納米銅薄膜是一種新型功能材料具有表面效應、**效應等特性,其導電性能良好在化工、紡織、醫(yī)學和電子等廣泛應用。低溫等離子體處理技術是一種對環(huán)境友好的表面處理技術,可應用于不同材料的表面處理,以實現(xiàn)清潔、刻蝕或接枝等。
紡織材料表面采用低溫等離子體技術處理工藝設計后以其為基質(zhì)沉積納米銅薄膜,可作為理想的功能材料并提高紡織品的附加值。未經(jīng)等離子體預處理的滌綸基材表面較光滑沉積的納米銅顆粒分布不均勻。而經(jīng)氬等離子體預處理后表面出現(xiàn)凹凸不平,納米銅顆?;灸芨采w基材表面形成完整的薄膜。這表明氬等離子體預處理對滌綸基材有一定的刻蝕作用使纖維表面粗糙度增加,比表面積增大納米銅顆粒較容易吸附在纖維表面。
基材表面未經(jīng)低溫等離子體技術處理時納米銅膜方塊電阻值為215.2 2/0 ,經(jīng)過氬、氧等離子處理后,銅膜方塊電阻分別為192. 7、137.6 0/0 ,分別降低了10. 6%和36. 1%導電性能顯著提高。這一方面是由于滌綸基材經(jīng)氧等離子體處理后,納米銅顆粒到達滌綸基材表面的幾率增加;另一方面與銅薄膜中的自由載流子濃度和遷移率也有關。
基材經(jīng)低溫等離子體技術處理工藝設計氧等離子體處理后因帶負電荷的氧基團解吸附作用薄膜中的氧空位或間質(zhì)性銅原子增加自由載流子濃度增加造成電阻率下降?;慕?jīng)過等離子體處理后,濺射出的銅原子或原子團到達基材表面頻率增加其能量得到明顯增強沉積在基底上有足夠的能量結晶、遷移等所以自由載流子的遷移率也較高形成的薄膜比較致密顆粒尺寸也比較大。同時晶粒間接散射較強也導致薄膜的電阻率降低。
蒸餾水滴在未經(jīng)等離子體處理的滌綸織物鍍銅表面約20 s后接觸角為97.42°,狀態(tài)近似于球形在織物表面難以鋪開說明鍍銅滌綸織物的潤濕性較差。這是因為滌綸纖維的分子結構中缺少羥基、羧基等親水性官能團水分子與滌綸纖維大分子之間沒有直接作用力,因此在較長時間內(nèi)都無法將織物潤濕。
蒸餾水滴在經(jīng)低溫氬氣和氧氣等離子體處理過的滌綸織物鍍銅表面的潤濕狀況水滴形態(tài)由球形不潤濕狀態(tài)逐漸轉(zhuǎn)為鋪展的潤濕狀態(tài)接觸角分別降至85. 09 °和36. 79??梢姷入x子體處理改善了液滴在鍍銅滌綸織物表面的滲入效果。
這是由于等離子體處理的刻蝕作用增加了纖維表面的粗糙度同時也在織物表面引入了一些含氧的極性基團(如羥基、羧基等)從而增加了納米銅顆粒與滌綸纖維間的相互作用力。氧等離子體預處理使滌綸基材表面變化較氬等離子體處理明顯液滴在鍍銅滌綸織物表面接觸角較小親水性能明顯提高。
深圳子柒科技有限公司專注于等離子表面處理機,全自動點膠機,等離子清洗機等
詞條
詞條說明
SiC該材料是三代半導體材質(zhì),具有高臨界擊穿電場、高導熱性、高載流子飽和漂移速度等特點。它是**半導體功率器件的*方向,在高壓、高溫、高頻、抗輻射半導體器件低損耗的優(yōu)良性能,是**半導體功率器件的*。? ? ? ??但經(jīng)傳統(tǒng)濕法處理后的SiC表面存在著殘留有C雜質(zhì)和表面容易被氧化等缺點,使得在SiC上不容易形成優(yōu)良的歐姆接觸和低界面態(tài)的MOS結
等離子處理器也屬于干洗法,與傳統(tǒng)的濕法清洗器相比,電漿處理器具備工藝簡單、操作簡單、可控性高、精度高等特點,能一次清理表層不會有殘留物,反觀濕法清理一次清理不干凈還會有殘留物,如果使用大量的溶劑,對環(huán)境和人體都會有害。電漿清洗器在使用流程中,有兩種清理流程:化學變化和物理反應。電漿清理性能好,清理快,去除氧化物,**物和物體表層活化效果好,而且在使用流程中不會產(chǎn)生對人體和環(huán)境有害的氣體,是一種真正
等離子體刻蝕機是利用高頻輝光放電反應,將反應氣體為原子或游離基等具有活性的粒子,這些活性粒子擴散到需要腐蝕的位置,然后與被刻蝕的物質(zhì)發(fā)生反應,形成揮發(fā)性反應物,這種腐蝕方法也稱為干腐蝕。等離子化洗蝕刻技術是電漿特殊特性的應用。等離子體清洗蝕刻技術的形成設備,是在密閉器皿內(nèi)用進口真空泵達到相應的真空度,隨著氣體的稀薄,分子間隔及分子與離子之間的自由運動距離變長,在電場的作用下碰撞形成等離子體,這些離
?等離子處理機誘導產(chǎn)生的活性種(例如自由基等),提供了表面二(乙二醇)甲醚分子碎片再次相結合做好反應的機制。自由基落入成的分子網(wǎng)絡中,可觸發(fā)劇烈的電子激發(fā)原位氧化反應。?對等離子處理機處理后的鋁片分子層構造做ATR-FTIR剖析,在1583.07cm處有個較強的吸收峰,這也是PEG構造中C-O鍵的特征吸收峰,表明沉積的表面層是類PEG構造。1780.21cm處的吸收峰,說明有C
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