石英晶體振蕩器分非溫度補(bǔ)償式晶體振蕩器、溫度補(bǔ)償晶體振蕩器(TCXO)、電壓控制晶體振蕩器(VCXO)、恒溫控制式晶體振蕩器(OCXO)和數(shù)字化/μp補(bǔ)償式晶體振蕩器(DCXO/MCXO)等幾種類型。其中,無溫度補(bǔ)償式晶體振蕩器是較簡單的一種,在日本工業(yè)標(biāo)準(zhǔn)(JIS)中,稱其為標(biāo)準(zhǔn)封裝晶體振蕩器(SPXO)。簡要介紹一下石英晶振的結(jié)構(gòu)與工作原理。(詳情可以查看YXC揚(yáng)興官網(wǎng)《石英晶振發(fā)展過程》) 石英晶體,有**的也有人造的,是一種重要的壓電晶體材料。石英晶體本身并非振蕩器,它只有借助于有源激勵(lì)和無源電抗網(wǎng)絡(luò)方可產(chǎn)生振蕩。SPXO主要是由品質(zhì)因數(shù)(Q)很高的晶體諧振器(即晶體振子)與反饋式振蕩電路組成的。石英晶體振子是振蕩器中的重要元件,晶體的頻率(基頻或n次諧波頻率)及其溫度特性在很大程度上取決于其切割取向。石英晶體諧振器的基本結(jié)構(gòu)、(金屬殼)封裝及其等效電路。 只要在晶體振子板較上施加交變電壓,就會(huì)使晶片產(chǎn)生機(jī)械變形振動(dòng),此現(xiàn)象即所謂逆壓電效應(yīng)。當(dāng)外加電壓頻率等于晶體諧振器的固有頻率時(shí),就會(huì)發(fā)生壓電諧振,從而導(dǎo)致機(jī)械變形的振幅突然增大。 一、水晶材料基本特性 石英晶體振蕩器是利用石英晶體(二氧化硅的結(jié)晶體) 的壓電效應(yīng)制成的一種諧振器件,它的基本構(gòu)成大致是:從一塊石英晶體上按一定方位角切下薄片,在它的兩個(gè)對(duì)應(yīng)面上涂敷銀層作為電極,在每個(gè)電極上各焊一根引線接到管腳上,再加上封裝外殼,就構(gòu)成了石英晶體諧振器,簡稱為石英晶體或晶體、晶振。其產(chǎn)品一般用金屬外殼封裝,也有用玻璃殼、陶瓷或塑料封裝的。 石英晶體諧振器結(jié)構(gòu)圖 石英晶體在壓力作用下產(chǎn)生形變,同時(shí)產(chǎn)生電極化。其較化強(qiáng)度與壓力成正比,這種現(xiàn)象就稱"正壓電效應(yīng)".反之,在電場(chǎng)作用下,晶體產(chǎn)生形變,其形變大小與電場(chǎng)強(qiáng)度成正比,這種現(xiàn)象稱"逆壓電效應(yīng)".(詳情可以查看YXC揚(yáng)興官網(wǎng)《晶體的壓電效應(yīng)》) 逆壓電效應(yīng)圖 石英晶體的壓電效用圖:(a) 壓電效應(yīng)(b) 正壓電效應(yīng)(c) 逆壓電效應(yīng) 在二十多類具有壓電效應(yīng)的晶體中,石英晶體是無線通訊設(shè)備中較為滿意的材料之一。它的機(jī)械強(qiáng)度高,物理化學(xué)性能穩(wěn)定,內(nèi)損耗低等,用它制成的器件被廣泛用在頻率控制和頻率選擇電路中。石英片的取向不同,其壓電特性、彈性特性和強(qiáng)度特性就不同,用它來制造的諧振器的性能也不一樣,現(xiàn)已發(fā)現(xiàn)了幾十種有用的切割方式。 二、石英諧振器的穩(wěn)頻條件 石英晶振的頻率穩(wěn)定度與以下三方面有關(guān):負(fù)載電容、激勵(lì)電平和頻率溫度特性。 1 、負(fù)載電容。石英諧振器一般作為電感組件在振蕩電路中起穩(wěn)頻作用,而電路的其它組件均可等效為一個(gè)負(fù)載電容與石英諧振器的等效參數(shù)及頻率穩(wěn)定度帶來影響。 負(fù)載電容對(duì)頻率的影響圖 從石英晶振元件兩腳向振蕩電路方向看進(jìn)去的所有有效電容,就是該振蕩電路加給石英晶振的負(fù)載電容。負(fù)載電容同石英晶振共同決定電路的工作頻率。通過調(diào)整負(fù)載電容,就可以將振蕩電路的工作頻率調(diào)整到標(biāo)稱值。負(fù)載電容選用要合理,電容太大時(shí),雜散電容影響減小,但微調(diào)率下降; 容值太小時(shí),微調(diào)率增加,但雜散電容影響增加、負(fù)載諧振電阻增加, 甚至起振困難。 2 、激勵(lì)電平。