Cr:YAG晶體具備的主要特點(diǎn)

時(shí)間：2023-01-12作者：南京光寶光電科技有限公司瀏覽：160

借助被動(dòng)調(diào)q激光技術(shù)可以產(chǎn)生納秒甚至于亞納秒激光脈沖。激光脈沖主要應(yīng)用于激光微加工、通信傳感和雷達(dá)等重點(diǎn)領(lǐng)域。Cr:YAG晶體具備吸收截面大、弛豫時(shí)間短、飽和光強(qiáng)低、理化性質(zhì)穩(wěn)定等特點(diǎn)。目前已經(jīng)被廣泛應(yīng)用于Nd:YAG晶體、Yb:YAG晶體作為無源調(diào)q激光器。

Cr:YAG晶體是用于大量1μm釹鐿激光器的優(yōu)良無源調(diào)q晶體。q開關(guān)輸出工作效率高，主要用于重復(fù)頻率操作。它具有很高的光損傷閾值，比染料以及以顏色為**的飽和吸收器穩(wěn)定耐用，在大多數(shù)情況下可以替代電光Q-switch輸出高功率激光脈沖。

Cr:YAG晶體具備優(yōu)良的物理化學(xué)性質(zhì)，不但可以用作q開關(guān)，也可以用作增益介質(zhì)。以Cr:YAG為q開關(guān)實(shí)現(xiàn)了脈沖Nd:YAG激光器和連續(xù)波Nd:YAG激光器的q開關(guān)操作，并且以Cr:YAG為增益介質(zhì)實(shí)現(xiàn)了連續(xù)波可調(diào)諧和自鎖模操作。與傳統(tǒng)飽和吸收體相比較，Cr:YAG在很多方面遠(yuǎn)遠(yuǎn)**過傳統(tǒng)的飽和吸收體。Cr:YAG中Cr4+離子的摻雜濃度高達(dá)1018cm-3，能有效減小無源q開關(guān)元件尺寸。它有助于實(shí)現(xiàn)高光學(xué)轉(zhuǎn)換效率、一體化和緊湊的無源q開關(guān)激光器。

Cr:YAG晶體中文名摻鉻釔鋁石榴石是波長在0.8至1,2μm激光器(Nd:YAG和其它摻雜Nd或Yb)Q開關(guān)的理想材料。Cr4+：YAG有一個(gè)明顯的特點(diǎn)就是其高損傷閾值500-1000MW/cm2。它的吸收帶從800nm延伸到1200nm，在1060nm左右達(dá)到峰值，吸收峰截面積特別大。

Cr：YAG晶體主要特點(diǎn)：

l、-500-1000MW/cm2的高損傷閾值。

2、高穩(wěn)定化學(xué)性能和穩(wěn)定性。

3、傳熱性好，壽命長。

4、緊湊型無源Q開關(guān)。

5、操作非常容易。

Cr：YAG晶體主要應(yīng)用領(lǐng)域：

用于激光測距儀，LIDAR和LIBS系統(tǒng)的無源調(diào)Q激光器。

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