高質(zhì)量實(shí)驗(yàn)用cvd石墨烯薄膜是如何制備的?

    石墨烯薄膜一般指通過cvd法制備的單層的石墨烯,因?yàn)槭菃螌?,所以?qiáng)度、導(dǎo)電率和透明度都比較好。

    微晶科技實(shí)驗(yàn)用石墨烯薄膜

    那么,高質(zhì)量石墨烯薄膜-實(shí)驗(yàn)用石墨烯薄膜是如何制備的?

    CVD生長石墨烯主要包括兩個(gè)路徑:

    一是“直接生長”,催化裂解出來的碳原子直接在催化劑表面成核、進(jìn)而生長成石墨烯薄膜;

    二是“迂回生長”,催化裂解的表面碳原子滲透進(jìn)入體相溶解后,再在表面析出,成核生長形成石墨烯薄膜。兩個(gè)平行生長路徑的貢獻(xiàn),取決于金屬催化劑的溶碳能力、金屬碳化物的生成及其在生長溫度下的化學(xué)穩(wěn)定性。

    微晶科技實(shí)驗(yàn)室

    CVD法制備石墨烯的基本過程是:

    把基底金屬箔片放入爐中,通入氫氣和氬氣或者氮?dú)獗Wo(hù)加熱至1000℃左右,穩(wěn)定溫度,保持20min左右;然后停止通入保護(hù)氣體,改通入碳源(如甲烷)氣體,大約30min,反應(yīng)完成;切斷電源,關(guān)閉甲烷氣體,再通入保護(hù)氣體排凈甲烷氣體,在保護(hù)氣體的環(huán)境下直至管子冷卻到室溫,取出金屬箔片,得到金屬箔片上的石墨烯。下圖為石墨烯的制備過程。

    襯底是生長石墨烯的重要條件。目前發(fā)現(xiàn)的可以用作石墨烯制備的襯底金屬有8~10個(gè)過渡金屬(如Fe,Ru,Co,Rh,Ir,Ni,Pd,Pt,Cu,Au),和合金(如Co-Ni,Au-Ni,Ni-Mo,不銹鋼)。過渡金屬在石墨烯的CVD生長過程中既作為生長基底,也起催化作用。

    微晶科技提供:石墨烯薄膜、石墨烯粉體、導(dǎo)電油墨、導(dǎo)熱油墨、石墨烯熱輻射涂料、石墨烯抗菌、石墨烯透明導(dǎo)電膜等

    產(chǎn)品列表:

    CVD石墨烯薄膜:

    銅基底石墨烯薄膜

    泡-取式石墨烯薄膜

    單面生長銅基底石墨烯薄膜

    懸空自助轉(zhuǎn)移石墨烯薄膜

    氧化硅基底石墨烯薄膜

    硅基底石墨烯薄膜

    藍(lán)寶石基底石墨烯薄膜

    PET基底石墨烯薄膜

    石英基底石墨烯薄膜

    鎳泡沫石墨烯薄膜(3D石墨烯)

    自助轉(zhuǎn)移鎳泡沫石墨烯薄膜

    CVD-石墨烯薄膜:

    單層銅基底石墨烯薄膜

    少層銅基底石墨烯薄膜

    單層泡-取式石墨烯薄膜

    少層泡-取式石墨烯薄膜

    單層單面生長銅基底石墨烯薄膜

    少層單面生長銅基底石墨烯薄膜

    單層懸空自助轉(zhuǎn)移石墨烯薄膜

    少層懸空自助轉(zhuǎn)移石墨烯薄膜

    單層氧化硅基底石墨烯薄膜

    少層氧化硅基底石墨烯薄膜

    單層硅基底石墨烯薄膜

    少層硅基底石墨烯薄膜

    單層藍(lán)寶石基底石墨烯薄膜

    少層藍(lán)寶石基底石墨烯薄膜

    單層PET基底石墨烯薄膜

    少層PET基底石墨烯薄膜

    單層石英基底石墨烯薄膜

    少層石英基底石墨烯薄膜


    合肥微晶材料科技有限公司專注于石墨烯熱輻射涂料,石墨烯熱輻射漿料,石墨烯散熱涂料等

  • 詞條

    詞條說明

  • PTC用石墨烯散熱涂料加速散熱

    PTC加熱是指PTC發(fā)熱體,PTC發(fā)熱體是采用PTC陶瓷發(fā)熱元件與鋁管組成。該類型PTC發(fā)熱體有熱阻小、換熱效率高的優(yōu)點(diǎn),是一種自動(dòng)恒溫、省電的電加熱器。**特點(diǎn)在于安全性能上,任何應(yīng)用情況下均不會(huì)產(chǎn)生如電熱管類加熱器的表面“發(fā)紅”現(xiàn)象,從而引起燙傷,火災(zāi)等安全隱患。PTC發(fā)熱體產(chǎn)品由于采用u型波紋狀散熱片,提高了其散熱率,且綜合了膠粘和機(jī)械式的優(yōu)點(diǎn),并充分考慮到ptc發(fā)熱件在工作時(shí)的各種熱、電現(xiàn)

  • CVD石墨烯薄膜的制備

    石墨烯薄膜一般指通過cvd法制備的單層的石墨烯,因?yàn)槭菃螌樱詮?qiáng)度、導(dǎo)電率和透明度都比較好。打開UC瀏覽器 查看更多精彩圖片實(shí)驗(yàn)用石墨烯薄膜那么,高質(zhì)量石墨烯薄膜-實(shí)驗(yàn)用石墨烯薄膜是如何制備的?CVD生長石墨烯主要包括兩個(gè)路徑:一是“直接生長”,催化裂解出來的碳原子直接在催化劑表面成核、進(jìn)而生長成石墨烯薄膜;二是“迂回生長”,催化裂解的表面碳原子滲透進(jìn)入體相溶解后,再在表面析出,成核生長形成石墨

  • 高質(zhì)量實(shí)驗(yàn)用cvd石墨烯薄膜是如何制備的?

    石墨烯薄膜一般指通過cvd法制備的單層的石墨烯,因?yàn)槭菃螌?,所以?qiáng)度、導(dǎo)電率和透明度都比較好。微晶科技實(shí)驗(yàn)用石墨烯薄膜那么,高質(zhì)量石墨烯薄膜-實(shí)驗(yàn)用石墨烯薄膜是如何制備的?CVD生長石墨烯主要包括兩個(gè)路徑:一是“直接生長”,催化裂解出來的碳原子直接在催化劑表面成核、進(jìn)而生長成石墨烯薄膜;二是“迂回生長”,催化裂解的表面碳原子滲透進(jìn)入體相溶解后,再在表面析出,成核生長形成石墨烯薄膜。兩個(gè)平行生長路徑

  • 石墨烯薄膜快速轉(zhuǎn)移方法

    石墨烯轉(zhuǎn)移石墨烯是自然界硬度較高、厚度較低的一種材料,在導(dǎo)電、電子、光學(xué)、熱輻射性等各方面均有優(yōu)異的性能,因而被廣泛看好擁有廣闊的前景應(yīng)用于微電子、改性新材料、航空*行器、新能源等領(lǐng)域,所以其被認(rèn)為是新世紀(jì)戰(zhàn)略性劃時(shí)代的材料。石墨烯結(jié)構(gòu)示意圖石墨烯常見的形態(tài)為兩類:石墨烯粉體和石墨烯薄膜。石墨烯粉體為納米——原子級(jí),十層以內(nèi)二位結(jié)構(gòu)的石墨自然聚集,被視為石墨烯,常見制備方法為液相剝離法、氧化還原法

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