一般取70 -100uA 為佳,用激勵(lì)功率表示時(shí),一般取1 -100uW 為佳。激勵(lì)電平的大小直接影響石英諧振器的性能,所以電路設(shè)計(jì)者一定要嚴(yán)格控制石英諧振器在規(guī)定的激勵(lì)電平下工作,以便充分發(fā)揮石英諧振器的特點(diǎn)。一般來講,激勵(lì)電平偏小對(duì)于長穩(wěn)有利,激勵(lì)電平稍大對(duì)于短穩(wěn)有利。但是激勵(lì)電平太大,石英片振動(dòng)強(qiáng),振動(dòng)區(qū)域溫度升高,石英片內(nèi)產(chǎn)生溫度梯度,會(huì)使頻率穩(wěn)定度降低;激勵(lì)電平過大,由于機(jī)械形變**過彈性限度而引起*性的晶格位移,使頻率產(chǎn)生*性的變化,甚至有時(shí)會(huì)把石英片振壞;激勵(lì)電平過大,會(huì)使等效電阻增加,Q 值下降,電阻溫度特性和頻率溫度特性變得不規(guī)則;激勵(lì)電平過大,容易激起寄生振動(dòng),同時(shí)還會(huì)使老化變大。當(dāng)然,激勵(lì)電平過低也會(huì)使信噪比變小而影響短期穩(wěn)定度,激勵(lì)電平太低,諧振器不易起振,影響工作的穩(wěn)定和**性。所以諧振器使用應(yīng)根據(jù)不同的要求嚴(yán)格控制激勵(lì)電平,較不能為了增大輸出而隨意提高激勵(lì)電平。 3 、頻率溫度特性。 頻率溫度特性圖 三、石英振蕩電路的組成與設(shè)計(jì) 石英振蕩電路的形式很多,但基本電路只有兩類:并聯(lián)晶體振蕩器和串聯(lián)晶體振蕩器。前者石英晶體是以并聯(lián)諧振的形式出現(xiàn),而后者則是以串聯(lián)諧振的形式出現(xiàn)。石英振蕩電路主要由IC、石英諧振器XTAL 、電阻、PCB 等組成,下面對(duì)各組成部分做簡單說明:(詳情可以查看YXC揚(yáng)興官網(wǎng)《晶振內(nèi)部結(jié)構(gòu)》) 1、IC:可根據(jù)實(shí)用的需要任意選用,如CMOS 反向器IC;**振蕩IC;大規(guī)模的數(shù)字IC 中自備石英振蕩門。 2 、負(fù)載特性:振蕩電路(除去CRYSTAL) ,具有一個(gè)負(fù)阻特性(用網(wǎng)絡(luò)頻譜分析儀) ,振蕩電路負(fù)阻值(**值) **大于3 倍的CRTSTAL 電阻值( CRYS2TAL ESR/ RR) ,振蕩電路才可以穩(wěn)定的振蕩。 3 、電容:可根據(jù)用戶的需要選用片式或傳統(tǒng)結(jié)構(gòu)的產(chǎn)品,但是應(yīng)注意選擇適用于高頻的、低損耗的,選用NP0 系列的溫度系數(shù)產(chǎn)品。 電阻:在選擇尺寸的同時(shí)需注意功耗的滿足。 4 、PCB :注意能滿足高頻的使用場(chǎng)合和注意盡量降低線路的分布參數(shù),大面積接地和一點(diǎn)式接地方案的采納。有必要的時(shí)候應(yīng)注意EMI 的防護(hù)。 5 、石英諧振器XTAL :頻率大于1MHz 的諧振器應(yīng)選用ATMODE ,可根據(jù)用戶的需要選擇合適的外形尺寸和封裝的晶體。主要電性指標(biāo): FL 、ESR 的CLOCK需要選用FL 及公差,并按Cg/ Cd 值,計(jì)算而得CL = 石英諧振器計(jì)算公式 (Cs :線路分布雜散電容) 6 、ESR :單位Ω,工作溫度范圍的頻率公差。 正確的選取Cg/ Cd 的值將有利于振蕩電路的工作穩(wěn)定,并能使振蕩頻率滿足使用的CL K 要求。其選取的步驟如下: (1) **應(yīng)該按照- R 的需要選擇Cg/ Cd ,在滿足TS 的情況下應(yīng)盡量小些,保持較高的- R 以**振蕩的穩(wěn)定性。當(dāng)無法滿足- R 要求時(shí)應(yīng)考慮對(duì)IC 的特性重新評(píng)價(jià)、選擇。 (2) Rf 值選?。喝∮玫腦TAL 為基本波的時(shí)候,Rf選用1MΩ;3RD 模式的XTAL 時(shí)須考慮截止頻率**界于基頻與3RD 的中間以**3RD 工作正常為原則,通常Rf 阻值在2 - 15KΩ 間。 