文章重點(diǎn)介紹采用乙烯基**氧基硅烷(VTMOS)對(duì)SiO2疏水改性,通過(guò)自組裝法,將改性SiO2接枝在商業(yè)PVDF(聚偏氟乙烯)膜表面,使其表面達(dá)到**疏水。利用場(chǎng)**電子顯微鏡、紅外光譜儀、接觸角測(cè)量?jī)x及毛細(xì)流孔徑分析儀等儀器對(duì)改性前后膜的表面形貌、化學(xué)組成、接觸角及孔徑變化等性能參數(shù)進(jìn)行表征。結(jié)果表明,VTMOS不僅對(duì)SiO2疏水改性,還通過(guò)自身的水解縮聚反應(yīng),生成了規(guī)整圓球狀的聚乙烯基倍半硅氧烷(PVSQ)微粒,納米級(jí)SiO2分布于微米級(jí)PVSQ表面,在改性膜表面構(gòu)造了多層次微/納米粗糙表面,在低表面能疏水基團(tuán)乙烯基和甲氧基的共同作用下,成功實(shí)現(xiàn)了**疏水改性,改性膜水接觸角達(dá)到159.5°,滾動(dòng)角降至8.1°。以NaCl、HA和CaCl2混合溶液為進(jìn)料液,對(duì)商業(yè)PVDF膜和改性膜進(jìn)行了長(zhǎng)期直接接觸式膜蒸餾(DCMD)實(shí)驗(yàn),探究其抗污染性能。結(jié)果表明,改性膜適用于長(zhǎng)期DCMD實(shí)驗(yàn),并表現(xiàn)出比商業(yè)PVDF膜較穩(wěn)定的通量,截鹽率始終大于**,具有良好的穩(wěn)定性和抗污染性能。
膜蒸餾技術(shù)(membrane distillation,MD)是一種將傳統(tǒng)蒸餾過(guò)程與膜分離技術(shù)相結(jié)合,以疏水微孔膜為介質(zhì),由疏水膜兩側(cè)溫差引起的蒸汽壓差作為推動(dòng)力的新型液體分離技術(shù)。相比于傳統(tǒng)蒸餾過(guò)程,MD操作溫度較低,可利用太陽(yáng)能等低品位余熱進(jìn)行操作,同時(shí),與其他壓力驅(qū)動(dòng)膜分離過(guò)程,如反滲透、納濾相比,由于MD較低的操作壓力,不需使用高壓泵或高壓容器等昂貴組件,降低了操作成本,此外,對(duì)原溶液中的離子、分子等非揮發(fā)性溶質(zhì)理論上截留率可以達(dá)到**,因此,MD可以廣泛用于生活廢水、工業(yè)廢水的處理以及醫(yī)藥、食品加工等方面。
在MD過(guò)程中,疏水膜作為冷熱兩側(cè)的傳質(zhì)通道和物理屏障,只允許蒸汽通過(guò),是MD的**部分。保持疏水膜膜孔干燥,不被堵塞,對(duì)保證MD通量和截鹽率有著至關(guān)重要的作用。目前,MD過(guò)程中應(yīng)用的膜主要是商業(yè)微濾膜,由疏水聚合物,如聚偏氟乙烯(PVDF)、聚四氟乙烯(PTFE)或聚丙烯(PP)等制備而成。但是,在實(shí)際操作過(guò)程中,PVDF膜孔易被潤(rùn)濕或被污染物堵塞,降低MD的效率,抑制了MD的廣泛應(yīng)用。近年來(lái)研究表明,將PVDF膜表面改性為**疏水,可有效防止膜污染現(xiàn)象發(fā)生。目前應(yīng)用的抗污染技術(shù)主要有原料液的預(yù)處理以及對(duì)膜進(jìn)行沖洗,與本文**疏水抗污染技術(shù)相比,對(duì)原料液預(yù)處理可能會(huì)提高膜的污染率,對(duì)膜進(jìn)行沖洗則會(huì)造成回收率降低,操作壓力升高以及膜的使用壽命縮短。
**疏水表面一般指與水的接觸角大于150°,且滾動(dòng)角小于10°的表面,具有自清潔、防水、防冰、抗氧化、減阻等多種*特的表面性能。制備**疏水表面的靈感來(lái)自于自然界中存在的**疏水表面,如荷葉或昆蟲(chóng)翅膀等。**疏水表面的制備,主要總結(jié)為以下兩種途徑:構(gòu)造多層次的微/納米粗糙表面,或在具備一定粗糙程度的表面上修飾低表面能物質(zhì)。近年來(lái),已經(jīng)報(bào)道了多種構(gòu)造**疏水表面的方法,如溶膠-凝膠法、模板法、靜電紡絲法、等離子體處理法以及化學(xué)氣相沉淀法等。但是,上述方法易受限于復(fù)雜的制備步驟,昂貴的技術(shù)成本或只能制備較小樣品。