了解逆變電源的工作原理

時間：2020-01-08作者：南京恒達(dá)奧克科技有限責(zé)任公司瀏覽：483

1.直流電可以通過震蕩電路變?yōu)榻涣麟?/p>

2.得到的交流電再通過線圈升壓(這時得到的是方形波的交流電)

3.對得到的交流電進(jìn)行整流得到正弦波

AC-DC就比較簡單了 我們知道二極管有單向?qū)щ娦?/p>

可以用二極管的這一特性連成一個電橋

讓一端始終是流入的 另一端始終是流出的這就得到了電壓正弦變化的直流電 如果需要平滑的直流電還需要進(jìn)行整流 簡單的方法就是連接一個電容

Inverter 是一種DC to AC的變壓器，它其實(shí)與Adapter是一種電壓逆變的過程。Adapter是將市電電網(wǎng)的交流電壓轉(zhuǎn)變?yōu)榉€(wěn)定的12V直流輸出，而Inverter是將 Adapter輸出的12V直流電壓轉(zhuǎn)變?yōu)楦哳l的高壓交流電;兩個部分同樣都采用了目前用得比較多的脈寬調(diào)制(PWM)技術(shù)。其**部分都是一個PWM集 成控制器，Adapter用的是UC3842，I

nverter則采用TL5001芯片。TL5001的工作電壓范圍3.6～40V，其內(nèi)部設(shè)有一個誤差放大器，一個調(diào)節(jié)器、振蕩器、有死區(qū)控制的PWM發(fā)生器、低壓保護(hù)回路及短路保護(hù)回路等。

輸入部分有3個信號，12V直流輸入VIN、工作使能電壓ENB及Panel電流控制信號DIM。VIN由Adapter提供，ENB電壓由主板上的MCU 提供，其值為0或3V，當(dāng)ENB=0時，Inverter不工作，而ENB=3V時，Inverter處于正常工作狀態(tài);而DIM電壓由主板提供，其變化 范圍在0～5V之間，將不同的DIM值反饋給PWM控制器反饋端，Inverter向負(fù)載提供的電流也將不同，DIM值越小，Inverter輸出的電流 就越大。

電壓啟動回路：

ENB為高電平時，輸出高壓去點(diǎn)亮Panel的背光燈燈管。

PWM控制器：

有以下幾個功能組成：內(nèi)部參考電壓、誤差放大器、振蕩器和PWM、過壓保護(hù)、欠壓保護(hù)、短路保護(hù)、輸出晶體管。

直流變換：

由MOS開關(guān)管和儲能電感組成電壓變換電路，輸入的脈沖經(jīng)過推挽放大器放大后驅(qū)動MOS管做開關(guān)動作，使得直流電壓對電感進(jìn)行充放電，這樣電感的另一端就能得到交流電壓。

LC振蕩及輸出回路：

保證燈管啟動需要的1600V電壓，并在燈管啟動以后將電壓降至800V。

輸出電壓反饋：

當(dāng)負(fù)載工作時，反饋采樣電壓，起到穩(wěn)定Inventer電壓輸出的作用。

其實(shí)你可以想象一下了.都有那些電子元件需要正負(fù)極,電阻,電感一般不需要.二極管一般壞的可能就是被擊穿只要電壓正常一般是沒有問題的,三極管的話是不會 導(dǎo)通的.穩(wěn)壓管如果正負(fù)接反的話就會損壞了,但一般有的電路加了保護(hù)就是利用二極管的單向?qū)▉肀Ｗo(hù).在就是電容了,電容里有正負(fù)之分的就是電解電容了, 如果正負(fù)接反嚴(yán)重的話其外殼發(fā)生爆裂.

主要元件二極管.開關(guān)管振蕩變壓器.取樣.調(diào)寬管.還有振蕩回路電阻電容等參開關(guān)電路原理.

逆變器的主功率元件的選擇至關(guān)重要，目前使用較多的功率元件有達(dá)林頓功率晶體管(BJT)，功率場效應(yīng)管(MOSFET)，絕緣柵晶體管(IGBT)和可關(guān) 斷晶閘管(GTO)等，在小容量低壓系統(tǒng)中使用較多的器件為MOSFET，因為MOSFET具有較低的通態(tài)壓降和較高的開關(guān)頻率，在高壓大容量系統(tǒng)中一般 均采用IGBT模塊，這是因為MOSFET隨著電壓的升高其通態(tài)電阻也隨之增大，而IGBT在中容量系統(tǒng)中占有較大的優(yōu)勢，而在特大容量(100KVA以 上)系統(tǒng)中，一般均采用GTO作為功率元件

大件：場效應(yīng)管或IGBT、變壓器、電容、二極管、比較器以及3525之類的主控。交直交逆變還有整流濾波。

功率大小和精度，關(guān)系著電路的復(fù)雜程度。

可以看一下手機(jī)充電器，這就是一個小開關(guān)電源!

IGBT(絕 緣柵雙較晶體管)作為新型電力半導(dǎo)體場控自關(guān)斷器件，集功率MOSFET的高速性能與雙極性器件的低電阻于一體，具有輸入阻抗高，電壓控制功耗低，控制電 路簡單，耐高壓，承受電流大等特性，在各種電力變換中獲得較廣泛的應(yīng)用。與此同時，各大半導(dǎo)體生產(chǎn)廠商不斷開發(fā)IGBT的高耐壓、大電流、高速、低飽和壓 降、高可靠性、低成本技術(shù)，主要采用1um以下制作工藝，研制開發(fā)**一些新進(jìn)展。


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