Rf 值選取 (3) 為了避免對(duì)XTAL 的過激勵(lì)而影響電路的正常工作,建議采用Rr 以控制XTAL 的激勵(lì)功率;其數(shù)值視頻率高低可在33 - 68Ω間選取。 (4) 對(duì)于有EMI 要求的振蕩電路設(shè)計(jì)中**選取SEAM 焊封4PAD 的晶體諧振器,同時(shí)賦予合理接地方式,可滿足EMI 防護(hù)的需求。 四、發(fā)展趨勢(shì) 石英產(chǎn)品與其它的電子器件同樣朝著輕薄短小演進(jìn)。石英產(chǎn)品從1990 年開始朝著SMD 的方向發(fā)展,1998 年開始又向小型SMD 的方向發(fā)展,因此輕薄短小的競爭也就從此白熱化起來。隨著CPU 的運(yùn)轉(zhuǎn)速度的加快,石英諧振器和石英振蕩器的高頻化進(jìn)程也在加快。在石英水晶的壓電效應(yīng)發(fā)展至今,將進(jìn)入重要的頻率控制組件發(fā)展的新紀(jì)元。
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溫補(bǔ)晶振的應(yīng)用領(lǐng)域和常用頻率
溫補(bǔ)晶振是簡稱,全名為溫度補(bǔ)償晶體振蕩器(TCXO),是通過感應(yīng)周圍環(huán)境溫度,將溫度信息做適當(dāng)變換后控制晶振的輸出頻率,以求達(dá)到穩(wěn)定輸出頻率的效果。簡單的說就是它是在普通晶振的基礎(chǔ)上,加了一個(gè)溫度補(bǔ)償電路,而對(duì)穩(wěn)定性方面就采取溫度補(bǔ)償?shù)氖址?,分別是傳統(tǒng)模擬溫補(bǔ)和數(shù)字化補(bǔ)償兩種。(相關(guān)閱讀可以查看YXC揚(yáng)興官網(wǎng)《溫補(bǔ)晶振關(guān)鍵的幾點(diǎn)參數(shù)解析》) 那么這溫補(bǔ)晶振一般使用在什么地方呢?下面揚(yáng)興科技跟您聊聊
相信大家對(duì)晶體的壓電效應(yīng)還是有影響的,之前也發(fā)布類似的壓電效應(yīng)的文章,大家也可以去復(fù)習(xí)一下,對(duì)比壓電效應(yīng)和逆壓電效應(yīng)的兩者之間的不同,今天揚(yáng)興給說一下晶體的逆壓電效應(yīng),逆壓電效應(yīng)是指當(dāng)在電介質(zhì)的較化方向施加電場(chǎng),這些電介質(zhì)就在一定方向上產(chǎn)生機(jī)械變形或機(jī)械壓力,當(dāng)外加電場(chǎng)撤去時(shí),這些變形或應(yīng)力也隨之消失。(相關(guān)閱讀可以查看YXC揚(yáng)興官網(wǎng)《晶振的壓電效應(yīng)》) 正壓電效應(yīng)原理圖 逆壓電效應(yīng)是指外界對(duì)晶體
SiTime晶振采用全硅的MEMS技術(shù),由兩個(gè)芯片堆棧起來,下方是CMOS PLL驅(qū)動(dòng)芯片,上方則是MEMS諧振器,以標(biāo)準(zhǔn)QFN IC封裝方式完成。封裝完成之后,進(jìn)行激光打標(biāo)環(huán)節(jié),黑色晶振表面一般打標(biāo)都是B07CG,1-110MHZ任一頻點(diǎn)均可編程,**到小數(shù)點(diǎn)后六位;每個(gè)頻點(diǎn),均可提供7050、5032、3225、2520封裝;未燒錄之前,硅晶振屬于空白片,用空白片進(jìn)行燒錄,根據(jù)客戶的需要不同,
陶瓷諧振器是指產(chǎn)生諧振頻率的陶瓷外殼封裝的電子元件。在電路上起到產(chǎn)生頻率的作用,具有高穩(wěn)定、高抗干擾性等特點(diǎn),屬于壓電元器件。大家都知道晶振起振,都跟壓電效應(yīng)和逆壓電效應(yīng)有關(guān)。陶瓷晶振就是晶體逆壓電效應(yīng)原理,陶瓷諧振器的工作原理就是既可以把電能轉(zhuǎn)換為機(jī)械能,也可以把機(jī)械能轉(zhuǎn)換為電能。目前陶瓷諧振器的類型按照外形可以分為直插式和貼片式兩中。(相關(guān)閱讀可以查看YXC揚(yáng)興官網(wǎng)《晶振的壓電效應(yīng)》) 晶振逆
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