回收海力士HBM2E內(nèi)存

時(shí)間：2021-12-30作者：深圳市福田區(qū)誠(chéng)芯源電子商行瀏覽：86

 回收海力士HBM2E內(nèi)存

今日海力士發(fā)布，已產(chǎn)品研發(fā)新一代DRAM運(yùn)行內(nèi)存“HBM2E”，可視作HBM2的增強(qiáng)版，

有著業(yè)內(nèi)較大的傳送帶寬，對(duì)比如今的HBM2提高了大概50％，與此同時(shí)容積也翻了一番。




海力士的HBM2E每一個(gè)針角傳輸速度為3.6Gbps，配搭1024-bit位寬得話可以給予**出460GB/s的**高帶寬，現(xiàn)階段可以說**。

AMD Radeon VII電腦顯卡以前首先完成1TB/s的*顯存儲(chǔ)帶寬，但運(yùn)用了4096-bit的位寬，假如換為HBM2E總帶寬可以輕輕松松**出1.8TB/s。

與此同時(shí)歸功于TSV硅埋孔技術(shù)性，HBM2E運(yùn)行內(nèi)存可以較多豎直層疊八顆16Gb芯片，單珠封裝總?cè)莘e因而可達(dá)16GB，是現(xiàn)在的二倍。

海力士表明，**高帶寬的HBM2E可用作工業(yè)生產(chǎn)4.0、高檔GPU電腦顯卡、高性能計(jì)算機(jī)、人工神經(jīng)網(wǎng)絡(luò)、AI人工智能技術(shù)等各種各樣良好行業(yè)。

并且有別于傳統(tǒng)式DRAM務(wù)必獨(dú)立封裝、占有電腦主板總面積，

HBM系列產(chǎn)品可以與GPU芯片、邏輯性芯片等融合封裝在一起，

彼此之間間距可以保證只是好多個(gè)μm，大大的節(jié)約總體總面積，也可以確保迅速的傳輸數(shù)據(jù)。

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