波電容，這樣可以提高ESD測(cè)試時(shí)的性。3.2鋁電解電容3.2.1鋁電解電容(濕式)鋁電解電容(濕式)無(wú)論是插件還是貼片封裝，高度都比較高，而且ESR都較高，不適合于放置于IC附近做電源去耦，通常都是用于電源電路的輸入和輸出電容。原圖來(lái)自KEMET規(guī)格書(shū)容值從規(guī)格書(shū)中獲取電容值容。
通常鋁電解電容的容差都是±20%。計(jì)算容值和容值時(shí)，各項(xiàng)參數(shù)要滿足設(shè)計(jì)要求。額定電壓鋁電解電容通常只適用于直流場(chǎng)合，設(shè)計(jì)工作電壓至少要額定電壓的80%。對(duì)于有浪涌防護(hù)的電路，其額定浪涌電壓要防護(hù)器件(通常是TVS)的殘壓。例如，對(duì)于一些POE供電的設(shè)備，根據(jù)802.3at標(biāo)準(zhǔn)，工作電壓可達(dá)57V，那么選擇的TVS鉗位電壓有90多V，那么至少選擇額定電壓100V的鋁電解電容。此時(shí)，也只有鋁電解電容能同時(shí)滿足大容量的要求。原圖來(lái)自Littelfuse的TVS規(guī)格書(shū)耗散因數(shù)設(shè)計(jì)DCDC電路時(shí)，輸出電容的ESR影響輸出電壓紋波，因此需要知道鋁電解電容的ESR，但大多數(shù)鋁電解電容的規(guī)格書(shū)只給出了耗散因數(shù)tan。
可以根據(jù)以下公式來(lái)計(jì)算ESR：ESR=tanδ/(2πfC)例如，120Hz時(shí)，tanδ為16%，而C為220uF，則ESR約為965mΩ?？梢?jiàn)鋁電解電容的ESR非常大，這會(huì)導(dǎo)致輸出電壓紋波很大。因此，使用鋁電解電容時(shí)，需要配合使用片狀陶瓷電容，靠近DCDC芯片放置。隨著開(kāi)關(guān)頻率和溫度的升高，ESR會(huì)下降。額定紋波電流電容的紋波電流，要滿足DCDC設(shè)計(jì)的輸入和輸出電容的RMS電流的需求。鋁電解電容的額定紋波電流需要根據(jù)開(kāi)關(guān)頻率來(lái)修正。壽命鋁電解電容的壽命比較短，選型需要注意。而壽命是和工作溫度直接相關(guān)的，規(guī)格書(shū)通常給出產(chǎn)品溫度時(shí)的壽命，例如105℃時(shí)，壽命為2000小時(shí)。根據(jù)經(jīng)驗(yàn)規(guī)律，工作溫度每下降10。

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• 詞條

  詞條說(shuō)明

• 湘創(chuàng)PA6000-A1單相數(shù)顯電流表作用特點(diǎn)

  ????電流變送器和電流互感器是電氣行業(yè)中常見(jiàn)的兩種電氣設(shè)備，它們的主要功能是將電流信號(hào)轉(zhuǎn)化為標(biāo)準(zhǔn)的電信號(hào)輸出，以實(shí)現(xiàn)對(duì)電氣設(shè)備進(jìn)行監(jiān)測(cè)和控制。盡管它們的功能比較類似，但它們的設(shè)計(jì)原理、應(yīng)用場(chǎng)景和性能指標(biāo)存在著一些區(qū)別。本文將詳細(xì)介紹電流變送器和電流互感器的區(qū)別。 一、PA6000-A1單相數(shù)顯電流表產(chǎn)品介紹： ??? 三相電

• 清遠(yuǎn)VA-65/3P浪涌保護(hù)器工作原理

  ???? 在電力系統(tǒng)中，安全始終是首要考慮的因素。為了**工作人員和設(shè)備的安全，各種安全裝置應(yīng)運(yùn)而生。其中，DXN-Q戶內(nèi)高壓帶電顯示器是一種非常重要的安全裝置。DXN-Q戶內(nèi)高壓帶電顯示器是一種直接安裝在室內(nèi)電氣設(shè)備上的裝置，它的主要功能是直觀地顯示出電氣設(shè)備是否帶有運(yùn)行電壓。這種顯示器對(duì)于**電力系統(tǒng)的安全運(yùn)行具有至關(guān)重要的作用。?當(dāng)電氣設(shè)備

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  ??? 湘創(chuàng)UN25-525-EP電容器作用特點(diǎn)?????? ?????? 避雷器用放電計(jì)數(shù)器是用來(lái)監(jiān)測(cè)避雷器放電動(dòng)作的一種高壓電器，其構(gòu)造是由非線性電阻、電磁計(jì)數(shù)器和一些電子元件組成。在正常運(yùn)行電壓下，流過(guò)計(jì)數(shù)器的漏電流非常小，計(jì)數(shù)器小動(dòng)作，當(dāng)避