自組裝技術(shù)作為一種工藝簡(jiǎn)單,成本低廉的方法,可廣泛用于制備**疏水表面。
本實(shí)驗(yàn)采用自組裝法開(kāi)發(fā)了一種簡(jiǎn)單的將商業(yè)PVDF表面改性為**疏水的方法。采用乙烯基**氧基硅烷(vinyltrimethoxysilane,VTMOS)對(duì)二氧化硅(SiO2)進(jìn)行疏水改性,將改性SiO2接枝在商業(yè)PVDF膜表面,VTMOS自身水解縮聚反應(yīng)生成了規(guī)整圓球狀的聚乙烯基倍半硅氧烷(polyvinylsilsesquioxane,PVSQ),二者共同構(gòu)造了多層次微/納米粗糙表面,與此同時(shí),在改性膜表面分布有低表面能疏水基團(tuán)乙烯基、甲氧基,成功制備**疏水表面。之后對(duì)改性膜進(jìn)行了長(zhǎng)期直接接觸式膜蒸餾(direct contact membrane distillation,DCMD)實(shí)驗(yàn),考察了其抗污染性能。
本文采用VTMOS疏水改性SiO2,通過(guò)自組裝法將其接枝在商業(yè)PVDF膜表面,利用SiO2和VTMOS自身水解縮聚反應(yīng)形成的球形PVSQ微粒構(gòu)造了多層次微/納米粗糙結(jié)構(gòu),同時(shí),在低表面能疏水基團(tuán)乙烯基和甲氧基的共同作用下,成功將商業(yè)PVDF膜表面改性為**疏水。
詞條
詞條說(shuō)明
鍋爐防垢劑防垢原理編輯mifso-622防垢劑是由堿性物質(zhì)和**物無(wú)機(jī)物復(fù)配而成。防垢劑中的3減性物質(zhì)使鍋爐水中的鈣、鎂鹽類(lèi)形成水渣,水渣通過(guò)排污除掉。這樣就除去了鈣、鎂離子,使之 形不成堅(jiān)硬的水垢。防垢劑中的**物,會(huì)增加水渣的流動(dòng)性,使之容易排出,同時(shí)**物還會(huì)在金屬表面形成阻止層,阻止金屬表面形成水垢。這一系列的化學(xué)和 物理作用,就防止了水垢的形成。防垢劑是加入運(yùn)行中的鍋爐水里,在長(zhǎng)時(shí)間的運(yùn)
文章重點(diǎn)介紹采用乙烯基**氧基硅烷(VTMOS)對(duì)SiO2疏水改性,通過(guò)自組裝法,將改性SiO2接枝在商業(yè)PVDF(聚偏氟乙烯)膜表面,使其表面達(dá)到**疏水。利用場(chǎng)**電子顯微鏡、紅外光譜儀、接觸角測(cè)量?jī)x及毛細(xì)流孔徑分析儀等儀器對(duì)改性前后膜的表面形貌、化學(xué)組成、接觸角及孔徑變化等性能參數(shù)進(jìn)行表征。結(jié)果表明,VTMOS不僅對(duì)SiO2疏水改性,還通過(guò)自身的水解縮聚反應(yīng),生成了規(guī)整圓球狀的聚乙烯基倍半硅
據(jù)大工環(huán)境膜技術(shù)微信公眾平臺(tái)2019年3月18日訊?TFC膜雖然具有在較寬的工作溫度和pH范圍內(nèi)滿(mǎn)足分離性能的優(yōu)點(diǎn),但是仍然面臨著內(nèi)濃差較化(ICP)的問(wèn)題。研究顯示,使用孔徑較大的載體,比如微濾膜(MF)來(lái)合成FO膜,可以有效降低ICP,但在大孔徑載體上很難形成具有低反向鹽通量和良好的聚酰胺層。那么,如何在大孔徑載體上生長(zhǎng)良好的聚酰胺層? 《薄膜納米復(fù)合材料正滲透膜:在親水微濾載體上
阻垢劑、分散劑是循環(huán)水化學(xué)日常處理中一類(lèi)占較大比重的化學(xué)藥劑。例如羥基亞乙基二膦酸(HEDP)和氨基三亞甲基膦酸(ATMP)等,都是由其分子中的部分官能團(tuán)、通過(guò)靜電力吸附于致垢金屬鹽類(lèi)正在形成的晶體(晶核)表面的活性點(diǎn)上,抑制晶體增長(zhǎng),從而使形成的許多晶體保持在微晶狀態(tài),這等于增加了致垢金屬鹽類(lèi)在水中的溶解度;與此同時(shí),由于阻垢劑分子在晶體表面上的吸附,晶體即使增長(zhǎng),也只能畸形地增長(zhǎng),這就使晶體產(chǎn)
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