關(guān)于開關(guān)電源的干擾因素

時間：2021-06-19作者：東莞市成良智能科技有限公司瀏覽：86

為了解決輸入電流的波形畸變，降低電流諧波的含量，開關(guān)電源它需要采取功率因數(shù)校正技術(shù)。功率因數(shù)校正技術(shù)讓電流的波形跟隨著電壓波形，修正電流波形讓它接近正弦波。從而可以降低電流諧波的含量，這也改善了橋式整流電容濾波電路的輸入特性，同時也提高了開關(guān)電源的功率因數(shù)。不同的方法我們可以從不同的角度來抑制電磁干擾。
軟開關(guān)技術(shù)是降低開關(guān)電源開關(guān)器件的損耗、改善開關(guān)電源開關(guān)器件電磁兼容性的重要手段。開關(guān)器件它在開關(guān)的過程當(dāng)中會產(chǎn)生浪涌電流以及尖峰電壓，這也是造成電磁干擾與開關(guān)損耗的主要原因。使用軟開關(guān)技術(shù)讓開關(guān)管在零電壓、零電流的時候進行開關(guān)轉(zhuǎn)換可以有效地去抑制電磁干擾。利用開關(guān)電源緩沖電路來吸收開關(guān)管或者是開關(guān)電源高頻變壓器初級線圈兩端的尖峰電壓也可以有效地改善電磁兼容的特性。
開關(guān)電源輸出整流二極管的反向恢復(fù)問題可以通過串聯(lián)飽和電感來抑制。開關(guān)電源飽和電感的鐵心是用具有矩形BH曲線的開關(guān)電源磁性材料所制成的。它和用于磁放大器的材料是一樣的，這種磁芯所制成的電感具有很高的磁導(dǎo)率。開關(guān)電源磁芯在BH曲線上有一個近乎于垂直的線性區(qū)域，可以很容易地進入飽和的狀態(tài)。在實際的應(yīng)用當(dāng)中，當(dāng)輸出整流二極管導(dǎo)通的時候，開關(guān)電源飽和電感工作在電感特性的狀態(tài)下，相當(dāng)于一段導(dǎo)線；當(dāng)二極管關(guān)斷并且反向恢復(fù)的時候，開關(guān)電源飽和電感是處于電感特性的狀態(tài)下，抑制了反向恢復(fù)電流的大幅度變化，也抑制了它外部的干擾。


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• 詞條

  詞條說明

• 海拔對于開關(guān)電源多造成的影響（二）

  開關(guān)電源性能和海拔：a.靜電電器的溫升會隨著海拔的升高而增加的速率一般是小于0.4k/100m，但是對于高發(fā)熱性的電器，比如電爐、電阻、焊機等等，它的溫升會隨著海拔升高的速率大于每百米2K； b.隨著海拔的升高，開關(guān)電源變壓器的溫升和冷卻方式有關(guān)系。每100m增長率為：油浸自冷，額定溫升的0.4%；干式自冷，額定溫升的0.5%；油浸強迫風(fēng)冷，額定溫升的0.6%；干式強迫風(fēng)冷，額定溫升的1.0%；c

• 簡述開關(guān)電源電磁干擾的產(chǎn)生原理及控制技術(shù)（二）

  空間分離 開關(guān)電源空間分離它是抑制空間輻射騷擾以及開關(guān)電源感應(yīng)耦合騷擾的有效方法，可以通過加大騷擾源以及接受器敏感設(shè)備之間的空間距離，讓騷擾電磁場到達敏感設(shè)備的時候的強度已經(jīng)衰減到了**接受設(shè)備敏感度門限，從而達到了抑制開關(guān)電源電磁干擾的目的。從電磁場理論可以知道，場強在近區(qū)感應(yīng)場當(dāng)中以1/r3的方式衰減，遠區(qū)輻射場的場強分布是按照1/r方式減小。所以，為了滿足系統(tǒng)的電磁兼容性要求，需要盡量把組成

• 開關(guān)電源電路的組成部分

  各種事物都有規(guī)律，而不同類型的開關(guān)電源在電路上總體來說都有相同的地方。成良智能將會在下面和大家分享關(guān)于電源電路的基本組成。 一、基本組成 開關(guān)電源是由主電路、控制電路、檢測電路以及輔助電源所組成的。 1、主電路 沖擊電流限制：上電的時候限制輸入側(cè)的沖擊電流。輸入濾波器：這個功能是過濾電網(wǎng)當(dāng)中存在的雜波，來防止機器所產(chǎn)生的雜波反饋回電網(wǎng)。整流和濾波：電網(wǎng)的交流電源被直接被整流成較為平滑的直流電。逆變

• 關(guān)于開關(guān)電源的優(yōu)點及其缺點（2）

  4、半橋供電的缺點是主變壓器的功率利用率比較低。所以，半橋變壓器開關(guān)電源并不適用于工作電壓比較低的場合。除此之外，半橋變壓器開關(guān)電源的兩個開關(guān)器件之間并沒有公共接地，所以很難和驅(qū)動信號連接。 5、半橋開關(guān)電源的缺點是會出現(xiàn)半導(dǎo)通區(qū)的，損耗較大。半橋開關(guān)電源它較大的缺點是當(dāng)兩個控制開關(guān)K1以及K2處于交替開關(guān)狀態(tài)的時候，就會同時出現(xiàn)一個短的半導(dǎo)體區(qū)，也就是兩個控制開關(guān)同時處于接通的狀態(tài)。這是因為當(dāng)開